GaAS MMIC for military/space application (продолжение)

Форум » Дискуссии » GaAS MMIC for military/space application (продолжение) » Ответить

GaAS MMIC for military/space application (продолжение)

milstar: http://parts.jpl.nasa.gov/mmic/mmic_complete.pdf JPL Publication 96-25 GaAs MMIC Reliability Assurance Guideline forSpace Applications Sammy Kayali Jet Propulsion Laboratory George Ponchak NASA Lewis Research Center Roland Shaw Shason Microwave Corporation Editors December 15, 1996 National Aeronautics and Space Administration Jet Propulsion Laboratory California Institute of Technology Pasadena, California The research described in this publication was carried out by the Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, under a contract with the National Aeronautics and Space Administration. Reference herein to any specific commercial product, process, or service by trade name, trademark, manufacturer, or otherwise, does not constitute or imply its endorsement by the United States Government or the Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology.

Ответов - 93, стр: 1 2 3 4 5 All

milstar: 06.05.2011 Компания НПФ «МИКРАН» объявляет о наборе специалистов в совместное предприятие с Nokia Siemens Networks Nokia Siemens Networks открывает производство в России. В томской ОЭЗ будет развернуто совместное с НПФ «Микран» производство базовых станций для сетей мобильной связи четвертого поколения по технологии Long Term Evolution (LTE) и транспортных систем беспроводной и волоконно-оптической связи. http://www.micran.ru/news/

milstar: http://npp-pulsar.rosprom.org/files/fvr.doc Монолитные GaAs интегральные схемы многоразрядных СВЧ фазовращателей 3-х сантиметрового диапазона ФГУП НПП “ПУЛЬСАР” Москва, 105187 конт.тел. 095-366-59-61 Окружной проезд, 27 факс. 095-366-59-61 Контактное лицо: Сендерук Юрий Семенович e-mail: pulsar@dol.ru

milstar: Разработка и организация производства приемо-передающих модулей АФАР с использованием собственной электронной компонентной базы СВЧ 14.07.2011 · ПЕРВАЯ ЛИНИЯ · Комментарии (0) Виктор Гюнтер – генеральный директор и главный конструктор ЗАО «НПФ «Микран» Сергей Аржанов – первый заместитель генерального директора ЗАО «НПФ «Микран» Александр Баров – ведущий специалист отделения монолитных интегральных схем ЗАО «НПФ «Микран» В настоящей работе приведены результаты проектирования и производства четырехканального ППМ для БРЛС, выполненного на основе технологии многослойных СВЧ печатных плат. Данный подход, на наш взгляд, позволяет реализовать массовое производство ППМ для АФАР различного назначения при минимизации затрат и соответственно цены изделия. Технология активных фазированных антенных решеток (АФАР) на сегодня является доминирующей при построении радиоэлектронных систем различного назначения. Бортовой радар (БРЛС) истребителя 5-го поколения, построенный с использованием технологии АФАР – ее обязательный атрибут. Ключевыми элементами АФАР являются встроенные в излучатели антенны приемопередающие модули (ППМ), использующие арсенидогаллиевые монолитно-интегральные схемы (МИС СВЧ). Кроме технических проблем реализации АФАР, одним из недостатков, является высокая стоимость антенной решетки. Поэтому промышленное освоение и производство ППМ на специализированных СВЧ МИС со встроенной системой цифрового управления есть задача, которую необходимо решить Производители РЛС с АФАР По экспертной оценке. Мировой рынок РЛС с АФАР к 2015 г. составляет порядка 15 млрд. долл.США, На рис. 2 представлены основные фирмы-производители, наименования систем с АФАР и объекты на которых установлены данные РЛС. В настоящее время в России имеется два профилирующих предприятия по проблеме создания авиационных БРЛС с АФАР – ОАО «Научно-исследовательский институт приборостроения им. В.В. Тихомирова» и ОАО «Корпорация «Фазотрон-НИИР». Оба этих предприятия в течение многих лет известны как создатели практически всего радиолокационного оборудования для отечественной истребительной авиации. Соисполнителем создания АФАР, разрабатываемых НИИП им. В.В. Тихомирова является НПП «Исток» – ведущее предприятие электронной отрасли в СССР, а затем в РФ в области СВЧ электроники. НПФ «Микран» была создана в Томске в1991 г. на базе лаборатории СВЧ усилительных устройств Томского института систем управления и электроники (сейчас ТУСУР). К2002 г. предприятием был накоплен уровень компетенции в части разработки многофункциональных СВЧ модулей, цифровой обработки сигналов, модемных и аппаратных решений, позволивший приступить к созданию ППМ и собственного, специализированного комплекта СВЧ МИС для ППМ АФАР. Заказчиком ППМ для проекта БРЛС истребителя МиГ-35 «Жук-АЭ» была «Корпорация «Фазотрон-НИИР». По состоянию на конец2010 г. на предприятии работают около 1000 сотрудников, из них 30% – отделения НИОКР. Произведено и поставлено потребителям более 6000 цифровых радиорелейных станций, 500 единиц контрольно-измерительной аппаратуры (КИА) СВЧ диапазона собственной разработки, а предприятие заняло одно из ведущих мест по этим направлениям и сложно функциональным СВЧ модулям в России. Назначение ППМ в составе АФАР и требования к основным характеристикам Бортовая РЛС, построенная на основе АФАР, представляет собой дальнейшее развитие РЛС с пассивной ФАР. Структурные схемы БРЛС с ФАР и АФАР приведены на рис. 1. Отличительной чертой АФАР является перераспределение усиления из группового тракта приема и передачи в апертуру антенны за счет добавления нового элемента – приемопередающего модуля. В результате появляются новые возможности системы в сравнении с ФАР, такие как амплитудно-фазовое формирование лучей; улучшаются технические параметры: меньший шум-фактор приемника, меньшая мощность основного передатчика (становится возможным его твердотельное исполнение), в итоге – повышенный ресурс и надежность БРЛС. Следует отметить, что в целях снижения стоимости работ при создании АФАР возможно применение унификации как при создании ППМ, так и самих антенн на нескольких уровнях: по МИС СВЧ, по конструктиву ППМ, ремонтопригодности и измерению параметров, по питанию и системам управления, которых может быть несколько в зависимости от решаемых задач. В то же время не проще задача и создания специальной электронной компонентной базы СВЧ (ЭКБ СВЧ), а в ряде случаев и технологически более сложная. Таким образом, для создания ППМ и входящих в их состав ЭКБ СВЧ требуются значительные интеллектуальные и материальные ресурсы. Особенно остро этот вопрос стоит до сих пор перед отечественной радиоэлектронной отраслью, которой по известным причинам был нанесен огромный ущерб в 1990-е годы. Применительно к АФАР БРЛС, работающей в Х-диапазоне, можно так обозначить основные характеристики ППМ, которые являются уже типовыми: – полоса рабочих частот не менее 1–2 ГГц; – излучаемая мощность порядка 7–10 Вт, импульсный режим работы с переменной скважностью и длительностью; – коэффициент шума приемного тракта с устройством защиты не более 3 дБ; – раздельное цифровое управление амплитудой и фазой излучаемых и принимаемых СВЧ сигналов с обеспечением глубины и точности регулировки не менее 20 дБ (5 бит) по амплитуде и 360° (6 бит) по фазе; – минимальные тепловыделение и массогабаритные параметры. Ограничения на габаритные размеры ППМ определяются требованиями обеспечения постоянной решетки, которая близка к половине рабочей длины волны БРЛС (для Х-диапазона это 15–20 мм), соблюдение последних приводит к необходимости применения только бескорпусных функциональных элементов СВЧ тракта и конструктивно-технологических приемов c максимально плотной упаковкой. Уровень выходной мощности ППМ обеспечивается твердотельным усилителем с КПД порядка 30–40% (типовая величина подобных МИС) при общем количестве ППМ в составе решетки 1000–2000 шт. Эти условия требуют применения эффективной системы охлаждения АФАР (как правило, жидкостной). Сложность решаемой задачи повышает и необходимость применения ступенчатой секционной системы вторичных источников питания и подвода линий питания и управления к полотну АФАР, так что в целом БРЛС с АФАР представляет собой чрезвычайно сложную комплексную радиотехническую систему. Функциональная схема ППМ На рис. 3 приведена функциональная схема ППМ, представляющая реализованную структурную схему приемного и передающего СВЧ трактов, также управляющего модуля. Управление амплитудой и фазой излучаемого и отраженного сигнала производится в общем тракте за счет включения в схему трех СВЧ коммутаторов. На наш взгляд данная функциональная схема обладает рядом преимуществ по сравнению с другими возможными вариантами, в частности со схемой, предложенной в: – минимизируется количество управляемых МИС и, следовательно, цепей управления; – значительно упрощается система калибровки АФАР в целом, так как температурные и частотные погрешности управления амплитудой и фазой в ВМ можно откалибровать в режиме работы на прием; – данное решение позволяет обеспечить необходимый уровень развязки между приемным и передающим трактом, так как электрически управляемый выходной коммутатор, по сравнению с циркулятором, обеспечивает большую развязку, не зависящую от согласования с облучателем. Ограничения на массогабаритные показатели ППМ определяют использование в его СВЧ тракте только специализированных МИС СВЧ. Для комплектования ППМ Х-диапазона ряд зарубежных фирм провел разработки и освоил производство полного набора МИС функциональных элементов. Примером набора МИС могут служить схемы, производимые на момент начала наших работ фирмами MaCom, Triquint, UMS. Причем, ряд типов этих специализированных МИС находились под запретом для продажи в другие страны, что существенно ограничивало развитие систем АФАР «сторонними организациями» на мировом рынке. Разработка комплекта GaAs МИС функциональных элементов ППМ Функциональные элементы СВЧ тракта ППМ разделяются на управляющие и активные (усилительные). К управляющим элементам относятся коммутаторы, дискретный аттенюатор, дискретный фазовращатель. К активным: МШУ, УМ и буферные усилители. Первоначально, развитие ППМ тематики у всех производителей происходило по пути разработки и изготовления ряда «дискретно функциональных» МИС перечисленных выше и возможных способов упаковки их в общий функциональный блок. Например, в первом варианте ППМ для «Жук-АЭ» использовалось 12 «дискретно функциональных» МИС СВЧ на один канал. Разработка этих МИС производилась силами НПФ «Микран» с использованием технологической базы томского ОАО «НИИПП». С получением опыта, развития схемотехники и технологии изготовления МИС количество кристаллов на один канал ППМ сокращается до трех типов: МИС УМ, МИС МШУ и многофункциональная МИС с дискретным управлением амплитудой и фазой ППМ – векторный манипулятор (ВМ) (рис. 3). Такое разбитие логично и обусловлено, в первую очередь, требованием к различным конструкциям полупроводниковых пластин, на которых выполняются данные МИС. Схемотехника УМ требует больших пробивных напряжений на активном элементе с целью получения необходимой выходной мощности ППМ; для МШУ требуется другая структура полупроводниковой пластины с целью обеспечения минимума вносимого собственного шума приемника; многофункциональная МИС кроме аттенюатора, фазовращателя, коммутаторов должна содержать схемы сопряжения с внешним цифровым управлением – для этого требуется как правило третья полупроводниковая конструкция. В рамках решения этой ключевой задачи НПФ «Микран» в настоящее время разрабатывает и осваивает в производстве необходимые GaAs МИС СВЧ по технологии p-HEMT на собственной технологической линии, укомплектованной и запущенной в эксплуатацию в2009 г. На рис. 4 представлены образцы МИС СВЧ, разработанные и изготавливаемые на предприятии. Конструкция группового ППМ Конструкция группового четырехканального ППМ основана на применении общей многослойной СВЧ печатной платы. МИС УМ располагается на отдельных термокомпенсационных основаниях в «окнах» печатной платы. Данное решение позволяет в максимальной степени применить в производственном процессе хорошо отработанные стандартные автоматизированные сборочные операции, а, следовательно, обеспечить минимизацию себестоимости изделий. А именно: единый сборочный цикл всех четырех каналов ГППМ и схемы управления на общей плате; поверхностный монтаж корпусированных элементов; монтаж и ультразвуковая разварка бескорпусных СВЧ МИС. При этом замена любого элемента максимально облегчена и полностью встраивается в сборочный цикл. Пример компоновки четырехканального ППМ показан на рис. 5. Массогабаритные параметры ППМ согласованы с общей компоновкой АФАР. ГППМ имеет герметичный алюминиевый корпус, плоское дно которого крепится к теплоотводящему радиатору полотна АФАР. Преимуществом данной конструкции ППМ является то, что он инвариантен к месту расположения в полотне АФАР. ППМ легко монтируется со стороны облучателя, что облегчает регламентные работы и обслуживание в условиях ремонтной организации без демонтажа АФАР. На рис. 6 приводится последовательность разработки и производства БРЛС «Жук-АЭ»: МИС СВЧ-ППМ – полотно АФАР – РЛС – истребитель МиГ-35. Построение схемы БККУ и принцип группового ППМ Блок контроля, коммутации и управления (БККУ) ППМ предназначен для прицентральной вычислительной системы (ЦВС) БРЛС, а также для передачи в нее информации о состоянии ППМ. БККУ выполняет следующие операции управления и диагностики ППМ: – принимает от ЦВС значение кодов фаз и амплитуд на прием и передачу для следующего такта работы БРЛС; сигнал переключения ППМ из режима приема в режим передачи и обратно; команду контроля состояния ППМ; – выдает сигналы в ЦВС: диагностические сообщения о состоянии ППМ (температура, выходной уровень излучения); информацию состояния управляющих регистров аттенюаторов и фазовращателей; сигнал контроля содержимого регистра состояния. Ядро схемы БККУ реализуется на основе заказной кремниевой СБИС. На первых этапах отработки функционирования БККУ ядро реализовано на ПЛИС. Для обеспечения точности амплитудных и фазовых сдвигов в диапазоне рабочих частот и температур в схеме БККУ предусмотрена запись матрицы состояний (коды управления аттенюатором и фазовращателем) во встроенную внутреннюю память. Это обеспечивает соответствие реальных изменений коэффициента усиления по амплитуде и фазе требуемым протоколом управления амплитудным и фазовым сдвигам. Информация записывается в память при проведении калибровки ППМ. Производительность современных СБИС позволяет построить схему БККУ общей для нескольких, как правило, четырех ППМ. Этот прием позволяет конструктивно и схемотехнически объединить их в одном корпусе, групповом ППМ (ГППМ), а схема БККУ является общей для всех четырех каналов и обеспечивает независимое управление ими по амплитуде и фазе. Оборудование для тестирования и поверки параметров ППМ В промышленном производстве любого электронного изделия особое внимание уделяется вопросам контроля электрических характеристик. Для сложных, комплексированых изделий полный контроль зачастую не оправдан и/или затруднен в силу сложности изделия и/или трудоемкости измерений стандартным парком универсальных измерительных приборов. С целью повышения производительности актуальна задача оптимизации затрат на контроль параметров при изготовлении изделия. Задача решается в двух направлениях. Во-первых, при промышленном производстве проводится не весь спектр измерений, а выбирается ряд обязательно контролируемых характеристик по которым, с большой долей вероятности, можно принимать решение о соответствии изготовленного изделия заданным требованиям. Во-вторых, минимизируют время, необходимое для проведения измерений этих характеристик. Применительно к производству ППМ АФАР обязательному контролю подлежит амплитудно-фазовая регулировочная характеристика. Достаточными интегральными характеристиками СВЧ приемного тракта выступают параметры АЧХ и коэффициента шума; а для передающего СВЧ тракта – параметры АЧХ и уровня выходной мощности. Минимизация временного фактора осуществляется путем создания специализи-рованных рабочих мест, где сгруппирован парк необходимых контрольно-измерительных приборов и приспособлений по оперативной поверке параметров производимого изделия с максимальной автоматизацией процесса. Необходимо отметить ряд особенностей по структуре рабочего места, режимам работы и измерения перечисленных параметров ППМ АФАР. – ППМ-устройство двунаправленное. При включении в СВЧ измерительный тракт, необходимо производить комплексный обмер в диапазоне частот как передающего, так и приемного канала. Рабочее место по поверке параметров строится на основе векторного анализатора СВЧ цепей. Уровень мощности на передачу может достигать десятки ватт, а уровень зондирующего сигнала на вход приемника должен составлять десятки микроватт, что требует доработки измерительного тракта большинства универсальных векторных анализаторов цепей. Следует заметить, что доработка (включение дополнительных аттенюаторов) приводит к потере ряда функций векторного анализатора, таких как измерение коэффициента отражения, которая, в конечном итоге сказывается на метрологической точности стандартных алгоритмов измерений; – Режим работы передающего канала ППМ импульсный. Измерение параметров АЧХ и выходной мощности производится в режимах, близких к рабочим. Имевшийся на момент разработки ППМ парк универсальных импульсных векторных анализаторов цепей (например, серии PNA фирмы Agilent) измеряют комплексный коэффициент передачи импульсов длительность от 20 нсек, но они построены по схеме цифрового стробоскопического преобразователя, и, в силу этого, имеют ряд метрологических особенностей не всегда способных адекватно отражать процессы в ППМ при мгновенной смене режимов работы. – Управление состояниями ППМ осуществляется по уникальному цифровому интерфейсу и протоколу. Для автоматизации процесса измерений обязательно наличие дополнительного устройства – эмулятора шины управления (ЭШУ), который позволяет связать ППМ со стандартной шиной межприборного взаимодействия. – Синхронизация работы и процесса измерения ППМ в типовой конфигурации рабочего места на базе универсального импульсного анализатора цепей (типа Agilent E8362B) осуществляется за счет внешних генераторов сигналов, что требует дополнительных приборов и усложняют систему управления процессом измерения. – Количество амплитудно-фазовых состояний одного канала ППМ составляет 4096. Оценка времени измерения одного ППМ с помощью универсального парка измерительных приборов составляет десятки минут. Из изложенного выше следует, что построение рабочего места на базе универсальных измерительных приборов необходимо с метрологической стороны, но такие стенды, укомплектованные зарубежной измерительной техникой не оптимальны и дороги, с точки зрения организации промышленного производства ППМ. В результате анализа требований к рабочему месту на базе функциональных узлов собственного (НПФ «Микран») изготовления был разработан специализированный измерительный комплекс по поверке параметров ППМ и изготовлены опытные образцы этих устройств. Разработанные измерительные комплексы относятся к технологическому оборудованию, которое предназначено оптимизировать время тестирования ППМ. Комплексы тестирования параметров ППМ, позволяющие обеспечить время тестирования всех состояний канала ППМ с протоколированием и паспортизации результатов, успешно применялись для выпуска партии групповых ППМ бортовой АФАР «Жук-АЭ». Упрощенная структурная схема специализированного измерительного комплекса представлена на рис. 7. Комплекс состоит из: формирователя зондирующего сигнала (ФЗС); измерительных приемников опорного и выходного сигнала; коммутатора направления измерений (КН); эмулятора шины управления (ЭШУ). Управление всеми режимами работы и отображение результатов измерений осуществляется на персональном компьютере (ПЭВМ). В структурной схеме не показан независимый блок источников питания, который интегрируется в комплекс и позволяет контролировать процесс включения/выключения питающих напряжений и потребляемых токов посредством ПЭВМ. Особенностью построения функциональных узлов комплекса является следующее. – Формирование зондирующего сигнала осуществляется цифровым способом с последующим переносом в диапазон рабочих частот ППМ. Благодаря этому, в качестве зондирующего сигнала может быть оперативно сформирован любой тип сигнала, необходимый для проведения измерений (однотоновый, двухтоновый, шумовой). – Измерительные приемники построены по схеме с цифровым формированием квадратур, что потенциально позволяет измерять точность фазы до десятых долей градуса и амплитуду до десятых долей децибела за один импульс излучения ППМ. – Измерительные приемники имеют достаточную буферную память для временного хранения информации цикла измерений без обращения к ПЭВМ. – Синхронизация процесса измерения и изменения режима работы ППМ производится по внутренним квитирующим линиям. Перечисленные особенности, во-первых, позволяют значительно сократить время измерения основных параметров ППМ, во-вторых, обеспечивают возможность дополнительного измерения шумовых и динамических характеристик СВЧ тракта ППМ. Экспериментально установленное время измерения, обработки и отображения на экране ПЭВМ всех состояний комплексного коэффициента передачи ППМ в режиме передачи и приема (4096 переключений) на четырех частотных точках при длительности импульса зондирующего сигнала 2 мксек составляет 2 секунды. На рис. 8 представлено рабочее место тестирования параметров ППМ. Оператор в интерактивном режиме может управлять состоянием ППМ и режимом измерения, а также наблюдать измеренное значение комплексного коэффициента передачи, амплитудно-фазовую регулировочную характеристику и векторную диаграмму состояний ППМ на выбранной частоте. На рис. 9 представлен интерфейс программы управления. Кроме отображения результатов измерений программа управления производит вычисление кодов компенсации паразитной амплитудно-фазовой конверсии регулировочной характеристики и записывает эти значения во внутреннюю энергонезависимую память ППМ, с последующим контролем внесенных значений. Реализована статистическая обработка измерений и электронная паспортизация базы данных. Опыт эксплуатации и решение задач по оптимизации процедуры тестирования и настройки полотна АФАР показывают, что разработанный комплекс можно использовать и для измерения рабочих параметров РЛС. Комментарии http://www.media-phazotron.ru/?p=271

milstar: ress Release Singapore – June 20, 2011 Nokia Siemens Networks boosts base station power for greater capacity New radio module provides 40% performance improvement at edge of cell while carriers can be distributed across 60 MHz frequency band range Nokia Siemens Networks has expanded its Liquid Radio architecture* by launching a new, high power radio module for its Flexi Multiradio Base Station family** at CommunicAsia 2011 in Singapore. The higher output power means that the module offers greater GSM coverage and increased 3G data capacity at the edge of cells, providing an overall 40% increase in performance. This provides operators with the ability to efficiently enhance their network. In addition, the ability of the new radio module to allocate carriers frequencies across a broad 60 MHz range reduces the size of hardware required per base station site allowing more flexibility in deployment. In mobile networks, the radio module is the part of a base station that amplifies each individual radio signal before broadcasting it from an antenna. Due to its higher output power, the new module improves the signal used to transmit voice or data to a mobile phone user. This directly increases how much useful information the signal can carry or the number of people for whom it can provide a connection. Nokia Siemens Networks’ all in one radio module can be used for all installation types, such as indoor, outdoor, distributed, mast pole and 6-sector sites***, and it can provide up to 240 watts output power per sector, or provide 80 watts output to each of three sectors. ###################################################### w diapazone 2.6 ghz S band Aegis 3.1ghz -3.45 ghz ,polnaja pfar 4350 elementow na 1 storonu pl 10 kw.metrow http://www.lockheedmartin.com/data/assets/ms2/pdf/SPY-1_Family Esli wipolnit AFAR to sr. moschnost 80-120 watt * 4350 budet okolo .5 megawatt ######################################################## (srednjaa moschnost Don -2N ,Cobra Dane ,SBX 1 megawatt) Xoroschaja wozmoznost diversifikazii i wozmoznogo snizenija stoimosti PA ################################################# Diapazon S wazen dlja flota ,kak wsepogodnij w kombinazii s X ############################################## It is also capable of allocating carriers within a 60 MHz range, which is particularly useful for operators with fragmented frequency bands. The module supports any combination of GSM, 3G, LTE or LTE-Advanced technologies in a single unit, significantly further reducing the hardware units a site may need. “Our new radio module is especially suited for refarming GSM frequency bands for HSPA+ and LTE services and network sharing deployments,” said Thorsten Robrecht, head of Network Systems product management at Nokia Siemens Networks. “Moreover, we are the only vendor to combine the capacity to drive three remote radio heads – or sectors – into a single 25-liter unit, offering a smooth evolution for compact multiradio sites with lower power consumption.” Nokia Siemens Networks’ radio module is also the only three-sector remote radio unit in the industry that can be placed next to an antenna, enabling a light multiradio set-up in limited spaces and sites, which cannot be equipped with traditional base stations. The first frequency variants of the new radio module – including on the 900, 900 J, 1800 and 2100 frequency bands – will be available for commercial deployment at the beginning of 2012. Further variants will be rolled out during the first half of 2012. About Nokia Siemens Networks Nokia Siemens Networks is a leading global enabler of telecommunications services. With its focus on innovation and sustainability, the company provides a complete portfolio of mobile, Nokia Siemens Networks Media Relations PO Box 1 FI-02022 Nokia Siemens Networks http://www.nokiasiemensnetworks.com/news-events/press-room/press-releases/nokia-siemens-networks-boosts-base-station-power-for-greater-capacity

milstar: http://www.elcomdesign.ru/market/interview_18.html Micran, GaAS MMIC/PPM dlja MiG-35 AFAR Zuk

milstar: SOLAR ARRAY TRADES BETWEEN VERY HIGH-EFFICIENCY MULTI-JUNCTION AND Si SPACE SOLAR CELLS http://www.emcore.com/assets/photovoltaics/Paper_Navid_9-22-00.pdf

milstar: thickness can be converted to that of normalized maximum power with the coverglass thickness, as shown in Fig. 6. It can be seen that the normalized maximum power at the end of the 15-year mission in GEO earth orbit increases with the increasing thickness of the solar array coverglass. The power of the triple-junction cell will decrease to about 60% of the original power if uncovered by silica glass, while the use of a 500 мm thickness of silica glass will increase the end power of the 15-year mission to about 70% of the original power. However the effects of the coverglass thickness and electron radiation-induced color centers on the transmittivity of sunlight were not included in the analysis. http://esmat.esa.int/Materials_News/ISME09/pdf/2-Radiation/Poster%20Radiation%20and%20Charging%20Effects%20-%20Yang.pdf

milstar: http://www.thalesgroup.com/assets/0/93/238/67133822-a8e8-4f6d-8512-9d3f7e371fdd.pdf?LangType=2057

milstar: http://www.gaasmantech.org/Digests/2006/2006%20Digests/3D.pdf KORRIGAN: Development of GaN HEMT Technology in Europe G. Gauthier1 and F. Reptin2 1Thales Airborne Systems, 2 av. Gay-Lussac, 78851 Elancourt, France +33(0)1 34 81 91 30, gildas.gauthier@fr.thalesgroup.com. 2DGA/DET/PCO, 4 bis rue de la Porte d’Issy, 75509 Paris, France +33(0)1 45 52 49 34, francois.reptin@dga.defense.gouv.fr KORRIGAN BACKGROUND KORRIGAN is a large-scale European joint Research and Technology Project performed within the EUROPA framework and targeting CEPA2 objectives aiming at the development of microelectronics components. Seven nations are contributing to KORRIGAN: France also acting as the MOD management group, Italy, The Netherlands, Germany, Spain, Sweden and the United Kingdom. The KORRIGAN consortium, placed under the lead of Thales Airborne Systems (France), consists of 29 partners from the 7 contributing nations providing all the necessary competence in all key areas dedicated to semiconductor technologies such as substrate growth, device processing, circuit design and modelling, circuit packaging and integration. Also, in order to increase the project efficiency, the KORRIGAN consortium will share a very large number of test equipment, as well as characterisation and evaluation means. KORRIGAN OBJECTIVES The main objective of KORRIGAN is to develop a stand alone European supply chain and capability for GaN HEMT technology which will provide all major European defence industries with reliable state-of-the-art GaN foundries services. For that purpose, there are four major technical objectives: • To establish a European supply chain for the manufacture of GaN HEMT devices and MMICs. • To assess the reliability and reproducibility of existing GaN device technologies within Europe in order to identify preferred processing options. • To demonstrate the technology and the supply chain through the fabrication and testing of selected demonstrators for key S-band, X-band and wide-band applications. • To evaluate the benefit of the technology at system level. edicated to materials, device and circuit processing technologies, reliability evaluation, thermal management and packaging solutions. Several demonstrators will be designed to validate GaN technology for various applications: S-band HPA, X-band and wideband HPA, LNA and switches.

milstar: http://www.3-5lab.fr/Scope6.htm III-V Lab is located in two facilities, in Marcoussis and Palaiseau, about 25 km south of Paris

milstar: http://www.ums-gaas.com/ http://www.ums-gaas.com/telechargement/UMS%20GaN%20flyer.pdf

milstar: http://www.es.northropgrumman.com/solutions/mantech/assets/mantech.pdf

milstar: The AAM-4B is fitted with a missile seeker featuring Active Electronically-Scanned Array (AESA) radar and a greatly improved data link. The AAM-4B will be coupled with enhanced J/APG-2 radar that gives pilots a detection range far superior to what they have now. Analysts believe that the AAM-4B will be deployed as a replacement for the Mitsubishi Electric license- built AIM-7F/M Sparrow’s now in service, a missile that was still in production as late as 2010. http://defense-update.com/20120314_japan-making-its-f-2-fighter-fleet-more-lethal.html

milstar: АФАР 27.25-27.5 ghz 28 сантиметров,1700 элементов http://ntrs.nasa.gov/archive/nasa/casi.ntrs.nasa.gov/20050215644_2005218525.pdf AEHF антенна передатчика InPhi АФАР 20 Ghz с заполнением h/2 более 10 000 элементов http://www.as.northropgrumman.com/products/aehf/assets/AEHF_datasheet.pdf

milstar: News | June 5, 2013 Northrop Grumman Begins Sampling New Gallium Nitride Packaged Power Amplifier For Military, Commercial High-Power Amplifier Needs ... "This amplifier is produced in Northrop Grumman's advanced microelectronics wafer fabrication facility in Manhattan Beach, Calif., which has provided large volumes of compound semiconductor products to both military and commercial customers for more than 20 years," Kropschot said. "We are targeting the APN180FP for the growing Ka-band satellite communication terminal and the commercial wireless infrastructure markets." Product description: The APN180FP is a 0.2 mm GaN HEMT MMIC power amplifier chip mounted in a flange mount package. It operates at between 27 and 31 GHz and is optimized for operation between 29-31 GHz. This power amplifier operates with a drain voltage of +28V and provides 21 dB of linear gain, +37 dBm (5.0 W) of output power at 1 dB gain compression and +39 dBm (8 W) in saturation with Power Added Efficiency (PAE) of 26 percent at midband. For less-demanding applications, the APN180FP can be operated from a drain voltage as low as +20V while still producing +37 dBm (5 W) of saturated output power. Samples are available now. Preproduction quantities will be available in July. Production quantities will be available in the fourth quarter of 2013. http://www.rfglobalnet.com/Doc/northrop-grumman-gallium-nitride-military-high-power-amplifier-needs-0001

milstar: MELVILLE, N.Y., 15 April 2013. Comtech PST Corp. in Melville, N.Y., is introducing the BME69189-20 high-power-density solid-state RF module for electronic warfare, radar transmitters, and communications applications where space, cooling, and power are limited. The integrated RF gallium nitride (GaN) 6-to-18 GHz RF amplifier for RF and microwave applications has a of more than 20 Watts; gain at 20 Watts of more than 41 decibels; maximum RF input overdrive of 10 dbm; and built-in test that includes composite fault indication, over current, and over voltage. The RF GaN amplifier has a seven-pin DC control interface; DC input of 28 volts DC; standby power of 35 Watts; DC to RF efficiency of 14 percent; operates in temperatures from -50 to 55 degrees Celsius at the baseplate; and meets MIL-STD-810F for shock and vibration. http://www.militaryaerospace.com/articles/2013/04/Comtech-RF-amplifier.html

milstar: Advertisement In Print October 2014 Digital Edition Online Edition Featured DARPA’s Mobile Hotspot Program Drives E-Band Performance Benchmarks Featured 765 MHz BW PXI Signal Analyzer Featured Measurement of an Active Radar Module in a Compact Antenna Test Range The MWJ Buyer's Guide Pickering Interfaces Logo Click this featured vendor's logo for the latest RF/microwave products, catalogs, brochures and company news. Visit Buyer's Guide | Get Your Company Listed Popular Most Viewed Recent Comments DARPA’s Mobile Hotspot Program Drives E-Band Performance Benchmarks Freescale modernizes microwave oven industry with solid-state RF power Mercury Systems to define new RF and microwave standard with OpenRFM Qualcomm to acquire CSR Pico Technology releases four-channel 20 GHz sampling oscilloscope Advertisement Multimedia Images Videos Interview with Wolfgang Heinrich, President of EuMA EuMW 2014 Rome, Italy More Multimedia Will RF Industry Consolidation Continue? Yes, at the same furious pace Yes, but at a slower pace No, I can't take anymore Answer View Results Poll Archive Home » DARPA’s Mobile Hotspot Program Drives E-Band Performance Benchmarks Aerospace and Defense Channel DARPA’s Mobile Hotspot Program Drives E-Band Performance Benchmarks http://www.microwavejournal.com/articles/23121-darpas-mobile-hotspot-program-drives-e-band-performance-benchmarks Essentially all of the Mobile Hotspot’s equipment in the L-3 design will be packaged into two underwing pods with the discovery and LTE antennas located at the wingtips and in the tail sections for isolation and spatial performance. Each pod contains several RF subsystems. Each pod contains two gimbaled mmWave radios, fore and aft; GPS antennas and IMUs; as well as associated power supplies. A total of four mmWave radios will provide the gigabit directional links with as wide an operating field-of-view (FOV) as possible. The remaining functions are split between pods, the primary network router in one and the discovery and LTE subsystems in the other – resulting in a good balance of weight and power between the two pods. Nominally, the mass of each pod is about 10 to 12 kg and each requires about 200 to 500 W depending on the operating mode Implementation of Mobile Hotspots is a marvel when these demands on the management of the backbone network are fully appreciated, further recognizing that the network is autonomous and self-forming as new nodes are deployed or replaced. The ability to then tie in and extend the network with LTE will enable multiple “Hotspots” over 1,000 square miles of area to be connected within hours. For the user, these features create a virtual network with high availability that provides a broadband Internet-like experience, leveraging the millimeter-wave gigabit links as the core transport mechanism. The original objective of the power amplifier was to demonstrate 10 W (20 W goal) in each of the two E-Band allocations, 71 to 76 and 81 to 86 GHz. Millitech proposed use of HRL’s then in-process second generation GaN MMICs allowing for the potential to incorporate any suitable device should the opportunity arise. The approach was to design an integrated, highly efficient power combining scheme which we had been refined from spaceborne applications over recent years. Millitech had already demonstrated 0.7 dB of total loss divide and combined for an eight-way or 0.35 dB of combining loss (92 percent efficiency) Measured results are shown in Figure 3. The final results of this Phase 1 activity resulted in the power amplifier performance exceeding the requirement for both the lower and upper allocation and approaching the 20 W goal by delivering 17 W at 74 GHz with nearly 25 percent PAE (see Figure 4). Note that the PAE figures include DC bias distribution. In addition to power and efficiency, size was another critical SWAP parameter. Each complete SSPA module was about the size of an iPhone with dimensions of 2.2" × 3.7" × 0.5" overall (<4.0 in3) (see Figure 5). As part of Phase 1, BAE implemented their 50 nm mHEMT process in the design of a single LNA to cover both of the E-Band allocations. Millitech was enlisted by BAE to demonstrate the mounted-in-module performance. The results exceeded expectations, demonstrating the best seen MMIC based noise figures across very wide bandwidths. Nominally 2 dB noise figure was measured in each allocation at room temperature. A very flat gain response was measured to be below 2 dB in the 71 to 76 GHz allocation (see Figure 6). Worth noting is that the noise figure and gain behaved well and were maintained down to 40 GHz. These accomplishments represent new industry performance benchmarks for solid state power capability and noise figure. Millitech looks forward to repeating and even enhancing this performance during phase 2. This work in mmWave performance, fostered by DARPA, will also provide substantial benefit to commercial mmWave communications.

milstar: В таблице 2 приведены основные виды электровакуумных СВЧ приборов и устройств, имеющие мировой и российский приоритет, технические и технологические решения которых защищены патентами Российской Федерации. По совокупности своих технических и эксплуатационных характеристик эти приборы являются лучшими в своих классах и определяют мировой технический уровень. В таблице приведены области применения этих СВЧ приборов, лидирующие предприятия-разработчики и изготовители, а также представлены применяемые для этих же целей приборы за рубежом и их изготовители. http://www.hse.ru/data/2013/02/12/1308493137/СПИ%20ТП%20СВЧ%20технологии%2025%2012%202012.pdf СТРАТЕГИЧЕСКАЯ ПРОГРАММА ИССЛЕДОВАНИЙ технологической платформы «СВЧ технологии» Утверждена 17 декабря 2012 года на заседании Наблюдательного совета технологической платформы «СВЧ технологии» под председательством А.С. Якунина Директора Департамента радиоэлектронной промышленности Министерства промышленности и торговли Российской Федерации Основными потребителями СВЧ приборов и устройств являются предприятия ОПК радиоэлектронного профиля, разрабатывающие и серийно выпускающие радиоэлектронную аппаратуру прежде всего военного и, наряду с ней, аппаратуру двойного и (или) гражданского назначения. Наиболее крупными из них, формирующими рынок радиоэлектронной военной продукции являются предприятия, входящие в ОАО «Концерн ПВО «Алмаз-Антей» (ОАО ГСКБ «Алмаз-Антей» (Москва), ОАО «НИИ приборостроения им. В.В.Тихомирова» (Жуковский Московской обл.), ФГУП «ГРПЗ» (Рязань), ОАО «НИИ «Стрела» (Тула), ОАО МНИИ «Альтаир», ОАО «ВНИИРТ» (Москва), ОАО «ННИИРТ» (Нижний Новгород), а также ОАО «КБП» (Тула), ОАО «КБМ» (Коломна Московской обл.), ОАО «ЦКБА» (Омск), ФГУП «КНИРТИ» (Жуков Калужской обл.), ОАО «Корпорация «Тактической ракетной вооружение», ОАО ГосМКБ «Вымпел», ОАО ГосМКБ «Факел», ОАО «Российские космические системы», ФГУП «ЦНИИ «Комета» (Москва) и др. Разрабатываемые и выпускаемые ими системы радиоэлектронного вооружения на период до 2020 года будут в основном определять загруженность предприятий ОПК, в том числе и СВЧ подотрасли. Только по номенклатуре ФГУП «НПП «Исток» (Фрязино Московской обл.), разрабатывающему и серийно выпускающему СВЧ приборы и устройства для более 100 образцов современного и перспективного вооружения, объемы производства к 2017-2018 гг. планируется увеличить: по кристальному производству транзисторов и МИС СВЧ  в 26 раз; по производству модулей СВЧ, в том числе для АФАР  в 12 раз; по электровакуумным СВЧ приборам и КИ СВЧ  в 2,3 раза; по радиоэлектронным устройствам  в 4 раза.

milstar: 10 W and 18 W devices available in low-cost, surface mount 32-lead 5 x 5 mm AIN QFN packages Richardson RFPD Inc. announced the availability and full design support capabilities for two 2.7 to 3.7 GHz packaged GaN power amplifiers from TriQuint. The TGA2583-SM and TGA2585-SM are designed using TriQuint’s production 0.25-μm GaN on SiC process. The new devices can operate under both pulse and continuous wave (CW) conditions, and both feature RF ports that are fully matched to 50 ohms with integrated DC blocking capacitors for simple system integration. The new GaN PAs are ideally suited to support commercial and defense-related S-band radar applications. The TGA2583-SM and TGA2585-SM are available in low-cost, surface mount 32-lead 5 x 5 mm AIN QFN packages. Earlier in 2014, Richardson RFPD introduced die versions of these parts: the TGA2583 and TGA2585. According to TriQuint, additional key features of the 2.7–3.7 GHz GaN PAs include: http://www.microwavejournal.com/articles/23475-gan-power-amplifiers-tga2583-sm-tga2585-sm?utm_source=Microwave+Advisor_Newsletter_20141216&utm_medium=OMAIL

milstar: ЗАО «НПП «Планета-Аргали http://www.argall.ru/info.html http://www.novgorod.net/~argall/files/SEMENOVA.pdf

полная версия страницы