GaAS MMIC for military/space application (продолжение)

Форум » Дискуссии » GaAS MMIC for military/space application (продолжение) » Ответить

GaAS MMIC for military/space application (продолжение)

milstar: http://parts.jpl.nasa.gov/mmic/mmic_complete.pdf JPL Publication 96-25 GaAs MMIC Reliability Assurance Guideline forSpace Applications Sammy Kayali Jet Propulsion Laboratory George Ponchak NASA Lewis Research Center Roland Shaw Shason Microwave Corporation Editors December 15, 1996 National Aeronautics and Space Administration Jet Propulsion Laboratory California Institute of Technology Pasadena, California The research described in this publication was carried out by the Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, under a contract with the National Aeronautics and Space Administration. Reference herein to any specific commercial product, process, or service by trade name, trademark, manufacturer, or otherwise, does not constitute or imply its endorsement by the United States Government or the Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology.

Ответов - 93, стр: 1 2 3 4 5 All

milstar: These developments have reached the point where it is now possible to build a low-cost 35 GHz phased array for a missile seeker costing $30/element (total cost of array including all electronics divided by the number of elements). This is made possible because integration allows the whole T/R module to be put on a single chip. For some applications, it will soon be possible to put multiple receivers or transmitters on a single chip. http://www.mwjournal.com/Journal/article.asp?HH_ID=AR_5352

milstar: Wozmozno ysilit' potenzial GaAS/GaN industrii Rossii Kroem AFAR dlja woennix celej ,est' rjad grazdanskix primenij Количество сотовых абонентов в РФ выросло за февраль на 2 миллиона 20:19 23/03/2010 МОСКВА, 23 мар - РИА Новости. Абонентская база операторов сотовой связи РФ по итогам февраля 2010 года составила 210,05 миллиона пользователей против 208,33 миллиона по состоянию на 31 января 2010 года. Такие данные приводятся в отчете аналитической компании AC&M Consulting. Уровень проникновения сотовой связи вырос до 144,7% с 143,5% по итогам января. В Москве количество абонентов достигло 32,69 миллиона, проникновение в столице увеличилось до 192,5% (в январе - 190,4%). Лидером по доле рынка на конец отчетного периода стал оператор МТС (30,7%), за которым следуют "Вымпелком" (бренд "Билайн, 22,9%) и "Мегафон" (22,8%). На столичном рынке наибольшую долю занимает также МТС (41,3%); у "Вымпелкома" и "Мегафона" 34,3% и 22,7% соответственно. Количество российских абонентов оператора МТС выросло до 69,2 миллиона с 68,9 миллиона по итогам января. У "Вымпелкома" количество российских абонентов составило 51,5 миллиона, база "Мегафона" выросла до 51,2 миллиона подписчиков с 50,6 миллиона в январе 2010 года. Четвертое место по количеству абонентов занимает оператор Tele2 (не представлен в Москве, 14,95 миллиона подписчиков), за ним следует "Уралсвязьинформ" с 5,77 миллиона абонентов.

milstar: Phazotron contracted NPF Mikran at Tomsk, a semiconductor manufacturer, with support from the Tomsk Electronics University, to develop the Gallium Arsenide MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits) technology for the radar's critical TR Modules. http://www.ausairpower.net/APA-Zhuk-AE-Analysis.html

milstar: 3. СВЧ электроника В области создания электронной компонентной базы СВЧ и изделий на их основе НПФ «Микран» имеет многолетний опыт разработки и производства чрезвычайно широкой номенклатуры одно- и многофункциональных модулей СВЧ в монолитном и гибридно-монолитном исполнении, для аппаратуры связи, радиолокации и приборостроения. В частности, для РЛС истребителя МИГ-35 на предприятии создан и проходит успешно летные испытания в составе АФАР приемо-передающий модуль. Создана новая пилотная линия на основе высокотехнологичного импортного оборудования, предназначенная для освоения технологии МИС на базе p-HEMT транзисторов с проектной нормой 0.35–0.5 мкм. Производительность линии в конце 2009 года составила не менее 150 пластин диаметром 76,2 мм в месяц. Ведётся отработка технологии p-HEMT транзисторов и МИС на их основе, готовится технологическая документация. http://www.micran.ru/about/activity/ Ochewidno neobxodimo dobawit' im sredstw/eto ne tak dorogo/ dlja texnologij srawnimix s www.triquint.com

milstar: The power rating and PAE (Power Added Efficiency) of the driver transistor was considered another issue, with initial estimation at 6 to 8 Watts CW (12 to 16 Watts peak at 50% duty cycle). The small size of the aircraft and its limited power and cooling capacity were seen to be serious constraints. The drive transistors are operated in A-class to provide best possible linearity, with a performance penalty in a design with an overall PAE of 22% to 25%. C-class operation was rejected due to its adverse impact on signal purity. http://www.ausairpower.net/APA-Zhuk-AE-Analysis.html

milstar: Phazotron have stated, not surprisingly, that the biggest difficulties were encountered in engineering the TR modules. The approach taken after evaluating dozens of alternatives was to integrate four TR channels into a single "quad" module, as this was found to be the most practical tradeoff. An interesting observation is that this is a scheme identical to that used for first generation AESAs by US designers in the late 1980s, followed by the TR "stick module" scheme used in early US production AESAs. Thermal management proved to be the single most difficult problem, and Phazotron claim to have finally produced a design with very high heat transfer efficiency.

milstar: Phazotron appear to be exploring digital beamforming techniques in what Chief Designer Dolgachev describes as a two stage processing scheme, with initial beamforming performed in the AESA, and additional beamforming in the digital receiver, downstream of the ADC stage. Adaptive nulling of mainlobe jammers is also raised as a benefit of the AESA design. Dolgachev also observed that a key factor in the design process was maintaining a focus on key performance parameters, and exploiting computational simulations extensively throughout the design process. The starting point for the AESA design was the development of a complete computational simulation for the design, the aim of which was to explore various design tradeoffs to find those which worked best. Single channel TR modules were rejected in favour a more thermally efficient 4 channel quad module design. The proprietary diamond lattice placement of radiating elements used in earlier PESAs was rejected as it presented difficulties in splitting the array cleanly into the multiple phase centres required for monopulse angle tracking, nevertheless the stagger in the elements still provides a robust diamond lattice pattern. The resulting module configuration is designed to carry RF signals along the shortest geometrical path between the array face and the feed, with coolant flow transverse (normal) to the antenna boresight. The result of these tradeoff studies resulted in the final placement of the radiating elements in vertical columns, each comprising an integer multiple of four elements to accommodate the TR module structure. Performance achieved for the final element placement was a first sidelobe at -30 dB, an average of higher order sidelobes at -50 dB, mainlobe width degradation of 4 dB at maximum beamsteering angle, and no grating lobes within the sought beamsteering angular range. Computational simulations were performed to determine the appropriate quantisation increments for antenna TR channel phase and gain control. Five bits were found to be adequate for amplitude, and six bits for phase control. Each TR channel in the array is individually addressed on the control bus. The backplane feed uses an undisclosed radial waveguide design, rather than the segmented linear branched feeds seen in first generation Western AESAs and ESAs. A network of coaxial waveguide switches between the feed network and TR modules is used to manage phase centres and perform monopulse summing and differencing for angle track modes. Power supply distribution to the TR modules presented similar problems with module 'pulling' during current drain transients, and was accommodated by the pragmatic expedient of attaching a large charge store capacitor on the main power bus near each of the TR modules. Cooling was arranged by mounting each TR module on an integral frame cold plate, the latter being actively cooled by liquid flow. Heat is transferred from each MMIC or transistor into the base of the module, and then into the cold plate for removal. Phazotron have not disclosed the thickness of the cold plates or TR modules, but clearly the horizontal element pitch is the hard constraint here. Each TR module includes an embedded thermal sensor which forces a module shutdown if overheating occurs, and restart cannot occur until the module cools down. All modules are thermally compensated in amplitude and phase to ensure that the performance characteristics remain aligned regardless of temperature and operating frequency. Dolgachev describes the current TR module parameters as such: Average power of 5 Watts Transmit path gain of 34 dB Receive path gain of 30 dB Receiver noise figure of 2.5 dB [2] Phase shifter control increments of 5.625° Amplitude control increments of 0.7 dB Dynamic range for amplitude control of 24 dB Overall PAE of 25%

milstar: http://innovation.triquint.com/challenge/ Celebrate the past. Take off to the future. For 25 years, TriQuint has been a leader in high-performance RF solutions for sophisticated mobile devices, defense & aerospace applications, and network infrastructure. Join us as we celebrate our anniversary and prepare to shoot even higher over the next 25 years and beyond. Through the TriQuint Take-Off Challenge, you can enter for a chance to win one of three Amazon Kindles as well as one drawing for a $3,500 (USD) grand prize. Then watch this Web site for results and information on the upcoming Challenge stages. At the leading edge of high-performance RF design. Today, TriQuint delivers innovative solutions using GaAs, GaN, SAW and BAW technologies to organizations around the world. Engineers and scientists rely on TriQuint's innovation to improve the performance and lower the overall cost of their applications. TriQuint... Connecting The Digital World To The Global Network®.

milstar: 1 wopros otwetil awtor ,ostalnie sami http://innovation.triquint.com/challenge-questions/ What Austrian-born electrical engineer, who patented a form of spread-spectrum still used in wireless communications, has a star on the Hollywood Walk of Fame? Lee De Forest Hedy Lamarr * Fritz Lang Max Steiner http://hedylamarr.org/ http://hedylamarr.org/vision.html

milstar: http://www.triquint.com/prodserv/markets/military/radar.cfm

milstar: In 2009 there were two principal candidate AESAs for installation in new build Flankers, or retrofit into existing service Flankers. These radars are NIIR Phazotron's intended Zhuk-AS/ASE, scaled up from the MiG-35 Zhuk AE AESA, and a derivative of Tikhomirov NIIP's new PAK-FA AESA, displayed publicly at MAKS 2009. Both radar designs are based on the quad channel TR module technology first disclosed during the public release of the Zhuk AE. These X-band modules are now being mass produced on an automated line by NPP Istok, who are also planning S-band module production. Mostly Russian produced GaAs components are employed. Cited capacity is sufficient for 50 AESA radars annually. #################################### 50*1600 = 80 000 GaAS MMIC http://www.ausairpower.net/APA-Flanker-Radars.html

milstar: К использованию широкозонных гетероструктур в современной военной технике я отношусь достаточно пессимистично. Мое твердое убеждение – сегодня аппаратуру для АФАР, для систем вооружения пятого поколения нужно создавать на GaAs. В течение ближайших 10 лет GaN-монолитные схемы вряд ли будут использоваться в системах вооружений. Кончено, возможны и прорывы, прогнозировать что-либо в столь новых направлениях сложно. Однако без создания СВЧ МИС на GaAs, соответствующих мировому уровню 2005 года, наша военная техника не преодолеет барьер требований к вооружениям пятого поколения. Пока мы не освоим рНЕМТ-технологию GaAs, говорить о широкозонных материалах преждевременно http://www.electronics.ru/issue/2005/4/1 Интервью с генеральным конструктором ФГУП НПП "Исток" С.Ребровым 2005 god

milstar: Но мы всецело зависим от поставок GaAs-пластин. Их единственный промышленный производитель в стране – ЗАО "Элма-Малахит", несмотря на то, что там даже нет современной ростовой машины. "Исток" потребляет до 90% GaAs-пластин у "Элмы-Малахита", причем по нашему заказу изготавливаются пластины с различными параметрами гетеропереходов. Но объемы заказов настолько малы, что их производство нерентабельно и владельцы предприятия могут его ликвидировать. Если мы лишимся этого единственного в стране производителя GaAs-пластин, произойдет беда. Есть еще участки изготовления GaAs в институтах РАН, но они лабораторные, делать на них ставку нельзя

milstar: http://www.elma-m.com/ru/about Общая численность сотрудников компании – 150 человек. Технический персонал компании, в составе которого 15 докторов и кандидатов технических наук, обладает глубокими теоретическими знаниями и практическим опытом производства материалов группы AIII-BV, постоянно работает над совершенствованием технологий роста, обработки и эпитаксии, чтобы удовлетворить самые взыскательные требования, предъявляемые мировым рынком.

milstar: http://download.iop.org/cs/cs_11_02.pdf page 19 In his talk, Moon said that PAs based on GaAs PHEMTs could produce less than 6W of output power in the Ka-band with a power- added efficiency (PAE) of about 23%. na 35 ghz h/2 4.3 mm .pri 6 watt s odnoj MIC nuzno otwetsi 24 watt tepla pri apperture diamtrom 900 mm (pl 0.6 kw .metra ) 32000 MIC AFAR NIIP s 1524 MIC na 10 ghz stoit 7mln $ Malorealistichno na 35 ghz ##################

milstar: Raytheon Demonstrates Gallium Nitride Advantages In Radar Components - by Staff Writers Tewksbury MA (SPX) Apr 17, 2008 Raytheon is developing transmit-receive modules based on the advanced semiconductor gallium nitride (GaN) for use in future radar upgrades. "This transmit-receive module demonstration and parallel reliability testing show that GaN will soon be ready to take over where increased power and advanced capabilities are needed," said Mark Russell, vice president of Engineering at Raytheon Integrated Defense Systems (IDS). The development is part of an on-going 42-month, $11.5 million Next Generation Transmit Receive Integrated Microwave Module (NGT) contract funded by the Missile Defense Agency's Advanced Technology Directorate. Raytheon is demonstrating that transmit-receive modules using GaN-powered monolithic microwave integrated circuit amplifiers have a significant performance advantage in that they provide significantly higher radio frequency power with greater efficiency than current modules. The NGT program leverages GaN technology being developed under the Defense Advanced Research Projects Agency's Wide Bandgap Semiconductor program as well as company-funded efforts. Russell said that GaN technology significantly extends the warfighter's reach into the battlespace by increasing radar ranges, sensitivity and search capabilities. Alternatively, the technology enables reduction in the size of the antenna, which improves transportability and reduces acquisition and lifecycle costs without sacrificing performance. "The NGT program is important because it is the first significant government-funded contract to address the use of the more capable GaN semiconductors in a relevant environment," said Steve Bernstein, IDS' program manager on NGT. "This recent demonstration shows that GaN technology performs better in transmit-receive modules representative of those used in modern radars." http://www.spacewar.com/reports/Raytheon_Demonstrates_Gallium_Nitride_Advantages_In_Radar_Components_999.html

milstar: http://www.highfrequencyelectronics.com/Archives/Dec06/HFE1206_Gaynor.pdf indium phosphide System-in-Package: RF Design and Applications. He can be reached at mgaynor3@comcast.net

milstar: http://www.metalprices.com/FreeSite/metals/in/in.asp U.S.Geological Survey (USGS): Indium

milstar: ndium phosphide taken to 152 GHz for military use Peter Clarke 8/10/2004 8:00 AM EDT LONDON — A team working around Rockwell Scientific Company LLC has demonstrated static frequency divider circuit in a submicron indium phosphide double heterojunction bipolar manufacturing process technology that can operate at a frequency of 152 GHz, Rockwell said Tuesday (August 10). The achievement is a milestone in the Defense Advanced Research Projects Agency (Darpa) funded program called Technology for Frequency Agile Digitally Synthesized Transmitters (Tfast) which included Rockwell, Global Communication Semiconductors, University of California at Santa Barbara, IQE plc and the Mayo Clinic, among its collaborators. Tfast has been set up to advance InP DHBT technology for Department of Defense mixed-signal circuit applications such as very high speed analog-to-digital and digital-to-analog converters and direct digital synthesizer circuits, ----------------------------------------------------------------------------------------- Rockwell said. InP DHBT transistors should provide high electrical breakdown, low phase noise, and wide bandwidth, and are intended for use in in-flight reprogrammable satellite communication links, in-combat programmable electronic warfare jammers, and millimeter-wave transmitters. "The near-term applications of Tfast are going to be focused on the high-performance needs of military systems, but the potential for future commercial uses are great, especially in wireless and telecommunication applications," said Bobby Brar, Rockwell Scientific's Tfast program manager, in a statement. Rockwell Scientific's team has been selected to continue the development of the InP DHBT technology under Phase II of the Tfast program.

milstar: Raytheon Awarded $7 Million Phase 2 Contract From the Office of Naval Research TEWKSBURY, Mass., Aug. 27, 2009 /PRNewswire/ -- Raytheon Company (NYSE: RTN) was awarded a $7 million follow-on contract from the Office of Naval Research for work on the Compound Semiconductor Materials on Silicon (COSMOS) program. Funded by the Defense Advanced Research Projects Agency, this phase two contract will focus on improving the yield and integration density of compound semiconductor and silicon complementary metal oxide semiconductor (CMOS) transistors fabricated on the same silicon wafer. "The COSMOS program focuses on integrating high-performance compound semiconductors, such as Indium phosphide or Gallium arsenide, ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- with low-cost silicon transistors to achieve superior cost benefits and performance than what is available today," said Michael Del Checcolo, vice president of Engineering for Raytheon Integrated Defense Systems (IDS). "These technological advances allow us to provide more complex and highly sophisticated solutions for our warfighters." During phase one, the Raytheon-led team demonstrated that high performance compound semiconductor devices (InP HBTs) can be directly grown and fabricated on silicon substrates and monolithically integrated with Silicon CMOS transistors on the same substrate. The team will use these findings in phase two to design and fabricate high speed, low power consumption digital-to- analog converters whose performance cannot be realized with today's existing semiconductor technology. Using its OpenAIR™ business model for assembling talent and capabilities, Raytheon IDS is partnering with Raytheon Systems Limited, Glenrothes, Scotland; Soitec, Bernin, France; Teledyne Scientific Imaging Company, Thousand Oaks, Calif.; Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Mass.; Paradigm Research LLC, Windham, N.H.; IQE, Bethlehem, Penn.; and Silicon Valley Technology Center, San Jose, Calif. Integrated Defense Systems is Raytheon's leader in Global Capabilities Integration providing affordable, integrated solutions to a broad international and domestic customer base, including the U.S. Missile Defense Agency, the U.S. Armed Forces and the Department of Homeland Security. Raytheon Company, with 2008 sales of $23.2 billion, is a technology and innovation leader specializing in defense, homeland security and other government markets throughout the world. With a history of innovation spanning 87 years, Raytheon provides state-of-the-art electronics, mission systems integration and other capabilities in the areas of sensing; effects; and command, control, communications and intelligence systems, as well as a broad range of mission support services. With headquarters in Waltham, Mass., Raytheon employs 73,000 people worldwide. Contact: Michele Lemos 978.858.5850

milstar: Test & measurement, military and aerospace products With its leading-edge analog design, Inphi's products for test and measurement enable the development of next-generation testers for emerging or new applications, such as 100G Ethernet and 100G Coherent Detection. In military markets, Inphi's products enable lower-cost and lower-power front ends. For these markets, Inphi's products include 10G and 50G logic gate retimers, fanout buffers, MUX, DEMUX and latched comparators. http://www.inphi.com/about-inphi/company-overview.php U.S. Headquarters Inphi Corporation 3945 Freedom Circle Suite 1100 Santa Clara, CA 95054 Phone: (408) 217-7300

milstar: http://www.inphi.com/products-technology/multi-markets-test-measurement-military-aerospace/differential-amplifiers/1012va.php 1012VA DC to 10 GHz Differential Variable Gain Amplifier http://www.inphi.com/products-technology/multi-markets-test-measurement-military-aerospace.php

milstar: http://www.npp-kvant.ru/production/photo/cosmic.php gallium arsenidnie sputn battarei 320-350 watt/kw .metr

milstar: SiGE obzor http://www.ieee-sem.org/ChapterIV/090513_JohnCressler_Slides.pdf

milstar: 20W GaN Ku-band Power Amp Delivers 30% PAE TriQuint Semiconductor, Inc. has released a new state-of-the-art gallium nitride (GaN) power amplifier with high power and efficiency for defense and commercial communications. The new device and TriQuint’s other GaN, GaAs, SAW and BAW products are being exhibited at the annual Military Communications Conference (MILCOM), San Jose, CA (USA), October 31 to November 3. The TGA2572 delivers 20W for Ku-band (14 to 16 GHz) defense and commercial communications systems. The new device is fabricated using TriQuint’s production-released GaN on SiC process; it typically offers 30% PAE and 24dBm of small signal gain. Offered in die and packaged forms, TGA2572 samples will be available in early 2011. Contact product marketing for details. TriQuint’s expertise in gallium nitride (GaN), gallium arsenide / high-voltage GaAs pHEMT, surface acoustic and bulk acoustic wave (SAW / BAW), low-cost packaged devices and monolithic microwave integrated circuits (MMICs) has made us a leading supplier of RF system components to Boeing Company, Lockheed Martin Corporation, Northrop Grumman, Raytheon and other major defense contractors. TriQuint supplies RF innovation for consumer retail products including mobile devices, wireless LAN, triple-play CATV systems, optical and wireless infrastructure applications. TriQuint Semiconductor, Inc. http://www.triquint.com © 2010 Advantage Business Media

milstar: Еженедельный дайджест Радиоэлектроника Виктор Гюнтер: арсенид-галлиевый потребительский гражданский рынок существует! В ноябре прошлого года Президент РФ в Послании Федеральному Собранию сообщил о стратегии национальной безопасности Российской Федерации, в 2008 — 2009 гг. утвердил стратегию развития информационного общества в РФ и обозначил основные направления инновационной деятельности и модернизации российской экономики. Но если есть стратегии, должна быть и тактика. Одним из предприятий, которое решает практические задачи, воплощая задуманное руководством страны в жизнь, является современное инновационное предприятием научно-производственная фирма «Микран». Об успехах предприятия, его разработках, перспективных проектах и планах на будущее мы побеседовали с генеральным директором компании Виктором Гюнтером. Вопрос: На российском рынке отечественных радиорелейных систем связи «Микран» занимает лидирующие позиции. Виктор Яковлевич, что обеспечило успех вашей компании в этом сегменте? Ответ: В процентном соотношении от общего объема этого сектора рынка нам принадлежит доля более 60%. Добиться этого удалось благодаря тому, что мы, будучи специалистами в области СВЧ-электроники изначально, вовремя «заскочили на ступеньку проходившего мимо трамвая», когда наступало время бурного развития цифровых радиорелейных линий. Помимо команды, занимавшейся СВЧ-техникой, нам пришлось создать очень мощную модемную группу. Тогда из молодых людей у нас сформировался хороший сплоченный коллектив, который постепенно набрал квалификацию. Сегодня мы всеми силами стараемся закрепиться на завоеванных рубежах и «прорываться» дальше, к новым вершинам. В: Теперь вопрос более узкий: получали ли Вы техзадание и финансирование от российских госструктур при создании мобильного комплекса связи МИК-МКС или это инициативная разработка? Когда можно ожидать решения о серийном производстве комплекса? О: Была ли эта разработка инициативной? И да и нет... Вообще говоря, ее развитие стимулировалось двояко. Инициатива с нашей стороны безусловно была, мы вложили свои деньги, причем приличные. Конечно, можно было отвернуться и заняться чем-то другим... Но мы этого не сделали. Финансирование мы получили в объеме порядка 30%. У нас в планах — вернуть собственные потраченные деньги за счет будущих продаж как внутри страны, так и за рубежом. Как на рынках военном и силовых структур, так и на гражданском. Что касается зарубежного — я уверен — наша экспортная продукция тоже будет пользоваться устойчивым спросом. Вы можете спросить — откуда такая уверенность? Делать столь оптимистические прогнозы позволяет уникальность станции. Тут позволю себе небольшой исторический экскурс. Раньше вся мобильная связь была узкополосной: использовались достаточно низкие частоты — до 2 ГГц. При таких частотах высокие мачты с не очень жесткой конструкцией были вполне приемлемым решением. Ведь ширина диаграммы направленности большая, и в том, что антенна качается, не было ничего страшного. Однако прогресс не стоит на месте, и через какое-то время в армии возникли проблемы с высокими скоростями. Пришло время строить достаточно высоскоростные мобильные линии передач, а это — высокочастотные диапазоны. Сразу изменились (резко ужесточились) требования к антенно-мачтовым устройствам. Они должны были стать совершенно другими. В кратчайший срок нам удалось разработать удачную мачтовую конструкцию. По всем характеристикам она получилась по-настоящему мобильная, быстро разворачиваемая, не требующая дополнительных растяжек. Кроме того, она приобрела «способность» поднимать большой вес на значительную высоту, и противостоять серьезным порывам ветра без изменения рабочих параметров. Сейчас она обеспечивает передачу информацию по 4 направлениям со скоростью до 1 55 мБит/с на каждое. В: Вижу, не напрасно в одном из своих недавних интервью Анатолий Чубайс упомянул «Микран» как одну из успешных инновационных компаний. Получаете ли вы инвестиции от «Роснано»? Привлекаете ли вы, помимо собственных средств, инвестиции для развития из каких-либо других источников? О: От «Роснано» мы пока инвестиций не получаем. Наш проект АФАР (активных фазированных антенных решеток), который был одним из первых в технико-внедренческой зоне, мы защищали еще в МЭРТе при Германе Грефе. Тем не менее, в 2006 году политические интриги не позволили нам получить денег под однозначно перспективную работу. Некоторые высокопоставленные лица, принимающие решения в Наблюдательном совете «Роснано», несмотря на одобрение нашего проекта большинством членов этой структуры, продолжают убеждать всех, что в России арсенид-галлиевые чипы потребляет якобы только военный рынок. А еще в том, что конкуренция в любом виде вредна и раз кооперация в деле создания истребителя 5 поколения определена, другим лезть в это дело нечего. По моему твердому убеждению вся эта агитация вредна и технологическому развитию нашей державы не способствует. Потому что, во-первых, ясно как белый день, — арсенид-галлиевый потребительский гражданский рынок существует. И мы эти чипы будем использовать в радиорелейном оборудовании, системах широкополосного доступа, приборном направлении. Сегодня все радиоэлектронные системы строятся по принципу АФАР — системы ПВО, зенитно-ракетного вооружения, военно-космической обороны, судовые системы... У нас по всем этим направлениям реализуются договоры, ОКРы с нашим участием. Нами налажено производство массовой продукции. То есть сегодня мы «сидим на двух стульях» — выпускаем чипы и занимаемся собственно конструированием самих модулей. Раньше была идея создать нечто универсальное, но это был изначально неверный посыл. Потому что абсолютно универсальной радиоэлектронной системы попросту не существует: для каждой из них нужно искать свои оптимальные решения. Приходится решать массу проблем, связанных с отводом тепла, техническими характеристиками, конструктивными особенностями и т. д. Быть может, должно пройти несколько эволюционных этапов, когда появится третье поколение, в среде которого выделится несколько более или менее универсальных решений. По пути создания такого субмодуля, содержащего только СВЧ пошел НПП «Исток». В результате чего, на наш взгляд, все модули, использующие этот субмодуль СВЧ, стали неоптимальными, их труднее ремонтировать. Кроме того, в случае данного решения, плохо поддается автоматизации общая сборка модуля. В: Обращаясь к гражданскому рынку, о котором Вы упомянули... Виктор Яковлевич, скажите, как родилась идея предложить судостроителям и судовладельцам радиолокационную станцию «Река»? Есть ли у вас заказы на эту систему? О: Потребность в судовом радиолокаторе для рек высока. Что мы наблюдаем сегодня? Суда стоят на наших реках, особенно сибирских, в то время, когда могли бы активно работать. В частности — ночью и в тумане. По электронным картам они также не ходят... То есть налицо нужда в новой технологии судовождения, которая могла бы в разы повысить работоспособность судов, экономическую эффективность речного флота. И у нас такая технология есть. Конечно же, прежде чем она начнет применяться на практике, нужно провести большую работу — законодательную, нормотворческую. Имея все необходимые компоненты, мы получили очень удачный радиолокатор. С производством у нас никаких проблем нет. Цифровой техникой, которая занимается обработкой сигнала, мы тоже владеем. После проведенной нами презентации, власти, отвечающие за российское речное судоходство, выразили готовность всецело поддержать наше начинание. Заказы от речников у нас уже есть. Кстати, эти радары можно будет применять не только на речных судах, но и для решения, минимум, 3-4 других серьезных задач. Например — для охраны разного рода территорий, для повышения маневренности морских судов. При использовании нашего радара капитан получает возможность ближнего обзора с разрешением до полуметра в любых условиях при мизерной излучаемой мощности — десятки милливатт. Сигнал получается широкополосным, сложным, поэтому, соответствуя требованиям, никому не мешает. Сейчас мы готовим опытную партию таких устройств. Финансирование проекта осуществляется, по большей части, из собственных средств. При этом нам помогла областная власть, за один год выделив безвозмездно по результатам тендера на разработку опытного образца порядка 16 млн. рублей. В настоящее время завершается подготовка к опытной эксплуатации партии радиолокаторов «Река» из 10 штук. Эксплуатационные испытания начнутся уже в августе этого года в Томской судоходной компании. В: То, что к аппаратуре «Микрана» проявляет живой интерес отечественный потребитель, не может не радовать. А поставляет ли «Микран» какую-либо продукцию на экспорт? Какие из ваших систем могут быть конкурентоспособными на внешнем рынке? О: На экспорт мы продукцию поставляем в основном в страны СНГ. Продаем радиорелейное оборудование в Беларусь, в среднеазиатские республики. К концу текущего года начнутся поставки нашего оборудования через Рособоронэкспорт. Первой и большой партией должна «уйти» береговая локационная широкополосная аппаратура, предназначенная для охраны морских рубежей. Она позволяет собирать с контролируемых береговых линий протяженностью до нескольких тысяч километров информацию о происходящем в единый центр. Мы производим контрольно-измерительную аппаратуру СВЧ диапазона и аксессуары СВЧ тракта. Предприятию удалось в кратчайшие сроки завоевать лидирующее положение в данном сегменте российского рынка среди отечественных производителей. По техническим параметрам измерительные приборы НПФ «Микран» находятся на уровне лучших мировых достижений. А по цене, эксплуатационным характеристикам и уровню сервисного обслуживания — гораздо лучше приспособлены к потребностям российского рынка. Когда мы еще немного «дошлифуем» свои приборы, безусловно, предпримем экспансию на зарубежный рынок. В настоящее время мы ведем переговоры с двумя торговыми «монстрами». Они готовы частично включить нашу продукцию в свой прайс-лист и продавать ее, в первую очередь, в России, а дальше будет видно. Российского рынка нам пока хватает. «Микран» предпринимал попытку выхода на индийский рынок, но, оказалось, мы их заказы «не потянем» по причине нехватки производственных мощностей. Например, объектом одного из тендеров стали 2000 «релеек», а мы пока можем выпустить лишь порядка сотни в месяц. Сейчас строится завод, который даст нам возможность повысить количество выпускаемой продукции, что будет способствовать участию в подобных тендерах. Кроме того, при росте объемов производства нужно будет четко отслеживать качество всех серийных приборов — вне зависимости от величины «потока» оно должно оставаться на высоком техническом уровне. При этом выпускаемую аппаратуру нужно будет постоянно обновлять, модернизировать и чутко отслеживать все достижения в этой области — и все это при ограниченном финансовом ресурсе... Но — никуда не денешься: если хочешь оставаться «на плаву» нужно, невзирая на любые сложности, успевать все. При этом нужно «уживаться» с такими связными гигантами, как NEC, NOKIA, ALCATEL, SIEMENS и прочими. У транснациональных фирм огромные финансовые ресурсы и, соответственно, возможности совершенно другие. Но пытаемся сохранять «статус-кво». В: За счет высоких технических характеристик приборов, качества аппаратуры? О: Достаточно того, чтобы характеристики просто поддерживались на уровне «среднестатистического хорошего прибора». Кроме того, мы можем выступать в качестве партнера упомянутых компаний. Как организация, обслуживающая и проводящая техническое сопровождение их продукции, что особенно актуально в России. Возможность быть ближе к потребителю и предлагать лучшие услуги — самый главный наш «козырь». В: Сейчас многие говорят о необходимости развивать отечественную промышленность. Что необходимо прежде всего сделать, чтобы сохранить и развивать в России разработку и производство радиоэлектронных систем? О: Это непростая тема. Есть комплекс причин, которые сдерживают реализацию столь масштабных планов. Одна из них заключается в том, что в сегменте кремниевых технологий нам будет уже крайне тяжело «догнать» мир. С арсенид-галлиевыми — ситуация более оптимистичная: здесь мы еще можем составить достойную конкуренцию. Проект, который мы сегодня пытаемся реализовать — это как раз и есть одна из возможностей выйти на более приличный, чем сейчас и даже на мировой уровень. На внутреннем рынке с этим «не развернешься», поэтому нужно выходить на мировую арену и находить там свои ниши, расти. Дать какие-то радикальные рецепты подъема отечественного производства радиоэлектронных схем или назвать препятствующие этому факторы, помимо вышеназванного, я не могу. Сами посудите: стоимость рабочей силы уже — не главное. Она в том же Китае постоянно растет, как и прочих странах Юго-Восточной Азии. Что касается климата, то на фабрике по производству микроэлектроники он должен быть мягким: что жара, что холод — одинаковые беды. То есть, не важно куда вкладывать внушительные накладные расходы — на охлаждение цехов, их отопление или снижение в них влажности. Логистическая проблема, в данном случае, тоже не стоит — ведь рассматриваемая продукция весьма мало-габартина. Другое дело, что несколько разнится, например, менталитет китайского и российского рабочего. Но, я уверен, такого рода проблемы вполне преодолимы. Главное — использовать самые передовые технологии и технику, которая позволит добиться высокой производительности труда. И тогда все получится. В: Виктор Яковлевич, Вы руководитель, исповедующий политику непрерывного развития бизнеса. Это непростой путь, отнимающий утоп-менеджера немало сил, а иногда и здоровья. Есть ли у Вас свободное время? Как Вы его проводите? Что делаете в отпуске? О: В этом году я в первый раз в жизни съездил на две недели в теплую страну и отдохнул. Даже еще загар не прошел... Вообще, основное мое хобби — работа, которая приносит мне чувство удовлетворения. И уверяю Вас, это весьма положительно сказывается на здоровье. Поэтому, для его поддержания ограничиваюсь лишь некоторыми «спецмероприятиями». Этого оказывается вполне достаточно. 29.11.2010 Права на данный материал принадлежат Перископ.2 Материал был размещен правообладателем в открытом доступе. http://www.guraran.ru/index.php?mode=10&submode=30&razdel=8&id=12177

milstar: GaN PA for C-IED Systems November 2, 2010 TriQuint’s new 30W GaN power amplifier, TGA2576, supports C-IED (counter-IED) and general EW (electronic weapons) applications across a 2.5 to 6 GHz frequency range. Fabricated using TriQuint’s production-released 0.25µm GaN on SiC process, it typically offers 30W of saturated output power with 30% PAE and 25dBm of small signal gain. It will be offered in die and packaged form; die samples will be available November 2010, with packaged samples expected in early 2011. Contact product marketing for sample and availability details. See TriQuint at MILCOM 2010 in San Jose, CA (Booth 1207). http://www.triquint.com/contacts/press/newsanddiscoveries_detail.cfm?id=160

milstar: История солнечных батарей насчитывает полвека. За это время они прошли колоссальный путь развития. Благодаря напряженному труду отечественных конструкторов, технологов, рабочих КПД кремниевых батарей был увеличен с 7-8 до 15-16%, а удельная масса панелей уменьшилась с 10 до менее 3 кг/м2. Создание нового поколения фотоэлектрических преобразователей на основе материалов типа Ga, As позволило довести КПД батарей до 30%. В связи с этим стало возможным получать мощность бортовых электроустановок 15-20 кВт. http://www.iss-reshetnev.ru/images/File/magazin/2008/m3-screen.pdf Поя- вилась перспектива, что в ближайшее время появятся элементы с большим числом n-р-переходов, с КПД 33-35%, а в недалекой перспективе и 42%. При этом становится реальностью доведе- ние энергетики космической геостаци- онарной связной платформы до 20-25 кВт при площади панелей солнечной батареи в пределах 90-100 м2. В России подобного производства нет, а точнее не было до последнего вре- мени. Не так давно ведущие российские предприятия по созданию солнечных батарей ОАО «Сатурн» (г. Краснодар) и ОАО НПП «Квант» (г. Москва) стали закупать оборудование для производства арсенид-галлиевых фотопреобразо- вателей. Их специалисты приступили к освоению и отработке технологии. А у российских спутникостроителей по- явилась реальная надежда на то, что пройдет 1-2 года, и они будут иметь ар- сенид-галлиевые фотопреобразователи отечественного производства с характе- ристиками мирового уровня. Поэтому на всех перспективных кос- мических аппаратах НПО ПМ планиру- ется устанавливать солнечные батареи с применением современных многокас- кадных фотопреобразователей на осно- ве материалов типа Ga, As.

milstar: Еженедельный дайджест Радиоэлектроника Виктор Гюнтер: арсенид-галлиевый потребительский гражданский рынок существует! В ноябре прошлого года Президент РФ в Послании Федеральному Собранию сообщил о стратегии национальной безопасности Российской Федерации, в 2008 — 2009 гг. утвердил стратегию развития информационного общества в РФ и обозначил основные направления инновационной деятельности и модернизации российской экономики. Но если есть стратегии, должна быть и тактика. Одним из предприятий, которое решает практические задачи, воплощая задуманное руководством страны в жизнь, является современное инновационное предприятием научно-производственная фирма «Микран». Об успехах предприятия, его разработках, перспективных проектах и планах на будущее мы побеседовали с генеральным директором компании Виктором Гюнтером. Вопрос: На российском рынке отечественных радиорелейных систем связи «Микран» занимает лидирующие позиции. Виктор Яковлевич, что обеспечило успех вашей компании в этом сегменте? Ответ: В процентном соотношении от общего объема этого сектора рынка нам принадлежит доля более 60%. Добиться этого удалось благодаря тому, что мы, будучи специалистами в области СВЧ-электроники изначально, вовремя «заскочили на ступеньку проходившего мимо трамвая», когда наступало время бурного развития цифровых радиорелейных линий. Помимо команды, занимавшейся СВЧ-техникой, нам пришлось создать очень мощную модемную группу. Тогда из молодых людей у нас сформировался хороший сплоченный коллектив, который постепенно набрал квалификацию. Сегодня мы всеми силами стараемся закрепиться на завоеванных рубежах и «прорываться» дальше, к новым вершинам. В: Теперь вопрос более узкий: получали ли Вы техзадание и финансирование от российских госструктур при создании мобильного комплекса связи МИК-МКС или это инициативная разработка? Когда можно ожидать решения о серийном производстве комплекса? О: Была ли эта разработка инициативной? И да и нет... Вообще говоря, ее развитие стимулировалось двояко. Инициатива с нашей стороны безусловно была, мы вложили свои деньги, причем приличные. Конечно, можно было отвернуться и заняться чем-то другим... Но мы этого не сделали. Финансирование мы получили в объеме порядка 30%. У нас в планах — вернуть собственные потраченные деньги за счет будущих продаж как внутри страны, так и за рубежом. Как на рынках военном и силовых структур, так и на гражданском. Что касается зарубежного — я уверен — наша экспортная продукция тоже будет пользоваться устойчивым спросом. Вы можете спросить — откуда такая уверенность? Делать столь оптимистические прогнозы позволяет уникальность станции. Тут позволю себе небольшой исторический экскурс. Раньше вся мобильная связь была узкополосной: использовались достаточно низкие частоты — до 2 ГГц. При таких частотах высокие мачты с не очень жесткой конструкцией были вполне приемлемым решением. Ведь ширина диаграммы направленности большая, и в том, что антенна качается, не было ничего страшного. Однако прогресс не стоит на месте, и через какое-то время в армии возникли проблемы с высокими скоростями. Пришло время строить достаточно высоскоростные мобильные линии передач, а это — высокочастотные диапазоны. Сразу изменились (резко ужесточились) требования к антенно-мачтовым устройствам. Они должны были стать совершенно другими. В кратчайший срок нам удалось разработать удачную мачтовую конструкцию. По всем характеристикам она получилась по-настоящему мобильная, быстро разворачиваемая, не требующая дополнительных растяжек. Кроме того, она приобрела «способность» поднимать большой вес на значительную высоту, и противостоять серьезным порывам ветра без изменения рабочих параметров. Сейчас она обеспечивает передачу информацию по 4 направлениям со скоростью до 1 55 мБит/с на каждое. В: Вижу, не напрасно в одном из своих недавних интервью Анатолий Чубайс упомянул «Микран» как одну из успешных инновационных компаний. Получаете ли вы инвестиции от «Роснано»? Привлекаете ли вы, помимо собственных средств, инвестиции для развития из каких-либо других источников? О: От «Роснано» мы пока инвестиций не получаем. Наш проект АФАР (активных фазированных антенных решеток), который был одним из первых в технико-внедренческой зоне, мы защищали еще в МЭРТе при Германе Грефе. Тем не менее, в 2006 году политические интриги не позволили нам получить денег под однозначно перспективную работу. Некоторые высокопоставленные лица, принимающие решения в Наблюдательном совете «Роснано», несмотря на одобрение нашего проекта большинством членов этой структуры, продолжают убеждать всех, что в России арсенид-галлиевые чипы потребляет якобы только военный рынок. А еще в том, что конкуренция в любом виде вредна и раз кооперация в деле создания истребителя 5 поколения определена, другим лезть в это дело нечего. По моему твердому убеждению вся эта агитация вредна и технологическому развитию нашей державы не способствует. Потому что, во-первых, ясно как белый день, — арсенид-галлиевый потребительский гражданский рынок существует. И мы эти чипы будем использовать в радиорелейном оборудовании, системах широкополосного доступа, приборном направлении. Сегодня все радиоэлектронные системы строятся по принципу АФАР — системы ПВО, зенитно-ракетного вооружения, военно-космической обороны, судовые системы... У нас по всем этим направлениям реализуются договоры, ОКРы с нашим участием. Нами налажено производство массовой продукции. То есть сегодня мы «сидим на двух стульях» — выпускаем чипы и занимаемся собственно конструированием самих модулей. Раньше была идея создать нечто универсальное, но это был изначально неверный посыл. Потому что абсолютно универсальной радиоэлектронной системы попросту не существует: для каждой из них нужно искать свои оптимальные решения. Приходится решать массу проблем, связанных с отводом тепла, техническими характеристиками, конструктивными особенностями и т. д. Быть может, должно пройти несколько эволюционных этапов, когда появится третье поколение, в среде которого выделится несколько более или менее универсальных решений. По пути создания такого субмодуля, содержащего только СВЧ пошел НПП «Исток». В результате чего, на наш взгляд, все модули, использующие этот субмодуль СВЧ, стали неоптимальными, их труднее ремонтировать. Кроме того, в случае данного решения, плохо поддается автоматизации общая сборка модуля. В: Обращаясь к гражданскому рынку, о котором Вы упомянули... Виктор Яковлевич, скажите, как родилась идея предложить судостроителям и судовладельцам радиолокационную станцию «Река»? Есть ли у вас заказы на эту систему? О: Потребность в судовом радиолокаторе для рек высока. Что мы наблюдаем сегодня? Суда стоят на наших реках, особенно сибирских, в то время, когда могли бы активно работать. В частности — ночью и в тумане. По электронным картам они также не ходят... То есть налицо нужда в новой технологии судовождения, которая могла бы в разы повысить работоспособность судов, экономическую эффективность речного флота. И у нас такая технология есть. Конечно же, прежде чем она начнет применяться на практике, нужно провести большую работу — законодательную, нормотворческую. Имея все необходимые компоненты, мы получили очень удачный радиолокатор. С производством у нас никаких проблем нет. Цифровой техникой, которая занимается обработкой сигнала, мы тоже владеем. После проведенной нами презентации, власти, отвечающие за российское речное судоходство, выразили готовность всецело поддержать наше начинание. Заказы от речников у нас уже есть. Кстати, эти радары можно будет применять не только на речных судах, но и для решения, минимум, 3-4 других серьезных задач. Например — для охраны разного рода территорий, для повышения маневренности морских судов. При использовании нашего радара капитан получает возможность ближнего обзора с разрешением до полуметра в любых условиях при мизерной излучаемой мощности — десятки милливатт. Сигнал получается широкополосным, сложным, поэтому, соответствуя требованиям, никому не мешает. Сейчас мы готовим опытную партию таких устройств. Финансирование проекта осуществляется, по большей части, из собственных средств. При этом нам помогла областная власть, за один год выделив безвозмездно по результатам тендера на разработку опытного образца порядка 16 млн. рублей. В настоящее время завершается подготовка к опытной эксплуатации партии радиолокаторов «Река» из 10 штук. Эксплуатационные испытания начнутся уже в августе этого года в Томской судоходной компании. В: То, что к аппаратуре «Микрана» проявляет живой интерес отечественный потребитель, не может не радовать. А поставляет ли «Микран» какую-либо продукцию на экспорт? Какие из ваших систем могут быть конкурентоспособными на внешнем рынке? О: На экспорт мы продукцию поставляем в основном в страны СНГ. Продаем радиорелейное оборудование в Беларусь, в среднеазиатские республики. К концу текущего года начнутся поставки нашего оборудования через Рособоронэкспорт. Первой и большой партией должна «уйти» береговая локационная широкополосная аппаратура, предназначенная для охраны морских рубежей. Она позволяет собирать с контролируемых береговых линий протяженностью до нескольких тысяч километров информацию о происходящем в единый центр. Мы производим контрольно-измерительную аппаратуру СВЧ диапазона и аксессуары СВЧ тракта. Предприятию удалось в кратчайшие сроки завоевать лидирующее положение в данном сегменте российского рынка среди отечественных производителей. По техническим параметрам измерительные приборы НПФ «Микран» находятся на уровне лучших мировых достижений. А по цене, эксплуатационным характеристикам и уровню сервисного обслуживания — гораздо лучше приспособлены к потребностям российского рынка. Когда мы еще немного «дошлифуем» свои приборы, безусловно, предпримем экспансию на зарубежный рынок. В настоящее время мы ведем переговоры с двумя торговыми «монстрами». Они готовы частично включить нашу продукцию в свой прайс-лист и продавать ее, в первую очередь, в России, а дальше будет видно. Российского рынка нам пока хватает. «Микран» предпринимал попытку выхода на индийский рынок, но, оказалось, мы их заказы «не потянем» по причине нехватки производственных мощностей. Например, объектом одного из тендеров стали 2000 «релеек», а мы пока можем выпустить лишь порядка сотни в месяц. Сейчас строится завод, который даст нам возможность повысить количество выпускаемой продукции, что будет способствовать участию в подобных тендерах. Кроме того, при росте объемов производства нужно будет четко отслеживать качество всех серийных приборов — вне зависимости от величины «потока» оно должно оставаться на высоком техническом уровне. При этом выпускаемую аппаратуру нужно будет постоянно обновлять, модернизировать и чутко отслеживать все достижения в этой области — и все это при ограниченном финансовом ресурсе... Но — никуда не денешься: если хочешь оставаться «на плаву» нужно, невзирая на любые сложности, успевать все. При этом нужно «уживаться» с такими связными гигантами, как NEC, NOKIA, ALCATEL, SIEMENS и прочими. У транснациональных фирм огромные финансовые ресурсы и, соответственно, возможности совершенно другие. Но пытаемся сохранять «статус-кво». В: За счет высоких технических характеристик приборов, качества аппаратуры? О: Достаточно того, чтобы характеристики просто поддерживались на уровне «среднестатистического хорошего прибора». Кроме того, мы можем выступать в качестве партнера упомянутых компаний. Как организация, обслуживающая и проводящая техническое сопровождение их продукции, что особенно актуально в России. Возможность быть ближе к потребителю и предлагать лучшие услуги — самый главный наш «козырь». В: Сейчас многие говорят о необходимости развивать отечественную промышленность. Что необходимо прежде всего сделать, чтобы сохранить и развивать в России разработку и производство радиоэлектронных систем? О: Это непростая тема. Есть комплекс причин, которые сдерживают реализацию столь масштабных планов. Одна из них заключается в том, что в сегменте кремниевых технологий нам будет уже крайне тяжело «догнать» мир. С арсенид-галлиевыми — ситуация более оптимистичная: здесь мы еще можем составить достойную конкуренцию. Проект, который мы сегодня пытаемся реализовать — это как раз и есть одна из возможностей выйти на более приличный, чем сейчас и даже на мировой уровень. На внутреннем рынке с этим «не развернешься», поэтому нужно выходить на мировую арену и находить там свои ниши, расти. Дать какие-то радикальные рецепты подъема отечественного производства радиоэлектронных схем или назвать препятствующие этому факторы, помимо вышеназванного, я не могу. Сами посудите: стоимость рабочей силы уже — не главное. Она в том же Китае постоянно растет, как и прочих странах Юго-Восточной Азии. Что касается климата, то на фабрике по производству микроэлектроники он должен быть мягким: что жара, что холод — одинаковые беды. То есть, не важно куда вкладывать внушительные накладные расходы — на охлаждение цехов, их отопление или снижение в них влажности. Логистическая проблема, в данном случае, тоже не стоит — ведь рассматриваемая продукция весьма мало-габартина. Другое дело, что несколько разнится, например, менталитет китайского и российского рабочего. Но, я уверен, такого рода проблемы вполне преодолимы. Главное — использовать самые передовые технологии и технику, которая позволит добиться высокой производительности труда. И тогда все получится. В: Виктор Яковлевич, Вы руководитель, исповедующий политику непрерывного развития бизнеса. Это непростой путь, отнимающий утоп-менеджера немало сил, а иногда и здоровья. Есть ли у Вас свободное время? Как Вы его проводите? Что делаете в отпуске? О: В этом году я в первый раз в жизни съездил на две недели в теплую страну и отдохнул. Даже еще загар не прошел... Вообще, основное мое хобби — работа, которая приносит мне чувство удовлетворения. И уверяю Вас, это весьма положительно сказывается на здоровье. Поэтому, для его поддержания ограничиваюсь лишь некоторыми «спецмероприятиями». Этого оказывается вполне достаточно. 29.11.2010 Права на данный материал принадлежат Перископ.2 Материал был размещен правообладателем в открытом доступе. http://www.guraran.ru/index.php?mode=10&submode=30&razdel=8&id=12177

milstar: http://www.micran.ru/about/News_press/1126/ Razrabotchik MMIC/PPM dlja AFAR MiG-35 24.02.2011 Интернет-портал РИА Новости, 22 февраля 2011 г. Томское ЗАО "Научно-производственная фирма "Микран"- одно из первых коммерческих инновационных предприятий в постсоветской России, оно появилось 20 лет назад, а сегодня – это признанный отечественный лидер в области радиоэлектроники сверхвысоких частот (СВЧ). О становлении компании, ее разработках и планах на будущее в интервью корреспонденту РИА Новости Сергею Леваненкову рассказал генеральный директор ЗАО "НПФ "Микран" Виктор Гюнтер. - Виктор Яковлевич, расскажите о вашей компании. Когда она была создана, чем занимается? - Наша компания из восьми человек появилась в 1991 году. В начале пути мы занималась очень интересным проектом с московским НИИ радиоприборостроения (НИИРП, сейчас входит в ОАО "Концерт ПВО "Алмаз-Антей") – созданием низкоорбитальной спутниковой системы "Сигнал". Это аналог "Иридиума". Там был креативный главный конструктор системы, он сумел убедить зарождавшиеся тогда банки вложиться в этот проект. Но проект оказался нереализуем, и со временем стало ясно, что он для России – государственный, и не может быть выполнен частной компанией. Тем не менее этот проект позволил нам четыре года существовать. Мы укомплектовали наземный макет спутника нашей СВЧ-аппаратурой. Этого нам хватало, чтобы системно развиваться в этом направлении. Когда в 1994 году у заказчика тема была прекращена, мы остались без финансирования, нам пришлось искать себе достойную работу – нас уже было 30 человек. Мы нашли себе нишу – цифровые радиорелейные станции (ЦРРС) связи, которые тогда начинали входить в мире, в том числе в связи с появлением комплексов мобильной связи и развития интернета, в моду. В России их практически не выпускали, завозили из-за рубежа. А мы уже обладали хорошей технологией, и нам удалось к 1996 году сделать первые образцы и начать продажу. На этом и жили и развивались. Впоследствии это направление стало базовым для предприятия, к концу 2010 года мы поставили потребителям более 6000 станций для РФ и стран СНГ. ********************************** - Начинали вы с восьми сотрудников, а сейчас их сколько? - Около тысячи человек. ******************** - А чем сегодня занимаетесь? Расскажите о ваших разработках. - У нас четыре бизнес-направления. Первое – это создание элементной базы - интегральная СВЧ-электроника. Это разработка и изготовление арсенид-галлиевых чипов, которые используются в СВЧ-устройствах. Это сложная технология, появилась значительно позже кремниевой, но требует больших затрат. Мы за счет собственных средств развернули пилотную технологическую линию и производим на ней для собственных нужд элементную базу – усилители, фазовращатели, конвертеры и др. Это некие базовые "кирпичики" для различной аппаратуры. А в этом ряду отдельно стоит разработка и изготовление приемо-передающих модулей для активных фазированных антенных решеток (АФАР), которыми снабжается современная и перспективная авиация. - Что это такое? -Это модули, в частности, используются в системе радиолокационного оборудования (РЛС) истребителя МиГ-35. Его локатор состоит из 700 приемо-передатчиков, которые мы делаем. АФАР – это магистральный путь развития всех радиоэлектронных систем наземного, бортового и космического базирования. ***************************************************** Следующий этап – это использование АФАР в системах связи различного назначения. ************************************************************************** Истребители МиГ – 35, укомплектованные РЛС «Жук АЭ» с нашими модулями, участвующие в индийском тендере, более 2 лет успешно проводят летные испытания. Основные наши потребители – ведущие в стране разработчики и производители сложнейших радиоэлектронных комплексов. - Остальные направления? - Второе направление – это телекоммуникации: цифровые радиорелейные станции, способные передавать трафик на скоростях до 155 Мб/с и аппаратура беспроводного широкополосного доступа (ШПД) – технологии WiMAX, LTE. Третье направление – контрольно-измерительная аппаратура СВЧ. Мы разработали и освоили радиоизмерительные СВЧ-приборы для диапазона до 60 гигагерц. Один прибор стоит 50-60 тысяч долларов. *********************************************************************** Две компании всего в мире производят такое оборудование. Мы вышли на этот рынок и серьезно тесним их. Нужно отметить, что это направление развилось на предприятии для обеспечения собственных нужд, а затем приборы, оказавшие серьезную конкуренцию зарубежным, быстро завоевали авторитет у многих разработчиков – производителей СВЧ аппаратуры различного назначения. - Ваша компания разработала мобильный комплекс связи "МИК-МКС", представила его на Международном салоне вооружения и военной техники в Жуковском. В чем его уникальность? - "МИК-МКС" – комплекс аппаратуры и оборудования для организации быстрого развертывания наших ЦРРС и сетей беспроводного широкополосного доступа. Это мачта с нашим оборудованием, установленная на четырехосный "КамАЗ". Она способна работать при любых погодных условиях. По тактико-техническим характеристикам не уступает зарубежным аналогам, а в чем-то даже превосходит. Она разворачивается за 15 минут. Раньше таких комплексов-мачт в России не было, потому что в армии вся связь была аналоговой. Как только потребовалась цифровая связь, большие потоки информации, мы неизбежно должны были уйти от диапазаона 2 гигагерц и выше, чтобы эти потоки передавать. ********************** Нужно было создать такую систему с учетом того, что она должна очень быстро развертываться минимальным количеством людей. Мы это изделие изобрели, разработали и сделали, причем за свой счет. И не прогадали. И мы же их будем производить и продавать различным ведомствам, включая МЧС.. - На какой стадии находится эта разработка – вы ее уже производите? - Она прошла государственные испытания. И сейчас мы выходим на госпоставки до 2020 года потребностью несколько комплексов. В 2011 году делаем установочную партию. Со следующего года начнутся поставки. И есть еще большое количество заказов из-за рубежа по линии "Рособоронэкспорта", и заказы для разовых изделий, где нужна такая мачта – она выдерживает до 600 килограммов аппаратуры, можно и больше. - Расскажите по судьбе еще одной своей разработки - навигационной радиолокационной станции нового поколения для ближнего обзора "Река. Она уже производится? Кто заказчики? - Да, мы разработали и испытали РЛС ближнего обзора "Река". В 2010 году сделали установочную партию из 10 таких систем. В этом году будет выполнено 50 штук – все заявки распределены. Тут вот в чем сложность. Этот локатор – своего рода сенсор. Его нужно встраивать в систему судовождения. Это когда есть эхолоты, GPS, электронная карта, метки на реке – тогда она в полной мере будет выполнять роль системы. Поэтому мы работаем с группой компаний, у которых уже есть готовая система программного обеспечения, у них – 30% мирового рынка цифровых карт. Мы будем поставлять им наш локатор, а они будут ставить их на речные и морские суда. И по существу радиолокаторы специального применения – это четвертое направление нашей деятельности. - Расскажите о совместном проекте с Томским университетом систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) по производству СВЧ-аппаратуры. Что вы планируете производить? - Во всех направлениях нашей деятельности мы тесно сотрудничаем с ТУСУРом. В августе 2010 года мы с университетом выиграли федеральный конкурс с проектом, который предполагает разработку и внедрение технологических основ системного проектирования и производства аналогово-цифровой СВЧ-аппаратуры на основе собственной элементной базы. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- Стоимость проекта 600 миллионов рублей, из них половина – субсидия Минобрнауки, а остальное – наши средства. Для расширения производства мы реконструируем завод на улице Кирова (центр Томска), к концу года планируем закончить эти работы. - Когда вы планируете начать реализацию проекта, каковы сроки? - Завод введем в эксплуатацию в 2012 году. А проект рассчитан на три года – до 2013-го включительно. - Насколько я знаю, ваша компания будет одним из базовых партнеров наноцентр "Сигма" в Томской ОЭЗ. Какое участие примет в этом проекте ваша компания? Что вы будете делать в рамках наноцентра? - Мы скомплектовали в центр оборудование, и мы же в основном будем им пользоваться в своей деятельности. Это литографическое технологическое оборудование, которое позволяет делать арсенид-галлиевые чипы. Оно, в частности, дает нам возможность делать в транзисторах затворы с нормой 90-60 нанометров. Потом это оборудование возможно будет выкуплено на наш завод, который мы строим. У нас будет "кусок" технологии, которая вместе с нашими наработками позволит делать большие промышленные партии чипов. - Каков оборот вашей компании по итогам минувшего года, динамика по сравнению с 2009 годом. - В 2009 году было порядка 900 миллионов рублей, в 2010 году – чуть меньше. ******************************************************************** Спад, в частности, объясняется тем, что мы вложились в очень большие инновационные проекты и недополучили госзаказа. Зато мы вышли на 2011 год с великолепными перспективами. Надеемся, что в этом году уйдем существенно. **************************************************************************************** - Что дало вашей компании участие в томской ОЭЗ? - Пока мы только готовимся к участию в наноцентре. Наш основной проект по созданию фабрики монолитных интегральных схем вот уже почти 4 года находится на рассмотрении в ГК «Роснано». Все технические экспертизы корпорации мы прошли успешно. Остановка за политическими решениями, затрагивающими интересы не только нашей компании. Кроме того, мы считаем, что в формировании гражданского рынка арсенид-галлиевой электроники, традиционно обслуживающей интересы ОПК, должно участвовать государство. Ибо наше технологическое отставание от ведущих зарубежных фирм в данном направлении может привести к необратимым последствиям. Т.к. арсенид-галлиевая СВЧ электроника – это, прежде всего, генерирование, передача и доведение до потребителя огромных потоков информации с высокими скоростями. Это радиолокация различного назначения и различных видов. Это различные измерительные комплексы для всех без исключения научно-технических направлений, включая атомную энергетику, биотехнологии, нанотехнологии. - Планы компании на будущее? Какие перспективные разработки есть у вас? - Вся предыдущая 20-летняя история предприятия – это история о том, как далеко от Москвы борется за свое существование высокопрофессиональная инновационная частная фирма, продукция которой полностью решению задач, оговоренных Стратегией развития информационного общества в РФ, Стратегией национальной безопасности РФ до 2020 года и Направлениям технологической модернизации российской экономики. К сожалению, многие проблемы государственно-частного партнерства, обозначенные в выступлениях руководства страны, требуют больших усилий для реализации. Чем мы и занимаемся. А в «наших рюкзаках» ещё много интересных задумок.

milstar: http://www.micran.ru/publications_new/

milstar: 14.03.2011 Nokia Siemens Networks объявила о планах открытия производства в России http://www.micran.ru/news/1131/ Сегодня ОАО "РОСНАНО", научно-производственная фирма "Микран", "Нокиа Сименс Нетворкс" (Nokia Siemens Networks) и администрация Томской области подписали соглашение о намерениях по созданию производства телекоммуникационного оборудования четвертого поколения LTE в особой экономической зоне г. Томска. Nokia Siemens Networks предприняла первые шаги для запуска производства в России. Сегодня, в рамках визита Председателя Правительства Российской Федерации Владимира Путина в г. Томск, проводившего совещание "Совершенствование инструментов инновационного развития в регионах (особые экономические зоны, технопарки, наукограды)", состоялось подписание Соглашения о намерениях с российской научно-производственной фирмой "Микран", Открытым акционерным обществом "РОСНАНО" и администрацией Томской области. Строительство в России инфраструктуры сетей 4 поколения открывает возможность создания в стране конкурентоспособного отечественного производителя. Nokia Siemens Networks, веря в потенциал российского рынка, готова совместно с научно-производственной фирмой "Микран" заняться глубокой локализацией своей передовой продукции LTE в Особой экономической зоне Томска. Создание новых производственных мощностей для инновационного продукта будет осуществляться при поддерждке Администрации Томской области, предоставляющей привлекательные условия для развития проекта, и ОАО "РОСНАНО", выступающей в качестве соинвестора бизнеса и государственного института развития, который целенаправленно поддерживает развитие российских производителей оборудования связи и процессы, связанные с передачей передовых в мире технологий в Россию. Запуск производственных мощностей по изготовлению базовых станций для сетей мобильной широкополосной связи 4G LTE запланирован на четвертый квартал этого года. "Этот проект наглядно демонстрирует набирающий силу тренд становления высокотехнологичного сектора в экономике страны. Для Роснано он интересен трансфером знаний и технологий в Россию одной из ведущих мировых телекоммуникационных компаний. Кроме того, он дает российским производителям уникальный шанс стать поставщиками самого современного оборудования для сетей связи четвертого поколения", - подчеркнул председатель правления ОАО "РОСНАНО" Анатолий Чубайс. "Инновационные стремления Nokia Siemens Networks очень близки нашей компании, - сказал Виктор Гюнтер, генеральный директор НПФ "Микран". - У нас работают одни из лучших в стране исследователей в области беспроводных систем связи, СВЧ радиоизмерительного оборудования, СВЧ модулей и GaAs монолитных интегральных схем, и у нас есть все основания полагать, что мы сможем внести достойный вклад в успешную реализацию этого проекта. Помимо разработки действительно инновационного продукта, имеющей большое значение для региона, мы надеемся, что ведущие позиции Nokia Siemens Networks в области LTE ускорят передачу нашей стране необходимых компетенций и инновационных технологий". "Для нас большое значение имеет то, что Nokia Siemens Networks является компанией, передающей знания и инновационные технологии российским компаниям, создавая условия для их дальнейшего успешного развития, - добавила Кристина Тихонова, Генеральный директор Nokia Siemens Networks в России. - Россия - основной стратегически важный рынок для нас, и мы не просто продаем здесь свое оборудование и услуги, но и создаем возможности для применения того научного и производственного потенциала, которым она обладает. Мы стремимся к созданию на территории России всех составляющих продукта, от НИОКР до производства и последующего сопровождения". О Микране ЗАО "НПФ "Микран" является ведущим российским предприятием в области разработки и промышленного производства аппаратуры беспроводной связи различного назначения, измерительных приборов СВЧ диапазона, а также одно- и многофункциональных СВЧ модулей и комплексированных изделий на их основе. НПФ "Микран" владеет современными технологиями проектирования, производства и измерения GaAs монолитных интегральных схем на основе HEMT с частотами до 100 ГГц. НПФ "Микран" является вертикально интегрированной компанией полного цикла (маркетинг, разработка, промышленное производство, сопровождение продукции) в области радиоэлектроники СВЧ. О Nokia Siemens Networks Nokia Siemens Networks – ведущий мировой поставщик оборудования и решений для предоставления телекоммуникационных услуг. Ориентируясь в своей деятельности на инновации и устойчивое развитие, компания предлагает полный спектр мобильных, фиксированных и конвергентных сетевых решений, профессиональные услуги, включая консультационные услуги и услуги по системной интеграции, развертыванию и техническому обслуживанию систем, а также услуги по управлению сетями операторов. Компания является одним из крупнейших в мире поставщиков телекоммуникационного оборудования, программного обеспечения и профессиональных услуг, осуществляя свою деятельность в 150 странах мира. Запуск производственных мощностей по изготовлению базовых станций для сетей мобильной широкополосной связи 4G LTE запланирован на четвертый квартал этого года. 1. Sootw. plan zameschenija zarubeznix GaAS w dannix bazowix stanziajx na Rossijskie GaAS MMIC/LNA Micran 2. Sootw zakaz ot kontroliruemix gos-wom w toj ili inoj stepeni Vimpelkom, Mobilnie Telesystemi,Megafon na dannie bazowie stanzii

milstar: Виктор Гюнтер: арсенид-галлиевый потребительский гражданский рынок существует! ########################################################## http://www.periscope2.ru/?digest_id=25877 Авиасалоны мира, 25.11.2010 Александр Гудко В ноябре прошлого года Президент РФ в Послании Федеральному Собранию сообщил о стратегии национальной безопасности Российской Федерации, в 2008 — 2009 гг. утвердил стратегию развития информационного общества в РФ и обозначил основные направления инновационной деятельности и модернизации российской экономики. Но если есть стратегии, должна быть и тактика. Одним из предприятий, которое решает практические задачи, воплощая задуманное руководством страны в жизнь, является современное инновационное предприятием научно-производственная фирма «Микран». Об успехах предприятия, его разработках, перспективных проектах и планах на будущее мы побеседовали с генеральным директором компании Виктором Гюнтером. Вопрос: На российском рынке отечественных радиорелейных систем связи «Микран» занимает лидирующие позиции. Виктор Яковлевич, что обеспечило успех вашей компании в этом сегменте? Ответ: В процентном соотношении от общего объема этого сектора рынка нам принадлежит доля более 60%. Добиться этого удалось благодаря тому, что мы, будучи специалистами в области СВЧ-электроники изначально, вовремя «заскочили на ступеньку проходившего мимо трамвая», когда наступало время бурного развития цифровых радиорелейных линий. Помимо команды, занимавшейся СВЧ-техникой, нам пришлось создать очень мощную модемную группу. Тогда из молодых людей у нас сформировался хороший сплоченный коллектив, который постепенно набрал квалификацию. Сегодня мы всеми силами стараемся закрепиться на завоеванных рубежах и «прорываться» дальше, к новым вершинам. В: Теперь вопрос более узкий: получали ли Вы техзадание и финансирование от российских госструктур при создании мобильного комплекса связи МИК-МКС или это инициативная разработка? Когда можно ожидать решения о серийном производстве комплекса? О: Была ли эта разработка инициативной? И да и нет... Вообще говоря, ее развитие стимулировалось двояко. Инициатива с нашей стороны безусловно была, мы вложили свои деньги, причем приличные. Конечно, можно было отвернуться и заняться чем-то другим... Но мы этого не сделали. Финансирование мы получили в объеме порядка 30%. У нас в планах — вернуть собственные потраченные деньги за счет будущих продаж как внутри страны, так и за рубежом. Как на рынках военном и силовых структур, так и на гражданском. Что касается зарубежного — я уверен — наша экспортная продукция тоже будет пользоваться устойчивым спросом. Вы можете спросить — откуда такая уверенность? Делать столь оптимистические прогнозы позволяет уникальность станции. Тут позволю себе небольшой исторический экскурс. Раньше вся мобильная связь была узкополосной: использовались достаточно низкие частоты — до 2 ГГц. При таких частотах высокие мачты с не очень жесткой конструкцией были вполне приемлемым решением. Ведь ширина диаграммы направленности большая, и в том, что антенна качается, не было ничего страшного. Однако прогресс не стоит на месте, и через какое-то время в армии возникли проблемы с высокими скоростями. Пришло время строить достаточно высоскоростные мобильные линии передач, а это — высокочастотные диапазоны. Сразу изменились (резко ужесточились) требования к антенно-мачтовым устройствам. Они должны были стать совершенно другими. В кратчайший срок нам удалось разработать удачную мачтовую конструкцию. По всем характеристикам она получилась по-настоящему мобильная, быстро разворачиваемая, не требующая дополнительных растяжек. Кроме того, она приобрела «способность» поднимать большой вес на значительную высоту, и противостоять серьезным порывам ветра без изменения рабочих параметров. Сейчас она обеспечивает передачу информацию по 4 направлениям со скоростью до 1 55 мБит/с на каждое. В: Вижу, не напрасно в одном из своих недавних интервью Анатолий Чубайс упомянул «Микран» как одну из успешных инновационных компаний. Получаете ли вы инвестиции от «Росна-но»? Привлекаете ли вы, помимо собственных средств, инвестиции для развития из каких-либо других источников? О: От «Роснано» мы пока инвестиций не получаем. Наш проект АФАР (активных фазированных антенных решеток), который был одним из первых в технико-внедренческой зоне, мы защищали еще в МЭРТе при Германе Грефе. Тем не менее, в 2006 году политические интриги не позволили нам получить денег под однозначно перспективную работу. Некоторые высокопоставленные лица, принимающие решения в Наблюдательном совете «Роснано», несмотря на одобрение нашего проекта большинством членов этой структуры, продолжают убеждать всех, что в России арсенид-галлиевые чипы потребляет якобы только военный рынок. А еще в том, что конкуренция в любом виде вредна и раз кооперация в деле создания истребителя 5 поколения определена, другим лезть в это дело нечего. По моему твердому убеждению вся эта агитация вредна и технологическому развитию нашей державы не способствует. Потому что, во-первых, ясно как белый день, — арсенид-галлиевый потребительский гражданский рынок существует. И мы эти чипы будем использовать в радиорелейном оборудовании, системах широкополосного доступа, приборном направлении. Сегодня все радиоэлектронные системы строятся по принципу АФАР — системы ПВО, зенитно-ракетного вооружения, военно-космической обороны, судовые системы... У нас по всем этим направлениям реализуются договоры, ОКРы с нашим участием. Нами налажено производство массовой продукции. То есть сегодня мы «сидим на двух стульях» — выпускаем чипы и занимаемся собственно конструированием самих модулей. Раньше была идея создать нечто универсальное, но это был изначально неверный посыл. Потому что абсолютно универсальной радиоэлектронной системы попросту не существует: для каждой из них нужно искать свои оптимальные решения. Приходится решать массу проблем, связанных с отводом тепла, техническими характеристиками, конструктивными особенностями и т. д. Быть может, должно пройти несколько эволюционных этапов, когда появится третье поколение, в среде которого выделится несколько более или менее универсальных решений. По пути создания такого субмодуля, содержащего только СВЧ пошел НПП «Исток». В результате чего, на наш взгляд, все модули, использующие этот субмодуль СВЧ, стали неоптимальными, их труднее ремонтировать. Кроме того, в случае данного решения, плохо поддается автоматизации общая сборка модуля. В: Обращаясь к гражданскому рынку, о котором Вы упомянули... Виктор Яковлевич, скажите, как родилась идея предложить судостроителям и судовладельцам радиолокационную станцию «Река»? Есть ли у вас заказы на эту систему? О: Потребность в судовом радиолокаторе для рек высока. Что мы наблюдаем сегодня? Суда стоят на наших реках, особенно сибирских, в то время, когда могли бы активно работать. В частности — ночью и в тумане. По электронным картам они также не ходят... То есть налицо нужда в новой технологии судовождения, которая могла бы в разы повысить работоспособность судов, экономическую эффективность речного флота. И у нас такая технология есть. Конечно же, прежде чем она начнет применяться на практике, нужно провести большую работу — законодательную, нормотворческую. Имея все необходимые компоненты, мы получили очень удачный радиолокатор. С производством у нас никаких проблем нет. Цифровой техникой, которая занимается обработкой сигнала, мы тоже владеем. После проведенной нами презентации, власти, отвечающие за российское речное судоходство, выразили готовность всецело поддержать наше начинание. Заказы от речников у нас уже есть. Кстати, эти радары можно будет применять не только на речных судах, но и для решения, минимум, 3-4 других серьезных задач. Например — для охраны разного рода территорий, для повышения маневренности морских судов. При использовании нашего радара капитан получает возможность ближнего обзора с разрешением до полуметра в любых условиях при мизерной излучаемой мощности — десятки милливатт. Сигнал получается широкополосным, сложным, поэтому, соответствуя требованиям, никому не мешает. Сейчас мы готовим опытную партию таких устройств. Финансирование проекта осуществляется, по большей части, из собственных средств. При этом нам помогла областная власть, за один год выделив безвозмездно по результатам тендера на разработку опытного образца порядка 16 млн. рублей. В настоящее время завершается подготовка к опытной эксплуатации партии радиолокаторов «Река» из 10 штук. Эксплуатационные испытания начнутся уже в августе этого года в Томской судоходной компании. В: То, что к аппаратуре «Микрана» проявляет живой интерес отечественный потребитель, не может не радовать. А поставляет ли «Микран» какую-либо продукцию на экспорт? Какие из ваших систем могут быть конкурентоспособными на внешнем рынке? О: На экспорт мы продукцию поставляем в основном в страны СНГ. Продаем радиорелейное оборудование в Беларусь, в среднеазиатские республики. К концу текущего года начнутся поставки нашего оборудования через Рособоронэкспорт. Первой и большой партией должна «уйти» береговая локационная широкополосная аппаратура, предназначенная для охраны морских рубежей. Она позволяет собирать с контролируемых береговых линий протяженностью до нескольких тысяч километров информацию о происходящем в единый центр. Мы производим контрольно-измерительную аппаратуру СВЧ диапазона и аксессуары СВЧ тракта. Предприятию удалось в кратчайшие сроки завоевать лидирующее положение в данном сегменте российского рынка среди отечественных производителей. По техническим параметрам измерительные приборы НПФ «Микран» находятся на уровне лучших мировых достижений. А по цене, эксплуатационным характеристикам и уровню сервисного обслуживания — гораздо лучше приспособлены к потребностям российского рынка. Когда мы еще немного «дошлифуем» свои приборы, безусловно, предпримем экспансию на зарубежный рынок. В настоящее время мы ведем переговоры с двумя торговыми «монстрами». Они готовы частично включить нашу продукцию в свой прайс-лист и продавать ее, в первую очередь, в России, а дальше будет видно. Российского рынка нам пока хватает. «Микран» предпринимал попытку выхода на индийский рынок, но, оказалось, мы их заказы «не потянем» по причине нехватки производственных мощностей. Например, объектом одного из тендеров стали 2000 «релеек», а мы пока можем выпустить лишь порядка сотни в месяц. Сейчас строится завод, который даст нам возможность повысить количество выпускаемой продукции, что будет способствовать участию в подобных тендерах. Кроме того, при росте объемов производства нужно будет четко отслеживать качество всех серийных приборов — вне зависимости от величины «потока» оно должно оставаться на высоком техническом уровне. При этом выпускаемую аппаратуру нужно будет постоянно обновлять, модернизировать и чутко отслеживать все достижения в этой области — и все это при ограниченном финансовом ресурсе... Но — никуда не денешься: если хочешь оставаться «на плаву» нужно, невзирая на любые сложности, успевать все. При этом нужно «уживаться» с такими связными гигантами, как NEC, NOKIA, ALCATEL, SIEMENS и прочими. У транснациональных фирм огромные финансовые ресурсы и, соответственно, возможности совершенно другие. Но пытаемся сохранять «статус-кво». В: За счет высоких технических характеристик приборов, качества аппаратуры? О: Достаточно того, чтобы характеристики просто поддерживались на уровне «среднестатистического хорошего прибора». Кроме того, мы можем выступать в качестве партнера упомянутых компаний. Как организация, обслуживающая и проводящая техническое сопровождение их продукции, что особенно актуально в России. Возможность быть ближе к потребителю и предлагать лучшие услуги — самый главный наш «козырь». В: Сейчас многие говорят о необходимости развивать отечественную промышленность. Что необходимо прежде всего сделать, чтобы сохранить и развивать в России разработку и производство радиоэлектронных систем? О: Это непростая тема. Есть комплекс причин, которые сдерживают реализацию столь масштабных планов. Одна из них заключается в том, что в сегменте кремниевых технологий нам будет уже крайне тяжело «догнать» мир. С арсенид-галлиевыми — ситуация более оптимистичная: здесь мы еще можем составить достойную конкуренцию. Проект, который мы сегодня пытаемся реализовать — это как раз и есть одна из возможностей выйти на более приличный, чем сейчас и даже на мировой уровень. На внутреннем рынке с этим «не развернешься», поэтому нужно выходить на мировую арену и находить там свои ниши, расти. Дать какие-то радикальные рецепты подъема отечественного производства радиоэлектронных схем или назвать препятствующие этому факторы, помимо вышеназванного, я не могу. Сами посудите: стоимость рабочей силы уже — не главное. Она в том же Китае постоянно растет, как и прочих странах Юго-Восточной Азии. Что касается климата, то на фабрике по производству микроэлектроники он должен быть мягким: что жара, что холод — одинаковые беды. То есть, не важно куда вкладывать внушительные накладные расходы — на охлаждение цехов, их отопление или снижение в них влажности. Логистическая проблема, в данном случае, тоже не стоит — ведь рассматриваемая продукция весьма мало-габартина. Другое дело, что несколько разнится, например, менталитет китайского и российского рабочего. Но, я уверен, такого рода проблемы вполне преодолимы. Главное — использовать самые передовые технологии и технику, которая позволит добиться высокой производительности труда. И тогда все получится. В: Виктор Яковлевич, Вы руководитель, исповедующий политику непрерывного развития бизнеса. Это непростой путь, отнимающий утоп-менеджера немало сил, а иногда и здоровья. Есть ли у Вас свободное время? Как Вы его проводите? Что делаете в отпуске? О: В этом году я в первый раз в жизни съездил на две недели в теплую страну и отдохнул. Даже еще загар не прошел... Вообще, основное мое хобби — работа, которая приносит мне чувство удовлетворения. И уверяю Вас, это весьма положительно сказывается на здоровье. Поэтому, для его поддержания ограничиваюсь лишь некоторыми «спецмероприятиями». Этого оказывается вполне достаточно.

milstar: О: Это непростая тема. Есть комплекс причин, которые сдерживают реализацию столь масштабных планов. Одна из них заключается в том, что в сегменте кремниевых технологий нам будет уже крайне тяжело «догнать» мир. С арсенид-галлиевыми — ситуация более оптимистичная: здесь мы еще можем составить достойную конкуренцию. Проект, который мы сегодня пытаемся реализовать — это как раз и есть одна из возможностей выйти на более приличный, чем сейчас и даже на мировой уровень. На внутреннем рынке с этим «не развернешься», поэтому нужно выходить на мировую арену и находить там свои ниши, расти. ################################## "... Wojna est otez wsego" -Heraklit GaAS ( w dalnejschem wozmozno i GAN) , 16 bit -SiGE 250 msps ADC( 0.18 microna segondja dostatochno) i sootw OY nuzno razrabatiwat i proizwodit w Rossii

milstar: http://www.raytheon.com/businesses/rids/products/rtnwcm/groups/public/documents/content/rtn_bus_ids_prod_thaad_pdf.pdf Array populated with 25,344 X-band transmit/receive modules – 9.2 meter square aperture -------------- X band 16 watt GaN amplifier for military radar http://www.triquint.com/prodserv/more_info/proddisp.aspx?prod_id=TGA2517

milstar: Schwezija -Ericsson ,Finljandia -Nokia Schwezija -nejtralna ,Finljandia -bila w chisle druzej SSSR Krome Schwezii xoroscho esche i Finlandiju wzjat ... Proizwodstwo tel i bazowix stanzij Ericsson i Nokia s postepennoj lokalizaciej 60% Rossijskie GaAS FGUP Istok i Micran dlja rossijskogo ze rinka ... Dannie akzii pozwoljat ykrepit Rossijskuju GaAS industriju ... Koswenno wazno dlja woennix GaAS i GAN Владимир Путин приглашает Швецию к сотрудничеству в рамках ГЛОНАСС Версия для печати Facebook Twitter VKontakte LiveJournal "Российская газета" - www.rg.ru 27.04.2011, 14:14 Премьер-министр РФ Владимир Путин пригласил Швецию к сотрудничеству в рамках проекта спутниковой навигационной системы ГЛОНАСС. "У нас хорошее поле для сотрудничества. Швеция активно сейчас пользуется услугами ГЛОНАСС, соответствующие структуры шведские располагают технологиями, возможностями работать на земле, развивают наземную часть, (и они) могли бы быть нашими хорошими, в полном смысле этого слова, стратегическими партнерами", - заявил Владимир Путин в среду перед началом российско-шведских переговоров в широком составе. Он отметил, что в настоящее время на орбите находится спутниковая группировка ГЛОНАСС в составе 23-х космических аппаратов. "В ближайшее время будет 29-30 аппаратов. (Навигационная система) GPS как раз располагает 30 аппаратами на орбите", - заявил премьер-министр РФ. Владимир Путин также отметил потенциал сотрудничества и по другим направлениям. Напомнив, что объем прямых инвестиций шведского бизнеса в РФ составляет 2,5 миллиарда долларов, он подчеркнул, что в настоящее время растет и потенциал российских компаний. "Было бы правильным, если бы это была улица с двусторонним движением. Безусловно, это пошло бы на пользу и нашему сотрудничеству, и шведской экономике - приток капитала никогда не мешает", - сказал премьер.

milstar: http://www.rosrep.ru/news/index.php?ELEMENT_ID=5139&SECTION_ID=16 Компания "Ангстрем" и китайский производитель подписали соглашение о совместном производстве телекоммуникационного оборудования Компания "Ангстрем" и китайский производитель Huawei подписали соглашение о совместном производстве телекоммуникационного оборудования, в том числе для строительства сетей LTE. ####################################### Производство будет развернуто на мощностях "Ангстрема" в Зеленограде, его запуск запланирован на IV квартал 2011 г. В перспективе российская компания собирается выпустить линейку оборудования под собственным брендом. До тех пор пока в России не будет решен вопрос о выделении частот под сети четвертого поколения, потенциальным рынком сбыта могут стать страны СНГ. ####################################################################### В рамках соглашения, которое компании подписали вчера, "Ангстрем" будет производить телекоммуникационное оборудование под маркой Huawei на собственной производственной базе в подмосковном Зеленограде. Кроме того, компании будут совместно разрабатывать технологические решения. Начать производство планируется в IV квартале 2011 г., его проектная мощность составит до 10 тыс. изделий в год. ############################################################################################### W mire 2.2 mln bazowix stanzij wsex modifikazij W Rossii 110 000 bazowix stanzij Stoimost bazowoj stanzii LTE bez ystanowki - primerno 27 000 $ Esli w nix budut ispolzowatsja rossijskie GaAS/GaN i rossijskie AZP ############################################ to S.Ivenovu yawnij + В рамках проекта в 2011 г. "Ангстрем" инвестирует в технологическую базу 400 млн руб. Со своей стороны Huawei предоставит разработки и технологии, подготовит специалистов "Ангстрема" и установит систему контроля качества продукции. Производство и продажу полностью возьмет на себя "Ангстрем", Huawei, в свою очередь, получит лицензионные отчисления. На первом этапе "Ангстрем" будет производить базовые станции LTE, оборудование DWDM (OSN6800 и OSN1800), оборудование доступа (MA5600T и МА5603Т), IP-switch (S2300 и S3300 + S5300), оборудование РРЛ (серия RTN) и операторские маршрутизаторы (серии NE40/NE80/NEx). ############## Как рассказал на пресс-конференции президент НПО "Ангстрем" Алексей Таболкин, в дальнейшем компания планирует наладить производство собственной продукции. "Сейчас мы работаем над созданием линейки оборудования под собственным брендом, - сказал он. - Первый этап сотрудничества - это локализация производства". К 2013 г. в Зеленограде будут открыты дополнительные производственные мощности. ######################################################################################## Пока же, по словам Алексея Таболкина, компания проводит маркетинговую работу и изучает рынки сбыта. "Мы планируем в процессе усложнения локализации постепенно менять в собираемом оборудовании импортную микроэлектронику на российскую. ################################################################################# И начнем с интеграции в оборудование Huawei однокристального микропроцессора с функцией навигации ГЛОНАСС/GPS, разработанного на "Ангстреме", - говорит он. Huawei, в свою очередь, заинтересован в расширении партнерства с российскими производителями. По словам первого заместителя главы российского представительства компании Александра Богданова, Huawei ведет переговоры и с другими компаниями и в дальнейшем рассчитывает иметь несколько партнеров. Пока же китайский производитель ожидает, что сотрудничество с "Ангстремом" позволит ему увеличить свое присутствие на российском рынке. Компании рассчитывают, что в 2013 г. объем продаж оборудования совместного производства составит около 1 млрд руб. в год. ####################################################################################### Для начала потенциальным рынком сбыта станет Россия, а в дальнейшем - страны СНГ, сказал Алексей Таболкин. "Пока объем производства не такой большой, чтобы осваивать другие рынки", - считает он. Аналогичное партнерство российского производителя и иностранной компании реализуется в Томской области. Как ранее сообщал ComNews, в марте 2011 г. Nokia Siemens Networks, компания "Микран", администрация Томской области и корпорация "Роснано" подписали соглашение о создании производства оборудования для сетей LTE. ##################################### Mikran izgotowitel GaAS dlja AFAR MiG-35 Его запуск в Томске запланирован на IV квартал этого года, серийный выпуск будет налажен к 2012 г. Первоначальный объем выпускаемой продукции составит около 10 тыс. базовых станций в год (см. новость на ComNews от 15 марта 2011 г.). ########################################################################## Начало продаж ожидается в IV квартале 2011 г., однако проблема с выделением частот под строительство сетей LTE в России пока не решена. На вопрос о целесообразности таких сроков председатель совета директоров "Ангстрема" Леонид Рейман сказал, что главная цель проекта - организовать производство телекоммуникационного оборудования нового типа, а также провести совместные исследования и разработки. "Производство прежде всего нацелено на Россию, но сети LTE уже есть в других странах СНГ", - сказал он. Между тем операторы "большой тройки" уже развернули тестовые сети LTE в странах СНГ: МТС - в столице Армении Ереване и в столице Узбекистана Ташкенте, а "ВымпелКом" - в двух столицах Казахстана, Алма-Ате и Астане. Правда, проработали сети в Казахстане недолго, и пока оператор ведет переговоры с регулятором о полноценном запуске. Поставщиком оборудования для проекта "ВымпелКома" в Казахстане выступила компания Alcatel-Lucent. "Партнеры сами обратились к нам с предложением совместно развернуть сеть четвертого поколения, и их оперативность оказалась решающим фактором для начала сотрудничества", - сказал репортеру ComNews руководитель департамента по связям с общественностью в СНГ компании "ВымпелКом" Артем Минаев. По его словам, важным фактором при выборе партнера стал опыт в реализации аналогичных проектов. Например, у Alcatel-Lucent совместно с Verizon запущена сеть LTE в 700-м диапазоне в США. В начале 2011 г. сеть в Алма-Ате была отключена по окончании действия лицензии. "Окончательного решения по LTE нет, но мы ведем совместную работу с регулятором на тему развития в республике сетей связи четвертого поколения", - пояснил ситуацию Артем Минаев. "ComNews" 9 июня 2011 года

milstar: LTE Base Station Market to Reach $13 Billion in Sales by 2016 ######################################### Contact Author Posted June 7, 2011 LTE RAN Infrastructure Market on Upswing MONTREAL, Canada, June 7, 2011 - As LTE contract awards, deployments and subscriber base growth accelerate, all RAN vendors are poised for growth in the 4G market according to the latest issue of the 4GgearTM Quarterly Report from Maravedis. "Benefitting from a generally more positive environment in 2010 and 2011 than in 2009, our research found that all infrastructure vendors are getting a piece of the LTE pie," commented lead author Fernando Donoso, Senior Analyst. "However, Ericsson above all has gained a head start in real-world LTE deployment and operations expertise, thanks to their position in Verizon's and MetroPCS' LTE networks - the only truly commercial-scale networks worldwide" he continued. Everything is not rosy for the Swedish vendor. Maravedis' in-depth analysis of Huawei and Nokia-Siemens networks showed that both have the potential to challenge the world number 1 wireless infrastructure vendor in LTE, thanks to their advanced base station architectures, increasingly sophisticated end-to-end solutions, and the impressive number of LTE contracts both companies have succeeded in accumulating. Sign up for our FREE newsletter for more news like this sent to your inbox! Additional Research Findings: • Maravedis forecasts that the worldwide LTE market will rise from approximately $1.5 billion USD in 2011, to over $13 billion in 2016, including both FDD and TDD equipment. • LTE shipments so far have consisted 100% of macro cell base stations. • All major RAN vendors have introduced distributed macro base stations using centralized baseband processing - so-called baseband farms. • Maravedis expects commercial small cell base station deployments to begin in 2012. "We see distributed macro base stations and pico cells bringing the vision of heterogeneous networks into reality in 2012" added Adlane Fellah, Research Director. "But operators may allocate common budgets for all small cell deployments, regardless of technology, so the competition between pico cells, femto cells, and carrier Wi-Fi is likely to become fierce." DOWNLOAD BROCHURE ### 4GgearTM is an ongoing research and analysis service focusing on technology and business trends among the leading LTE and WiMAX equipment vendors. Maravedis' 4Ggear research consists of deep analysis of the broadband wireless industry and individual vendors, highlighted by interviews with the major infrastructure vendors in the 4G space. MARAVEDIS is a premier global provider of market intelligence and advisory services focusing on 4G and broadband wireless technologies, regulation and markets. http://www.fiercemobilecontent.com/press-releases/lte-base-station-market-reach-13-billion-sales-2016 Read more: LTE Base Station Market to Reach $13 Billion in Sales by 2016 - FierceMobileContent http://www.fiercemobilecontent.com/press-releases/lte-base-station-market-reach-13-billion-sales-2016#ixzz1PSCJR8jp Subscribe: http://www.fiercemobilecontent.com/signup?sourceform=Viral-Tynt-FierceMobileContent-FierceMobileContent

milstar: Executive Summary  Like they did last year, Ericsson and Huawei share the top spot in the LTE ranking.  The LTE infrastructure market is forecast to grow from approximately $2.5 billion USD in 2011 to $13 billion USD by 2016. ###########################################################  As operators increase their levels of infrastructure investment, all the vendors have reported improved financial performance in 2010 and early 2011. The LTE vendor set is therefore unlikely to be reduced further in the short term, despite previous consolidation trends.  The WiMAX vendor set continued to shrink in 2011 as WiMAX loses momentum and is increasingly regarded as legacy technology by operators. Further reductions of the WiMAX vendor set are possible.  All major RAN vendors have introduced distributed base stations using centralized baseband processing – so-called baseband farms. These types of deployments are increasingly being adopted by operators. Operators may find that having invested in a baseband farm, they are locked-in to that vendor. Competitors may find that once another vendor deploys a baseband farm, access to that area has been effectively blocked.  Early LTE deployments are concentrated among a handful of operators, notably Verizon. This has benefitted Ericsson and Alcatel Lucent above all, who are the only vendors that have deployed commercial-scale networks, giving them a head start in maturing their LTE technology.  Huawei and NSN are positioned for future growth due to the large number of LTE contracts they have been awarded. Maravedis notes that many of these contracts are for small trial networks, and do not guarantee future deployments.  Huawei has succeeded in penetrating the technologically demanding Western Europe market and has rolled out some of the larger LTE networks. We expect them to become the largest network vendor in the near future.  The market for LTE small cells has not yet materialized, in part because vendors don’t have products ready to go to market. Maravedis expects LTE small cell deployments to begin in 2012, with increasing volume in 2013 and 2014.  3G Leapfrogging is not yet a phenomenon in the wireless industry. Maravedis has identified that 21 out of 25 top LTE operators, or 84%, will be moving from HSPA to HSPA+ prior to their evolution to LTE.  All vendors are pushing into cloud computing and service delivery. They are becoming increasingly sophisticated solution providers deriving a growing portion of their income from services – installation, engineering, and network operations.  The more sophisticated LTE Vendors are working to develop capabilities in their mobile network solutions to drive ARPU, particularly in video services. http://www.maravedis-bwa.com/assets/media/pdf/Brochures/brochure%204GgearQR_June2011%20RAN%20Trends.pdf

milstar: 24.08.2011 Журнал "Фазотрон" №1-2 (15), 2011 г. РАЗРАБОТКА И ОРГАНИЗАЦИЯ ПРОИЗВОДСТВА ПРИЕМО-ПЕРЕДАЮЩИХ МОДУЛЕЙ АФАР С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СОБСТВЕННОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ СВЧ Аржанов С.Н., Баров А.А, Гюнтер В.Я. Гюнтер Виктор Яковлевич Окончил Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники в 1969 году по специальности Радиотехника. После окончания вуза с 1969 по 1991 год заведовал лабораторией кафедры ТОР ТИАСУРа. С 1991 года - генеральный директор и главный конструктор ЗАО "НПФ "Микран", а с апреля 2000 года Виктор Яковлевич - научный руководитель НИИ систем электросвязи при ТУСУРе. Аржанов Сергей Николаевич Окончил Горьковский политехнический институт по специальности Радиотехника. В 1988 году присуждена ученая степень кандидата технических наук. В 1989 году присвоено ученое звание старшего научного сотрудника. С 1992 года работает в ТУСУР, в настоящее время занимает должность ведущего научного сотрудника. С 1999 года работает в ЗАО “НПФ ”Микран” в должности Первого заместителя генерального директора. Баров Александр Анатольевич Окончил Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники в 1992 году по специальности Радиотехника. С 1992 по 1998 годы работал в ТУСУР в должности инженера-электроника 3 категории. С 1999 года по настоящее время работает в ЗАО “НПФ ”Микран” в должности ведущего специалиста отделения монолитных интегральных схем.. 1. Введение Технология активных фазированных антенных решеток (АФАР) на сегодня является доминирующей при построении радиоэлектронных систем различного назначения. Бортовой радар (БРЛС) истребителя 5-го поколения, построенный с использованием технологии АФАР – ее обязательный атрибут. Ключевым элементом АФАР является встроенный в элементарный излучатель антенны приемо-передающий модуль (ППМ), использующий арсенидогаллиевые монолитно-интегральных схемы (МИС СВЧ). Кроме технических проблем реализации АФАР, одним из недостатков, является высокая стоимость антенной решетки. Поэтому промышленное освоение и производство ППМ на специализированных СВЧ МИС со встроенной системой цифрового управления есть задача, которую необходимо решить. В настоящей работе приведены результаты проектирования и производства четырехканального ППМ для БРЛС, выполненного на основе технологии многослойных СВЧ печатных плат. Данный подход, на наш взгляд, позволяет реализовать массовое производство ППМ для АФАР различного назначения при минимизации затрат и соответственно цены изделия. 2. Производители РЛС с АФАР По экспертной оценке. мировой рынок РЛС с АФАР к 2015 году составляет порядка 15 млрд. долл.США, На рис. 1 представлены основные фирмы-производители, наименования систем с АФАР и объекты на которых установлены данные РЛС [ 1,2 ]. В настоящее время в России имеется два профилирующих предприятия по проблеме создания авиационных БРЛС с АФАР - ОАО "Научно-исследовательский институт приборостроения им. В.В. Тихомирова" и ОАО «Корпорация «Фазотрон-НИИР». Оба этих предприятия в течение многих лет известны как создатели практически всего радиолокационного оборудования для отечественной истребительной авиации. Соисполнителем создания АФАР, разрабатываемых НИИП им. В.В. Тихомирова .является НПП «Исток» - ведущее предприятие электронной отрасли в СССР, а затем в РФ в области СВЧ электроники. НПФ «Микран» была создана в Томске в 1991 году на базе лаборатории СВЧ усилительных устройств Томского института систем управления и электроники (сейчас ТУСУР). К 2002 году предприятием был накоплен уровень компетенции в части разработки многофункциональных СВЧ модулей, цифровой обработки сигналов, модемных и аппаратных решений, позволивший приступить к созданию ППМ и собственного, специализированного комплекта СВЧ МИС для ППМ АФАР. Заказчиком ППМ для проекта БРЛС истребителя МиГ-35 «Жук-АЭ» была «Корпорация «Фазотрон-НИИР». По состоянию на конец 2010 года на предприятии работают около 1000 сотрудников, из них 30% - отделения НИОКР. Произведено и поставлено потребителям более 6000 цифровых радиорелейных станций, 500 единиц контрольно-измерительной аппаратуры (КИА) СВЧ диапазона собственной разработки, а предприятие заняло одно из ведущих мест по этим направлениям и сложнофункциональным СВЧ модулям в России. Рис. 1. Основные производители и потребители АФАР в мире (отечественные разработки представлены не полностью) 3. Назначение ППМ в составе АФАР и требования к основным характеристикам Бортовая РЛС, построенная на основе АФАР, представляет собой дальнейшее развитие РЛС с пассивной ФАР. Структурные схемы БРЛС с ФАР и АФАР приведены на рис.2. Отличительной чертой АФАР является перераспределение усиления из группового тракта приема и передачи в апертуру антенны за счет добавления нового элемента – приемопередающего модуля. В результате появляются новые возможности системы в сравнении с ФАР, такие как амплитудно-фазовое формирование лучей; улучшаются технические параметры: меньший шум-фактор приемника, меньшая мощность основного передатчика (становится возможным его твердотельное исполнение), в итоге - повышенный ресурс и надежность БРЛС [ 3 ]. Следует отметить, что в целях снижения стоимости работ при создании АФАР возможно применение унификации как при создании ППМ, так и самих антенн на нескольких уровнях: по МИС СВЧ, по конструктиву ППМ, ремонтопригодности и измерению параметров, по питанию и системам управления, которых может быть несколько в зависимости от решаемых задач. В то же время не проще задача и создания специальной электронной компонентной базы СВЧ (ЭКБ СВЧ), а в ряде случаев и технологически более сложная. Таким образом, для создания ППМ и входящих в их состав ЭКБ СВЧ требуются значительные интеллектуальные и материальные ресурсы. Особенно остро этот вопрос стоит до сих пор перед отечественной радиоэлектронной отраслью, которой по известным причинам был нанесен огромный ущерб в 1990-е годы [ 4 ] . Рис. 2. Структурная схема БРЛС, построенных на основе ФАР (а) и АФАР (б) Применительно к АФАР БРЛС, работающей в Х-диапазоне, можно так обозначить основные характеристики ППМ, которые являются уже типовыми: - полоса рабочих частот не менее 1-2 ГГц; - излучаемая мощность порядка 7-10 Вт, импульсный режим работы с переменной скважностью и длительностью; - коэффициент шума приемного тракта с устройством защиты не более 3 дБ; - раздельное цифровое управление амплитудой и фазой излучаемых и принимаемых СВЧ сигналов с обеспечением глубины и точности регулировки не менее 20дБ (5 бит) по амплитуде и 360° (6 бит) по фазе; - минимальные тепловыделение и массогабаритные параметры. Ограничения на габаритные размеры ППМ определяются требованиями обеспечения постоянной решетки, которая близка к половине рабочей длины волны БРЛС (для Х-диапазона это 15÷20мм), соблюдение последних приводит к необходимости применения только бескорпусных функциональных элементов СВЧ тракта и конструктивно-технологических приемов c максимально плотной упаковкой. Уровень выходной мощности ППМ обеспечивается твердотельным усилителем с КПД порядка 30÷40 % (типовая величина подобных МИС) при общем количестве ППМ в составе решетки 1000÷2000 штук. Эти условия требуют применения эффективной системы охлаждения АФАР (как правило, жидкостной). Сложность решаемой задачи повышает и необходимость применения ступенчатой секционной системы вторичных источников питания и подвода линий питания и управления к полотну АФАР, так что в целом БРЛС с АФАР представляет собой чрезвычайно сложную комплексную радиотехническую систему. 4. Функциональная схема ППМ На рис.3 приведена функциональная схема ППМ, представляющая реализованную структурную схему приемного и передающего СВЧ трактов, также управляющего модуля. Рис. 3. Функциональная схема ППМ: ВыхК – выходной коммутатор; МШУ – малошумящий усилитель приемного тракта с ограничителем; УМ – мощности передающего тракта; ВМ – векторный манипулятор; БККУ – блок контроля коммутации и управления. Управление амплитудой и фазой излучаемого и отраженного сигнала производится в общем тракте за счет включения в схему трех СВЧ коммутаторов. На наш взгляд данная функциональная схема обладает рядом преимуществ по сравнению с другими возможными вариантами, в частности со схемой, предложенной в [5, 6]: - минимизируется количество управляемых МИС и, следовательно, цепей управления; - значительно упрощается система калибровки АФАР в целом, так как температурные и частотные погрешности управления амплитудой и фазой в ВМ можно откалибровать в режиме работы на прием; - данное решение позволяет обеспечить необходимый уровень развязки между приемным и передающим трактом, так как электрически управляемый выходной коммутатор, по сравнению с циркулятором, обеспечивает большую развязку, не зависящую от согласования с облучателем. Ограничения на массогабаритные показатели ППМ определяют использование в его СВЧ тракте только специализированных МИС СВЧ. Для комплектования ППМ Х-диапазона ряд зарубежных фирм провел разработки и освоил производство полного набора МИС функциональных элементов. Примером набора МИС могут служить схемы, производимые на момент начала наших работ фирмами MaCom, Triquint, UMS. Причем, ряд типов этих специализированных МИС находились под запретом для продажи в другие страны, что существенно ограничивало развитие систем АФАР «сторонними организациями» на мировом рынке. 5. Разработка комплекта GaAs МИС функциональных элементов ППМ. Функциональные элементы СВЧ тракта ППМ разделяются на управляющие и активные (усилительные). К управляющим элементам относятся коммутаторы, дискретный аттенюатор, дискретный фазовращатель. К активным: МШУ, УМ и буферные усилители. Первоначально, развитие ППМ тематики у всех производителей происходило по пути разработки и изготовления ряда «дискретно функциональных» МИС перечисленных выше и возможных способов упаковки их в общий функциональный блок. Например, в первом варианте ППМ для «Жук-АЭ» использовалось 12 «дискретно функциональных» МИС СВЧ на один канал. Разработка этих МИС производилась силами НПФ «Микран» с использованием технологической базы томского ОАО НИИПП [ 7 ]. С получением опыта, развития схемотехники и технологии изготовления МИС количество кристаллов на один канал ППМ сокращается до трех типов: МИС УМ, МИС МШУ и многофункциональная МИС с дискретным управлением амплитудой и фазой ППМ – векторный манипулятор (ВМ) ( рис.3). Такое разбитие логично и обусловлено в первую очередь требованием к различным конструкциям полупроводниковых пластин, на которых выполняются данные МИС. Схемотехника УМ требует больших пробивных напряжений на активном элементе с целью получения необходимой выходной мощности ППМ; для МШУ требуется другая структура полупроводниковой пластины с целью обеспечения минимума вносимого собственного шума приемника; многофункциональная МИС кроме аттенюатора, фазовращателя, коммутаторов должна содержать схемы сопряжения с внешним цифровым управлением – для этого требуется как правило третья полупроводниковая конструкция. В рамках решения этой ключевой задачи НПФ «Микран» в настоящее время разрабатывает и осваивает в производстве необходимые GaAs МИС СВЧ по технологии p-HEMT на собственной технологической линии, укомплектованной и запущенной в эксплуатацию в 2009 году. На рис.4 представлены образцы МИС СВЧ, разработанные и изготавливаемые на предприятии Рис. 4. МИС СВЧ, разработанные и изготавливаемые НПФ «Микран» 6. Конструкция группового ППМ. Конструкция группового четырехканального ППМ основана на применении общей многослойной СВЧ печатной платы. МИС УМ располагается на отдельных термокомпенсационных основаниях в «окнах» печатной платы. Данное решение позволяет в максимальной степени применить в производственном процессе хорошо отработанные стандартные автоматизированные сборочные операции, а ,следовательно,обеспечить минимизацию себестоимости изделий. А именно: единый сборочный цикл всех четырех каналов ГППМ и схемы управления на общей плате; поверхностный монтаж корпусированных элементов; монтаж и ультразвуковая разварка бескорпусных СВЧ МИС. При этом замена любого элемента максимально облегчена и полностью встраивается в сборочный цикл. Пример компоновки четырехканального ППМ показан на рис.5. Рис. 5. Первый макетный вариант ППМ АФАР для БРРЛ «Жук-АЭ» (2005г) с гибридным УМ. Массогабаритные параметры ППМ согласованы с общей компоновкой АФАР. ГППМ имеет герметичный алюминиевый корпус, плоское дно которого крепится к теплоотводящему радиатору полотна АФАР. Преимуществом данной конструкции ППМ является то, что он инвариантен к месту расположения в полотне АФАР. ППМ легко монтируется со стороны облучателя, что облегчает регламентные работы и обслуживание в условиях ремонтной организации без демонтажа АФАР. На рис.6 приводится последовательность разработки и производства БРЛС «Жук-АЭ»: МИС СВЧ – ППМ – полотно АФАР – РЛС – истребитель МиГ-35. Рис. 6. Этапы разработки и производства ППМ АФАР в системе БРЛС «Жук-АЭ» 7. Построение схемы БККУ и принцип группового ППМ. Блок контроля, коммутации и управления (БККУ) ППМ предназначен для приема и исполнения команд управления от центральной вычислительной системы (ЦВС) БРЛС, а также для передачи в нее информации о состоянии ППМ. БККУ выполняет следующие операции управления и диагностики ППМ: - Принимает от ЦВС значение кодов фаз и амплитуд на прием и передачу для следующего такта работы БРЛС; сигнал переключения ППМ из режима приема в режим передачи и обратно; команду контроля состояния ППМ. - Выдает сигналы в ЦВС: диагностические сообщения о состоянии ППМ (температура, выходной уровень излучения); информацию состояния управляющих регистров аттенюаторов и фазовращателей; сигнал контроля содержимого регистра состояния. Ядро схемы БККУ реализуется на основе заказной кремниевой СБИС. На первых этапах отработки функционирования БККУ ядро реализовано на ПЛИС. Для обеспечения точности амплитудных и фазовых сдвигов в диапазоне рабочих частот и температур в схеме БККУ предусмотрена запись матрицы состояний (коды управления аттенюатором и фазовращателем) во встроенную внутреннюю память. Это обеспечивает соответствие реальных изменений коэффициента усиления по амплитуде и фазе требуемым протоколом управления амплитудным и фазовым сдвигам. Информация записывается в память при проведении калибровки ППМ. Производительность современных СБИС позволяет построить схему БККУ общей для нескольких, как правило, четырех ППМ. Этот прием позволяет конструктивно и схемотехнически объединить их в одном корпусе, групповом ППМ (ГППМ), а схема БККУ является общей для всех четырех каналов и обеспечивает независимое управление ими по амплитуде и фазе. 8. Оборудование для тестирования и поверки параметров ППМ. В промышленном производстве любого электронного изделия особое внимание уделяется вопросам контроля электрических характеристик. Для сложных, комплексированых изделий полный контроль зачастую не оправдан и/или затруднен в силу сложности изделия и/или трудоемкости измерений стандартным парком универсальных измерительных приборов. С целью повышения производительности актуальна задача оптимизации затрат на контроль параметров при изготовлении изделия. Задача решается в двух направлениях. Во-первых, при промышленном производстве проводится не весь спектр измерений, а выбирается ряд обязательно контролируемых характеристик по которым, с большой долей вероятности, можно принимать решение о соответствии изготовленного изделия заданным требованиям. Во-вторых, минимизируют время, необходимое для проведения измерений этих характеристик. Применительно к производству ППМ АФАР обязательному контролю подлежит амплитудно-фазовая регулировочная характеристика. Достаточными интегральными характеристиками СВЧ приемного тракта выступают параметры АЧХ и коэффициента шума; а для передающего СВЧ тракта – параметры АЧХ и уровня выходной мощности. Минимизация временного фактора осуществляется путем создания специализированных рабочих мест, где сгруппирован парк необходимых контрольно-измерительных приборов и приспособлений по оперативной поверке параметров производимого изделия с максимальной автоматизацией процесса. Необходимо отметить ряд особенностей по структуре рабочего места, режимам работы и измерения перечисленных параметров ППМ АФАР: - ППМ- устройство двунаправленное. При включении в СВЧ измерительный тракт необходимо производить комплексный обмер в диапазоне частот как передающего, так и приемного канала. Рабочее место по поверке параметров строиться на основе векторного анализатора СВЧ цепей. Уровень мощности на передачу может достигать десятки ватт, а уровень зондирующего сигнала на вход приемника должен составлять десятки микроватт, что требует доработки измерительного тракта большинства универсальных векторных анализаторов цепей. Следует заметить, что доработка (включение дополнительных аттенюаторов) приводит к потере ряда функции векторного анализатора, таких как измерение коэффициента отражении, которая, в конечном итоге сказывается на метрологической точности стандартных алгоритмов измерений; - Режим работы передающего канала ППМ импульсный. Измерение параметров АЧХ и выходной мощности производится в режимах близким к рабочим. Имевшийся на момент разработки ППМ парк универсальных импульсных векторных анализаторов цепей (например, серии PNA фирмы Agilent) измеряют комплексный коэффициент передачи импульсов длительность от 20нс, но они построены по схеме цифрового стробоскопического преобразователя, и, в силу этого, имеют ряд метрологических особенностей не всегда способных адекватно отражать процессы в ППМ при мгновенной смене режимов работы; - Управление состояниями ППМ осуществляется по уникальному цифровому интерфейсу и протоколу. Для автоматизации процесса измерений обязательно наличие дополнительного устройства – эмулятора шины управления (ЭШУ), который позволяет связать ППМ со стандартной шиной межприборного взаимодействия; - Синхронизация работы и процесса измерения ППМ в типовой конфигурации рабочего места на базе универсального импульсного анализатора цепей (типа Agilent E8362B) осуществляется за счет внешних генераторов сигналов, что требует дополнительных приборов и усложняют систему управления процессом измерения; - Количество амплитудно-фазовых состояний одного канала ППМ составляет 4096. Оценка времени измерения одного ППМ с помощью универсального парка измерительных приборов составляют десятки минут. Из изложенного выше следует, что построение рабочего места на базе универсальных измерительных приборов необходимо с метрологической стороны, но такие стенды.укомплектованные зарубежной измерительной техникой не оптимальны и дороги, с точки зрения организации промышленного производства ППМ. В результате анализа требований к рабочему месту на базе функциональных узлов собственного (НПФ «Микран») изготовления был разработан специализированный измерительный комплекс по поверке параметров ППМ и изготовлены опытные образцы этих устройств. Разработанные измерительные комплексы относятся к технологическому оборудованию, которое предназначено оптимизировать время тестирования ППМ. Комплексы тестирования параметров ППМ, позволяющие обеспечить время тестирования всех состояний канала ППМ с протоколированием и паспортизации результатов, успешно применялись для выпуска партии групповых ППМ бортовой АФАР «Жук¬АЭ». Упрощенная структурная схема специализированного измерительного комплекса на рис.7. Рис. 7. Структурная схема специализированного измерительного комплекса тестирования параметров ППМ. Комплекс состоит из: формирователя зондирующего сигнала (ФЗС); измерительных приемников опорного и выходного сигнала; коммутатора направления измерений (КН); эмулятора шины управления (ЭШУ). Управление всеми режимами работы и отображение результатов измерений осуществляется на персональном компьютере (ПЭВМ). В структурной схеме не показан независимый блок источников питания, который интегрируется в комплекс и позволяет контролировать процесс включения/выключения питающих напряжений и потребляемых токов посредством ПЭВМ. Особенностью построения функциональных узлов комплекса является следующее: - Формирование зондирующего сигнала осуществляется цифровым способом с последующим переносом в диапазон рабочих частот ППМ. Благодаря этому в качестве зондирующего сигнала может быть оперативно сформирован любой тип сигнала, необходимый для проведения измерений (однотоновый, двухтоновый, шумовой); - Измерительные приемники построены по схеме с цифровым формированием квадратур, что потенциально позволяет измерять точность фазы до десятых долей градуса и амплитуду до десятых долей децибела за один импульс излучения ППМ; - Измерительные приемники имеют достаточную буферную память для временного хранения информации цикла измерений без обращения к ПЭВМ; - Синхронизация процесса измерения и изменения режима работы ППМ производится по внутренним квитирующим линиям. Перечисленные особенности, во-первых, позволяют значительно сократить время измерения основных параметров ППМ, во-вторых, обеспечивают возможность дополнительного измерения шумовых и динамических характеристик СВЧ тракта ППМ. Экспериментально установленное время измерения, обработки и отображения на экране ПЭВМ всех состояний комплексного коэффициента передачи ППМ в режиме передачи и приема (4096 переключений) на четырех частотных точках при длительности импульса зондирующего сигнала 2 мкс составляет 2 секунды. На рис.8 представлено рабочее место тестирования параметров ППМ. Рис. 8. – Рабочее место контроля параметров ППМ АФАР Оператор в интерактивном режиме может управлять состоянием ППМ и режимом измерения, а также наблюдать измеренное значение комплексного коэффициента передачи, амплитудно-фазовую регулировочную характеристику и векторную диаграмму состояний ППМ на выбранной частоте. На рис.9 представлен интерфейс программы управления. Рис. 9. – Отображение результатов измерений ППМ АФАР Кроме отображения результатов измерений программа управления производит вычисление кодов компенсации паразитной амплитудно-фазовой конверсии регулировочной характеристики и записывает эти значения во внутреннюю энергонезависимую память ППМ, с последующим контролем внесенных значений. Реализована статистическая обработка измерений и электронная паспортизация базы данных. Опыт эксплуатации и решение задач по оптимизации процедуры тестирования и настройки полотна АФАР показывают, что разработанный комплекс можно использовать и для измерения рабочих параметров РЛС. 9. Заключение. Представлены решения функционального и конструктивного построения четырехканального ППМ АФАР, в которых: - концептуально решены вопросы автоматизированной сборки СВЧ МИС, цифровых схем управления и модуляции питания УМ; - учтены вопросы минимизации массогабаритных параметров ППМ, минимизации токопотребления, отвода тепла, сопряжение обмена данными управления и диагностики с ЦВС; - разработаны и выпускаются ряд МИС СВЧ, проводится работа по разработке и промышленному выпуску полного унифицированного комплекта МИС СВЧ радиотракта ППМ; - для оперативного контроля основных параметров ППМ при промышленном производстве разработан технологический измерительный комплекс, программное обеспечение и методология применения которого опробованны на партии ГППМ БРЛС «Жук-АЭ»; - для приемосдаточных испытаний на предприятии реализован измерительный комплекс на базе созданного НПФ « Микран» сертифицированного векторного анализатора цепей СВЧ Р4М-18,выпускаемого серийно на предприятии, позволяющий проводить тестирование ППМ АФАР для разного вида радиолокационных сигналов, в широком диапазоне частот и температур. Как уже отмечено, все измерительное оборудование комплекса разработано и производится на предприятии. Литература 1. Маркетинговое исследование «Radars - A Global Strategic Business Report», Global Industry Analysts, San Jose, California, USA, http://www.strategyr.com 2. Маркетинговое исследование «Asia Pacific Air ISR Radar Markets», Frost & Sullivan, http://www.frost.com 3. Состояние и перспективы разработки PJIC для самолетов 5-го поколения (обзор по материалам иностранной печати).- Под ред. Е.А. Федосова,- Изд. ФГУП ГНИИАС, 2002. 4. Н.Макаров .Основная задача оборонно-промышленного комплекса-создание перспективной системы вооружения. Национальная оборона, №9(30) сентябрь 2008.стр.15. 5. Синани А.И., Алексеев О.С., Винярский В.Ф. Активные ФАР. Концепция разработки и опыт разработки. -Антенны, 2005, №2(93), с.64-68. 6. Синани А.И. «Антенные системы с электронным лучом для бортовых РЛС», Антенны, № 9 (136), 2008г. 7. Комплект управляющих СВЧ GaAs МИС для систем АФАР. Аржанов С.Н., Баров А.А., Гусев А.Н., Гюнтер В.Я. Труды 17-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’2007). 10-15 Сентября, Севастополь, Крым, Украина. http://www.micran.ru/about/News_press/1164/

milstar: 06.05.2011 Компания НПФ «МИКРАН» объявляет о наборе специалистов в совместное предприятие с Nokia Siemens Networks Nokia Siemens Networks открывает производство в России. В томской ОЭЗ будет развернуто совместное с НПФ «Микран» производство базовых станций для сетей мобильной связи четвертого поколения по технологии Long Term Evolution (LTE) и транспортных систем беспроводной и волоконно-оптической связи. http://www.micran.ru/news/

milstar: http://npp-pulsar.rosprom.org/files/fvr.doc Монолитные GaAs интегральные схемы многоразрядных СВЧ фазовращателей 3-х сантиметрового диапазона ФГУП НПП “ПУЛЬСАР” Москва, 105187 конт.тел. 095-366-59-61 Окружной проезд, 27 факс. 095-366-59-61 Контактное лицо: Сендерук Юрий Семенович e-mail: pulsar@dol.ru

milstar: Разработка и организация производства приемо-передающих модулей АФАР с использованием собственной электронной компонентной базы СВЧ 14.07.2011 · ПЕРВАЯ ЛИНИЯ · Комментарии (0) Виктор Гюнтер – генеральный директор и главный конструктор ЗАО «НПФ «Микран» Сергей Аржанов – первый заместитель генерального директора ЗАО «НПФ «Микран» Александр Баров – ведущий специалист отделения монолитных интегральных схем ЗАО «НПФ «Микран» В настоящей работе приведены результаты проектирования и производства четырехканального ППМ для БРЛС, выполненного на основе технологии многослойных СВЧ печатных плат. Данный подход, на наш взгляд, позволяет реализовать массовое производство ППМ для АФАР различного назначения при минимизации затрат и соответственно цены изделия. Технология активных фазированных антенных решеток (АФАР) на сегодня является доминирующей при построении радиоэлектронных систем различного назначения. Бортовой радар (БРЛС) истребителя 5-го поколения, построенный с использованием технологии АФАР – ее обязательный атрибут. Ключевыми элементами АФАР являются встроенные в излучатели антенны приемопередающие модули (ППМ), использующие арсенидогаллиевые монолитно-интегральные схемы (МИС СВЧ). Кроме технических проблем реализации АФАР, одним из недостатков, является высокая стоимость антенной решетки. Поэтому промышленное освоение и производство ППМ на специализированных СВЧ МИС со встроенной системой цифрового управления есть задача, которую необходимо решить Производители РЛС с АФАР По экспертной оценке. Мировой рынок РЛС с АФАР к 2015 г. составляет порядка 15 млрд. долл.США, На рис. 2 представлены основные фирмы-производители, наименования систем с АФАР и объекты на которых установлены данные РЛС. В настоящее время в России имеется два профилирующих предприятия по проблеме создания авиационных БРЛС с АФАР – ОАО «Научно-исследовательский институт приборостроения им. В.В. Тихомирова» и ОАО «Корпорация «Фазотрон-НИИР». Оба этих предприятия в течение многих лет известны как создатели практически всего радиолокационного оборудования для отечественной истребительной авиации. Соисполнителем создания АФАР, разрабатываемых НИИП им. В.В. Тихомирова является НПП «Исток» – ведущее предприятие электронной отрасли в СССР, а затем в РФ в области СВЧ электроники. НПФ «Микран» была создана в Томске в1991 г. на базе лаборатории СВЧ усилительных устройств Томского института систем управления и электроники (сейчас ТУСУР). К2002 г. предприятием был накоплен уровень компетенции в части разработки многофункциональных СВЧ модулей, цифровой обработки сигналов, модемных и аппаратных решений, позволивший приступить к созданию ППМ и собственного, специализированного комплекта СВЧ МИС для ППМ АФАР. Заказчиком ППМ для проекта БРЛС истребителя МиГ-35 «Жук-АЭ» была «Корпорация «Фазотрон-НИИР». По состоянию на конец2010 г. на предприятии работают около 1000 сотрудников, из них 30% – отделения НИОКР. Произведено и поставлено потребителям более 6000 цифровых радиорелейных станций, 500 единиц контрольно-измерительной аппаратуры (КИА) СВЧ диапазона собственной разработки, а предприятие заняло одно из ведущих мест по этим направлениям и сложно функциональным СВЧ модулям в России. Назначение ППМ в составе АФАР и требования к основным характеристикам Бортовая РЛС, построенная на основе АФАР, представляет собой дальнейшее развитие РЛС с пассивной ФАР. Структурные схемы БРЛС с ФАР и АФАР приведены на рис. 1. Отличительной чертой АФАР является перераспределение усиления из группового тракта приема и передачи в апертуру антенны за счет добавления нового элемента – приемопередающего модуля. В результате появляются новые возможности системы в сравнении с ФАР, такие как амплитудно-фазовое формирование лучей; улучшаются технические параметры: меньший шум-фактор приемника, меньшая мощность основного передатчика (становится возможным его твердотельное исполнение), в итоге – повышенный ресурс и надежность БРЛС. Следует отметить, что в целях снижения стоимости работ при создании АФАР возможно применение унификации как при создании ППМ, так и самих антенн на нескольких уровнях: по МИС СВЧ, по конструктиву ППМ, ремонтопригодности и измерению параметров, по питанию и системам управления, которых может быть несколько в зависимости от решаемых задач. В то же время не проще задача и создания специальной электронной компонентной базы СВЧ (ЭКБ СВЧ), а в ряде случаев и технологически более сложная. Таким образом, для создания ППМ и входящих в их состав ЭКБ СВЧ требуются значительные интеллектуальные и материальные ресурсы. Особенно остро этот вопрос стоит до сих пор перед отечественной радиоэлектронной отраслью, которой по известным причинам был нанесен огромный ущерб в 1990-е годы. Применительно к АФАР БРЛС, работающей в Х-диапазоне, можно так обозначить основные характеристики ППМ, которые являются уже типовыми: – полоса рабочих частот не менее 1–2 ГГц; – излучаемая мощность порядка 7–10 Вт, импульсный режим работы с переменной скважностью и длительностью; – коэффициент шума приемного тракта с устройством защиты не более 3 дБ; – раздельное цифровое управление амплитудой и фазой излучаемых и принимаемых СВЧ сигналов с обеспечением глубины и точности регулировки не менее 20 дБ (5 бит) по амплитуде и 360° (6 бит) по фазе; – минимальные тепловыделение и массогабаритные параметры. Ограничения на габаритные размеры ППМ определяются требованиями обеспечения постоянной решетки, которая близка к половине рабочей длины волны БРЛС (для Х-диапазона это 15–20 мм), соблюдение последних приводит к необходимости применения только бескорпусных функциональных элементов СВЧ тракта и конструктивно-технологических приемов c максимально плотной упаковкой. Уровень выходной мощности ППМ обеспечивается твердотельным усилителем с КПД порядка 30–40% (типовая величина подобных МИС) при общем количестве ППМ в составе решетки 1000–2000 шт. Эти условия требуют применения эффективной системы охлаждения АФАР (как правило, жидкостной). Сложность решаемой задачи повышает и необходимость применения ступенчатой секционной системы вторичных источников питания и подвода линий питания и управления к полотну АФАР, так что в целом БРЛС с АФАР представляет собой чрезвычайно сложную комплексную радиотехническую систему. Функциональная схема ППМ На рис. 3 приведена функциональная схема ППМ, представляющая реализованную структурную схему приемного и передающего СВЧ трактов, также управляющего модуля. Управление амплитудой и фазой излучаемого и отраженного сигнала производится в общем тракте за счет включения в схему трех СВЧ коммутаторов. На наш взгляд данная функциональная схема обладает рядом преимуществ по сравнению с другими возможными вариантами, в частности со схемой, предложенной в: – минимизируется количество управляемых МИС и, следовательно, цепей управления; – значительно упрощается система калибровки АФАР в целом, так как температурные и частотные погрешности управления амплитудой и фазой в ВМ можно откалибровать в режиме работы на прием; – данное решение позволяет обеспечить необходимый уровень развязки между приемным и передающим трактом, так как электрически управляемый выходной коммутатор, по сравнению с циркулятором, обеспечивает большую развязку, не зависящую от согласования с облучателем. Ограничения на массогабаритные показатели ППМ определяют использование в его СВЧ тракте только специализированных МИС СВЧ. Для комплектования ППМ Х-диапазона ряд зарубежных фирм провел разработки и освоил производство полного набора МИС функциональных элементов. Примером набора МИС могут служить схемы, производимые на момент начала наших работ фирмами MaCom, Triquint, UMS. Причем, ряд типов этих специализированных МИС находились под запретом для продажи в другие страны, что существенно ограничивало развитие систем АФАР «сторонними организациями» на мировом рынке. Разработка комплекта GaAs МИС функциональных элементов ППМ Функциональные элементы СВЧ тракта ППМ разделяются на управляющие и активные (усилительные). К управляющим элементам относятся коммутаторы, дискретный аттенюатор, дискретный фазовращатель. К активным: МШУ, УМ и буферные усилители. Первоначально, развитие ППМ тематики у всех производителей происходило по пути разработки и изготовления ряда «дискретно функциональных» МИС перечисленных выше и возможных способов упаковки их в общий функциональный блок. Например, в первом варианте ППМ для «Жук-АЭ» использовалось 12 «дискретно функциональных» МИС СВЧ на один канал. Разработка этих МИС производилась силами НПФ «Микран» с использованием технологической базы томского ОАО «НИИПП». С получением опыта, развития схемотехники и технологии изготовления МИС количество кристаллов на один канал ППМ сокращается до трех типов: МИС УМ, МИС МШУ и многофункциональная МИС с дискретным управлением амплитудой и фазой ППМ – векторный манипулятор (ВМ) (рис. 3). Такое разбитие логично и обусловлено, в первую очередь, требованием к различным конструкциям полупроводниковых пластин, на которых выполняются данные МИС. Схемотехника УМ требует больших пробивных напряжений на активном элементе с целью получения необходимой выходной мощности ППМ; для МШУ требуется другая структура полупроводниковой пластины с целью обеспечения минимума вносимого собственного шума приемника; многофункциональная МИС кроме аттенюатора, фазовращателя, коммутаторов должна содержать схемы сопряжения с внешним цифровым управлением – для этого требуется как правило третья полупроводниковая конструкция. В рамках решения этой ключевой задачи НПФ «Микран» в настоящее время разрабатывает и осваивает в производстве необходимые GaAs МИС СВЧ по технологии p-HEMT на собственной технологической линии, укомплектованной и запущенной в эксплуатацию в2009 г. На рис. 4 представлены образцы МИС СВЧ, разработанные и изготавливаемые на предприятии. Конструкция группового ППМ Конструкция группового четырехканального ППМ основана на применении общей многослойной СВЧ печатной платы. МИС УМ располагается на отдельных термокомпенсационных основаниях в «окнах» печатной платы. Данное решение позволяет в максимальной степени применить в производственном процессе хорошо отработанные стандартные автоматизированные сборочные операции, а, следовательно, обеспечить минимизацию себестоимости изделий. А именно: единый сборочный цикл всех четырех каналов ГППМ и схемы управления на общей плате; поверхностный монтаж корпусированных элементов; монтаж и ультразвуковая разварка бескорпусных СВЧ МИС. При этом замена любого элемента максимально облегчена и полностью встраивается в сборочный цикл. Пример компоновки четырехканального ППМ показан на рис. 5. Массогабаритные параметры ППМ согласованы с общей компоновкой АФАР. ГППМ имеет герметичный алюминиевый корпус, плоское дно которого крепится к теплоотводящему радиатору полотна АФАР. Преимуществом данной конструкции ППМ является то, что он инвариантен к месту расположения в полотне АФАР. ППМ легко монтируется со стороны облучателя, что облегчает регламентные работы и обслуживание в условиях ремонтной организации без демонтажа АФАР. На рис. 6 приводится последовательность разработки и производства БРЛС «Жук-АЭ»: МИС СВЧ-ППМ – полотно АФАР – РЛС – истребитель МиГ-35. Построение схемы БККУ и принцип группового ППМ Блок контроля, коммутации и управления (БККУ) ППМ предназначен для прицентральной вычислительной системы (ЦВС) БРЛС, а также для передачи в нее информации о состоянии ППМ. БККУ выполняет следующие операции управления и диагностики ППМ: – принимает от ЦВС значение кодов фаз и амплитуд на прием и передачу для следующего такта работы БРЛС; сигнал переключения ППМ из режима приема в режим передачи и обратно; команду контроля состояния ППМ; – выдает сигналы в ЦВС: диагностические сообщения о состоянии ППМ (температура, выходной уровень излучения); информацию состояния управляющих регистров аттенюаторов и фазовращателей; сигнал контроля содержимого регистра состояния. Ядро схемы БККУ реализуется на основе заказной кремниевой СБИС. На первых этапах отработки функционирования БККУ ядро реализовано на ПЛИС. Для обеспечения точности амплитудных и фазовых сдвигов в диапазоне рабочих частот и температур в схеме БККУ предусмотрена запись матрицы состояний (коды управления аттенюатором и фазовращателем) во встроенную внутреннюю память. Это обеспечивает соответствие реальных изменений коэффициента усиления по амплитуде и фазе требуемым протоколом управления амплитудным и фазовым сдвигам. Информация записывается в память при проведении калибровки ППМ. Производительность современных СБИС позволяет построить схему БККУ общей для нескольких, как правило, четырех ППМ. Этот прием позволяет конструктивно и схемотехнически объединить их в одном корпусе, групповом ППМ (ГППМ), а схема БККУ является общей для всех четырех каналов и обеспечивает независимое управление ими по амплитуде и фазе. Оборудование для тестирования и поверки параметров ППМ В промышленном производстве любого электронного изделия особое внимание уделяется вопросам контроля электрических характеристик. Для сложных, комплексированых изделий полный контроль зачастую не оправдан и/или затруднен в силу сложности изделия и/или трудоемкости измерений стандартным парком универсальных измерительных приборов. С целью повышения производительности актуальна задача оптимизации затрат на контроль параметров при изготовлении изделия. Задача решается в двух направлениях. Во-первых, при промышленном производстве проводится не весь спектр измерений, а выбирается ряд обязательно контролируемых характеристик по которым, с большой долей вероятности, можно принимать решение о соответствии изготовленного изделия заданным требованиям. Во-вторых, минимизируют время, необходимое для проведения измерений этих характеристик. Применительно к производству ППМ АФАР обязательному контролю подлежит амплитудно-фазовая регулировочная характеристика. Достаточными интегральными характеристиками СВЧ приемного тракта выступают параметры АЧХ и коэффициента шума; а для передающего СВЧ тракта – параметры АЧХ и уровня выходной мощности. Минимизация временного фактора осуществляется путем создания специализи-рованных рабочих мест, где сгруппирован парк необходимых контрольно-измерительных приборов и приспособлений по оперативной поверке параметров производимого изделия с максимальной автоматизацией процесса. Необходимо отметить ряд особенностей по структуре рабочего места, режимам работы и измерения перечисленных параметров ППМ АФАР. – ППМ-устройство двунаправленное. При включении в СВЧ измерительный тракт, необходимо производить комплексный обмер в диапазоне частот как передающего, так и приемного канала. Рабочее место по поверке параметров строится на основе векторного анализатора СВЧ цепей. Уровень мощности на передачу может достигать десятки ватт, а уровень зондирующего сигнала на вход приемника должен составлять десятки микроватт, что требует доработки измерительного тракта большинства универсальных векторных анализаторов цепей. Следует заметить, что доработка (включение дополнительных аттенюаторов) приводит к потере ряда функций векторного анализатора, таких как измерение коэффициента отражения, которая, в конечном итоге сказывается на метрологической точности стандартных алгоритмов измерений; – Режим работы передающего канала ППМ импульсный. Измерение параметров АЧХ и выходной мощности производится в режимах, близких к рабочим. Имевшийся на момент разработки ППМ парк универсальных импульсных векторных анализаторов цепей (например, серии PNA фирмы Agilent) измеряют комплексный коэффициент передачи импульсов длительность от 20 нсек, но они построены по схеме цифрового стробоскопического преобразователя, и, в силу этого, имеют ряд метрологических особенностей не всегда способных адекватно отражать процессы в ППМ при мгновенной смене режимов работы. – Управление состояниями ППМ осуществляется по уникальному цифровому интерфейсу и протоколу. Для автоматизации процесса измерений обязательно наличие дополнительного устройства – эмулятора шины управления (ЭШУ), который позволяет связать ППМ со стандартной шиной межприборного взаимодействия. – Синхронизация работы и процесса измерения ППМ в типовой конфигурации рабочего места на базе универсального импульсного анализатора цепей (типа Agilent E8362B) осуществляется за счет внешних генераторов сигналов, что требует дополнительных приборов и усложняют систему управления процессом измерения. – Количество амплитудно-фазовых состояний одного канала ППМ составляет 4096. Оценка времени измерения одного ППМ с помощью универсального парка измерительных приборов составляет десятки минут. Из изложенного выше следует, что построение рабочего места на базе универсальных измерительных приборов необходимо с метрологической стороны, но такие стенды, укомплектованные зарубежной измерительной техникой не оптимальны и дороги, с точки зрения организации промышленного производства ППМ. В результате анализа требований к рабочему месту на базе функциональных узлов собственного (НПФ «Микран») изготовления был разработан специализированный измерительный комплекс по поверке параметров ППМ и изготовлены опытные образцы этих устройств. Разработанные измерительные комплексы относятся к технологическому оборудованию, которое предназначено оптимизировать время тестирования ППМ. Комплексы тестирования параметров ППМ, позволяющие обеспечить время тестирования всех состояний канала ППМ с протоколированием и паспортизации результатов, успешно применялись для выпуска партии групповых ППМ бортовой АФАР «Жук-АЭ». Упрощенная структурная схема специализированного измерительного комплекса представлена на рис. 7. Комплекс состоит из: формирователя зондирующего сигнала (ФЗС); измерительных приемников опорного и выходного сигнала; коммутатора направления измерений (КН); эмулятора шины управления (ЭШУ). Управление всеми режимами работы и отображение результатов измерений осуществляется на персональном компьютере (ПЭВМ). В структурной схеме не показан независимый блок источников питания, который интегрируется в комплекс и позволяет контролировать процесс включения/выключения питающих напряжений и потребляемых токов посредством ПЭВМ. Особенностью построения функциональных узлов комплекса является следующее. – Формирование зондирующего сигнала осуществляется цифровым способом с последующим переносом в диапазон рабочих частот ППМ. Благодаря этому, в качестве зондирующего сигнала может быть оперативно сформирован любой тип сигнала, необходимый для проведения измерений (однотоновый, двухтоновый, шумовой). – Измерительные приемники построены по схеме с цифровым формированием квадратур, что потенциально позволяет измерять точность фазы до десятых долей градуса и амплитуду до десятых долей децибела за один импульс излучения ППМ. – Измерительные приемники имеют достаточную буферную память для временного хранения информации цикла измерений без обращения к ПЭВМ. – Синхронизация процесса измерения и изменения режима работы ППМ производится по внутренним квитирующим линиям. Перечисленные особенности, во-первых, позволяют значительно сократить время измерения основных параметров ППМ, во-вторых, обеспечивают возможность дополнительного измерения шумовых и динамических характеристик СВЧ тракта ППМ. Экспериментально установленное время измерения, обработки и отображения на экране ПЭВМ всех состояний комплексного коэффициента передачи ППМ в режиме передачи и приема (4096 переключений) на четырех частотных точках при длительности импульса зондирующего сигнала 2 мксек составляет 2 секунды. На рис. 8 представлено рабочее место тестирования параметров ППМ. Оператор в интерактивном режиме может управлять состоянием ППМ и режимом измерения, а также наблюдать измеренное значение комплексного коэффициента передачи, амплитудно-фазовую регулировочную характеристику и векторную диаграмму состояний ППМ на выбранной частоте. На рис. 9 представлен интерфейс программы управления. Кроме отображения результатов измерений программа управления производит вычисление кодов компенсации паразитной амплитудно-фазовой конверсии регулировочной характеристики и записывает эти значения во внутреннюю энергонезависимую память ППМ, с последующим контролем внесенных значений. Реализована статистическая обработка измерений и электронная паспортизация базы данных. Опыт эксплуатации и решение задач по оптимизации процедуры тестирования и настройки полотна АФАР показывают, что разработанный комплекс можно использовать и для измерения рабочих параметров РЛС. Комментарии http://www.media-phazotron.ru/?p=271

milstar: ress Release Singapore – June 20, 2011 Nokia Siemens Networks boosts base station power for greater capacity New radio module provides 40% performance improvement at edge of cell while carriers can be distributed across 60 MHz frequency band range Nokia Siemens Networks has expanded its Liquid Radio architecture* by launching a new, high power radio module for its Flexi Multiradio Base Station family** at CommunicAsia 2011 in Singapore. The higher output power means that the module offers greater GSM coverage and increased 3G data capacity at the edge of cells, providing an overall 40% increase in performance. This provides operators with the ability to efficiently enhance their network. In addition, the ability of the new radio module to allocate carriers frequencies across a broad 60 MHz range reduces the size of hardware required per base station site allowing more flexibility in deployment. In mobile networks, the radio module is the part of a base station that amplifies each individual radio signal before broadcasting it from an antenna. Due to its higher output power, the new module improves the signal used to transmit voice or data to a mobile phone user. This directly increases how much useful information the signal can carry or the number of people for whom it can provide a connection. Nokia Siemens Networks’ all in one radio module can be used for all installation types, such as indoor, outdoor, distributed, mast pole and 6-sector sites***, and it can provide up to 240 watts output power per sector, or provide 80 watts output to each of three sectors. ###################################################### w diapazone 2.6 ghz S band Aegis 3.1ghz -3.45 ghz ,polnaja pfar 4350 elementow na 1 storonu pl 10 kw.metrow http://www.lockheedmartin.com/data/assets/ms2/pdf/SPY-1_Family Esli wipolnit AFAR to sr. moschnost 80-120 watt * 4350 budet okolo .5 megawatt ######################################################## (srednjaa moschnost Don -2N ,Cobra Dane ,SBX 1 megawatt) Xoroschaja wozmoznost diversifikazii i wozmoznogo snizenija stoimosti PA ################################################# Diapazon S wazen dlja flota ,kak wsepogodnij w kombinazii s X ############################################## It is also capable of allocating carriers within a 60 MHz range, which is particularly useful for operators with fragmented frequency bands. The module supports any combination of GSM, 3G, LTE or LTE-Advanced technologies in a single unit, significantly further reducing the hardware units a site may need. “Our new radio module is especially suited for refarming GSM frequency bands for HSPA+ and LTE services and network sharing deployments,” said Thorsten Robrecht, head of Network Systems product management at Nokia Siemens Networks. “Moreover, we are the only vendor to combine the capacity to drive three remote radio heads – or sectors – into a single 25-liter unit, offering a smooth evolution for compact multiradio sites with lower power consumption.” Nokia Siemens Networks’ radio module is also the only three-sector remote radio unit in the industry that can be placed next to an antenna, enabling a light multiradio set-up in limited spaces and sites, which cannot be equipped with traditional base stations. The first frequency variants of the new radio module – including on the 900, 900 J, 1800 and 2100 frequency bands – will be available for commercial deployment at the beginning of 2012. Further variants will be rolled out during the first half of 2012. About Nokia Siemens Networks Nokia Siemens Networks is a leading global enabler of telecommunications services. With its focus on innovation and sustainability, the company provides a complete portfolio of mobile, Nokia Siemens Networks Media Relations PO Box 1 FI-02022 Nokia Siemens Networks http://www.nokiasiemensnetworks.com/news-events/press-room/press-releases/nokia-siemens-networks-boosts-base-station-power-for-greater-capacity

milstar: http://www.elcomdesign.ru/market/interview_18.html Micran, GaAS MMIC/PPM dlja MiG-35 AFAR Zuk

milstar: SOLAR ARRAY TRADES BETWEEN VERY HIGH-EFFICIENCY MULTI-JUNCTION AND Si SPACE SOLAR CELLS http://www.emcore.com/assets/photovoltaics/Paper_Navid_9-22-00.pdf

milstar: thickness can be converted to that of normalized maximum power with the coverglass thickness, as shown in Fig. 6. It can be seen that the normalized maximum power at the end of the 15-year mission in GEO earth orbit increases with the increasing thickness of the solar array coverglass. The power of the triple-junction cell will decrease to about 60% of the original power if uncovered by silica glass, while the use of a 500 мm thickness of silica glass will increase the end power of the 15-year mission to about 70% of the original power. However the effects of the coverglass thickness and electron radiation-induced color centers on the transmittivity of sunlight were not included in the analysis. http://esmat.esa.int/Materials_News/ISME09/pdf/2-Radiation/Poster%20Radiation%20and%20Charging%20Effects%20-%20Yang.pdf

milstar: http://www.thalesgroup.com/assets/0/93/238/67133822-a8e8-4f6d-8512-9d3f7e371fdd.pdf?LangType=2057

milstar: http://www.gaasmantech.org/Digests/2006/2006%20Digests/3D.pdf KORRIGAN: Development of GaN HEMT Technology in Europe G. Gauthier1 and F. Reptin2 1Thales Airborne Systems, 2 av. Gay-Lussac, 78851 Elancourt, France +33(0)1 34 81 91 30, gildas.gauthier@fr.thalesgroup.com. 2DGA/DET/PCO, 4 bis rue de la Porte d’Issy, 75509 Paris, France +33(0)1 45 52 49 34, francois.reptin@dga.defense.gouv.fr KORRIGAN BACKGROUND KORRIGAN is a large-scale European joint Research and Technology Project performed within the EUROPA framework and targeting CEPA2 objectives aiming at the development of microelectronics components. Seven nations are contributing to KORRIGAN: France also acting as the MOD management group, Italy, The Netherlands, Germany, Spain, Sweden and the United Kingdom. The KORRIGAN consortium, placed under the lead of Thales Airborne Systems (France), consists of 29 partners from the 7 contributing nations providing all the necessary competence in all key areas dedicated to semiconductor technologies such as substrate growth, device processing, circuit design and modelling, circuit packaging and integration. Also, in order to increase the project efficiency, the KORRIGAN consortium will share a very large number of test equipment, as well as characterisation and evaluation means. KORRIGAN OBJECTIVES The main objective of KORRIGAN is to develop a stand alone European supply chain and capability for GaN HEMT technology which will provide all major European defence industries with reliable state-of-the-art GaN foundries services. For that purpose, there are four major technical objectives: • To establish a European supply chain for the manufacture of GaN HEMT devices and MMICs. • To assess the reliability and reproducibility of existing GaN device technologies within Europe in order to identify preferred processing options. • To demonstrate the technology and the supply chain through the fabrication and testing of selected demonstrators for key S-band, X-band and wide-band applications. • To evaluate the benefit of the technology at system level. edicated to materials, device and circuit processing technologies, reliability evaluation, thermal management and packaging solutions. Several demonstrators will be designed to validate GaN technology for various applications: S-band HPA, X-band and wideband HPA, LNA and switches.

milstar: http://www.3-5lab.fr/Scope6.htm III-V Lab is located in two facilities, in Marcoussis and Palaiseau, about 25 km south of Paris

milstar: http://www.ums-gaas.com/ http://www.ums-gaas.com/telechargement/UMS%20GaN%20flyer.pdf

milstar: http://www.es.northropgrumman.com/solutions/mantech/assets/mantech.pdf

milstar: The AAM-4B is fitted with a missile seeker featuring Active Electronically-Scanned Array (AESA) radar and a greatly improved data link. The AAM-4B will be coupled with enhanced J/APG-2 radar that gives pilots a detection range far superior to what they have now. Analysts believe that the AAM-4B will be deployed as a replacement for the Mitsubishi Electric license- built AIM-7F/M Sparrow’s now in service, a missile that was still in production as late as 2010. http://defense-update.com/20120314_japan-making-its-f-2-fighter-fleet-more-lethal.html

milstar: АФАР 27.25-27.5 ghz 28 сантиметров,1700 элементов http://ntrs.nasa.gov/archive/nasa/casi.ntrs.nasa.gov/20050215644_2005218525.pdf AEHF антенна передатчика InPhi АФАР 20 Ghz с заполнением h/2 более 10 000 элементов http://www.as.northropgrumman.com/products/aehf/assets/AEHF_datasheet.pdf

milstar: News | June 5, 2013 Northrop Grumman Begins Sampling New Gallium Nitride Packaged Power Amplifier For Military, Commercial High-Power Amplifier Needs ... "This amplifier is produced in Northrop Grumman's advanced microelectronics wafer fabrication facility in Manhattan Beach, Calif., which has provided large volumes of compound semiconductor products to both military and commercial customers for more than 20 years," Kropschot said. "We are targeting the APN180FP for the growing Ka-band satellite communication terminal and the commercial wireless infrastructure markets." Product description: The APN180FP is a 0.2 mm GaN HEMT MMIC power amplifier chip mounted in a flange mount package. It operates at between 27 and 31 GHz and is optimized for operation between 29-31 GHz. This power amplifier operates with a drain voltage of +28V and provides 21 dB of linear gain, +37 dBm (5.0 W) of output power at 1 dB gain compression and +39 dBm (8 W) in saturation with Power Added Efficiency (PAE) of 26 percent at midband. For less-demanding applications, the APN180FP can be operated from a drain voltage as low as +20V while still producing +37 dBm (5 W) of saturated output power. Samples are available now. Preproduction quantities will be available in July. Production quantities will be available in the fourth quarter of 2013. http://www.rfglobalnet.com/Doc/northrop-grumman-gallium-nitride-military-high-power-amplifier-needs-0001

milstar: MELVILLE, N.Y., 15 April 2013. Comtech PST Corp. in Melville, N.Y., is introducing the BME69189-20 high-power-density solid-state RF module for electronic warfare, radar transmitters, and communications applications where space, cooling, and power are limited. The integrated RF gallium nitride (GaN) 6-to-18 GHz RF amplifier for RF and microwave applications has a of more than 20 Watts; gain at 20 Watts of more than 41 decibels; maximum RF input overdrive of 10 dbm; and built-in test that includes composite fault indication, over current, and over voltage. The RF GaN amplifier has a seven-pin DC control interface; DC input of 28 volts DC; standby power of 35 Watts; DC to RF efficiency of 14 percent; operates in temperatures from -50 to 55 degrees Celsius at the baseplate; and meets MIL-STD-810F for shock and vibration. http://www.militaryaerospace.com/articles/2013/04/Comtech-RF-amplifier.html

milstar: Advertisement In Print October 2014 Digital Edition Online Edition Featured DARPA’s Mobile Hotspot Program Drives E-Band Performance Benchmarks Featured 765 MHz BW PXI Signal Analyzer Featured Measurement of an Active Radar Module in a Compact Antenna Test Range The MWJ Buyer's Guide Pickering Interfaces Logo Click this featured vendor's logo for the latest RF/microwave products, catalogs, brochures and company news. Visit Buyer's Guide | Get Your Company Listed Popular Most Viewed Recent Comments DARPA’s Mobile Hotspot Program Drives E-Band Performance Benchmarks Freescale modernizes microwave oven industry with solid-state RF power Mercury Systems to define new RF and microwave standard with OpenRFM Qualcomm to acquire CSR Pico Technology releases four-channel 20 GHz sampling oscilloscope Advertisement Multimedia Images Videos Interview with Wolfgang Heinrich, President of EuMA EuMW 2014 Rome, Italy More Multimedia Will RF Industry Consolidation Continue? Yes, at the same furious pace Yes, but at a slower pace No, I can't take anymore Answer View Results Poll Archive Home » DARPA’s Mobile Hotspot Program Drives E-Band Performance Benchmarks Aerospace and Defense Channel DARPA’s Mobile Hotspot Program Drives E-Band Performance Benchmarks http://www.microwavejournal.com/articles/23121-darpas-mobile-hotspot-program-drives-e-band-performance-benchmarks Essentially all of the Mobile Hotspot’s equipment in the L-3 design will be packaged into two underwing pods with the discovery and LTE antennas located at the wingtips and in the tail sections for isolation and spatial performance. Each pod contains several RF subsystems. Each pod contains two gimbaled mmWave radios, fore and aft; GPS antennas and IMUs; as well as associated power supplies. A total of four mmWave radios will provide the gigabit directional links with as wide an operating field-of-view (FOV) as possible. The remaining functions are split between pods, the primary network router in one and the discovery and LTE subsystems in the other – resulting in a good balance of weight and power between the two pods. Nominally, the mass of each pod is about 10 to 12 kg and each requires about 200 to 500 W depending on the operating mode Implementation of Mobile Hotspots is a marvel when these demands on the management of the backbone network are fully appreciated, further recognizing that the network is autonomous and self-forming as new nodes are deployed or replaced. The ability to then tie in and extend the network with LTE will enable multiple “Hotspots” over 1,000 square miles of area to be connected within hours. For the user, these features create a virtual network with high availability that provides a broadband Internet-like experience, leveraging the millimeter-wave gigabit links as the core transport mechanism. The original objective of the power amplifier was to demonstrate 10 W (20 W goal) in each of the two E-Band allocations, 71 to 76 and 81 to 86 GHz. Millitech proposed use of HRL’s then in-process second generation GaN MMICs allowing for the potential to incorporate any suitable device should the opportunity arise. The approach was to design an integrated, highly efficient power combining scheme which we had been refined from spaceborne applications over recent years. Millitech had already demonstrated 0.7 dB of total loss divide and combined for an eight-way or 0.35 dB of combining loss (92 percent efficiency) Measured results are shown in Figure 3. The final results of this Phase 1 activity resulted in the power amplifier performance exceeding the requirement for both the lower and upper allocation and approaching the 20 W goal by delivering 17 W at 74 GHz with nearly 25 percent PAE (see Figure 4). Note that the PAE figures include DC bias distribution. In addition to power and efficiency, size was another critical SWAP parameter. Each complete SSPA module was about the size of an iPhone with dimensions of 2.2" × 3.7" × 0.5" overall (<4.0 in3) (see Figure 5). As part of Phase 1, BAE implemented their 50 nm mHEMT process in the design of a single LNA to cover both of the E-Band allocations. Millitech was enlisted by BAE to demonstrate the mounted-in-module performance. The results exceeded expectations, demonstrating the best seen MMIC based noise figures across very wide bandwidths. Nominally 2 dB noise figure was measured in each allocation at room temperature. A very flat gain response was measured to be below 2 dB in the 71 to 76 GHz allocation (see Figure 6). Worth noting is that the noise figure and gain behaved well and were maintained down to 40 GHz. These accomplishments represent new industry performance benchmarks for solid state power capability and noise figure. Millitech looks forward to repeating and even enhancing this performance during phase 2. This work in mmWave performance, fostered by DARPA, will also provide substantial benefit to commercial mmWave communications.

milstar: В таблице 2 приведены основные виды электровакуумных СВЧ приборов и устройств, имеющие мировой и российский приоритет, технические и технологические решения которых защищены патентами Российской Федерации. По совокупности своих технических и эксплуатационных характеристик эти приборы являются лучшими в своих классах и определяют мировой технический уровень. В таблице приведены области применения этих СВЧ приборов, лидирующие предприятия-разработчики и изготовители, а также представлены применяемые для этих же целей приборы за рубежом и их изготовители. http://www.hse.ru/data/2013/02/12/1308493137/СПИ%20ТП%20СВЧ%20технологии%2025%2012%202012.pdf СТРАТЕГИЧЕСКАЯ ПРОГРАММА ИССЛЕДОВАНИЙ технологической платформы «СВЧ технологии» Утверждена 17 декабря 2012 года на заседании Наблюдательного совета технологической платформы «СВЧ технологии» под председательством А.С. Якунина Директора Департамента радиоэлектронной промышленности Министерства промышленности и торговли Российской Федерации Основными потребителями СВЧ приборов и устройств являются предприятия ОПК радиоэлектронного профиля, разрабатывающие и серийно выпускающие радиоэлектронную аппаратуру прежде всего военного и, наряду с ней, аппаратуру двойного и (или) гражданского назначения. Наиболее крупными из них, формирующими рынок радиоэлектронной военной продукции являются предприятия, входящие в ОАО «Концерн ПВО «Алмаз-Антей» (ОАО ГСКБ «Алмаз-Антей» (Москва), ОАО «НИИ приборостроения им. В.В.Тихомирова» (Жуковский Московской обл.), ФГУП «ГРПЗ» (Рязань), ОАО «НИИ «Стрела» (Тула), ОАО МНИИ «Альтаир», ОАО «ВНИИРТ» (Москва), ОАО «ННИИРТ» (Нижний Новгород), а также ОАО «КБП» (Тула), ОАО «КБМ» (Коломна Московской обл.), ОАО «ЦКБА» (Омск), ФГУП «КНИРТИ» (Жуков Калужской обл.), ОАО «Корпорация «Тактической ракетной вооружение», ОАО ГосМКБ «Вымпел», ОАО ГосМКБ «Факел», ОАО «Российские космические системы», ФГУП «ЦНИИ «Комета» (Москва) и др. Разрабатываемые и выпускаемые ими системы радиоэлектронного вооружения на период до 2020 года будут в основном определять загруженность предприятий ОПК, в том числе и СВЧ подотрасли. Только по номенклатуре ФГУП «НПП «Исток» (Фрязино Московской обл.), разрабатывающему и серийно выпускающему СВЧ приборы и устройства для более 100 образцов современного и перспективного вооружения, объемы производства к 2017-2018 гг. планируется увеличить: по кристальному производству транзисторов и МИС СВЧ  в 26 раз; по производству модулей СВЧ, в том числе для АФАР  в 12 раз; по электровакуумным СВЧ приборам и КИ СВЧ  в 2,3 раза; по радиоэлектронным устройствам  в 4 раза.

milstar: 10 W and 18 W devices available in low-cost, surface mount 32-lead 5 x 5 mm AIN QFN packages Richardson RFPD Inc. announced the availability and full design support capabilities for two 2.7 to 3.7 GHz packaged GaN power amplifiers from TriQuint. The TGA2583-SM and TGA2585-SM are designed using TriQuint’s production 0.25-μm GaN on SiC process. The new devices can operate under both pulse and continuous wave (CW) conditions, and both feature RF ports that are fully matched to 50 ohms with integrated DC blocking capacitors for simple system integration. The new GaN PAs are ideally suited to support commercial and defense-related S-band radar applications. The TGA2583-SM and TGA2585-SM are available in low-cost, surface mount 32-lead 5 x 5 mm AIN QFN packages. Earlier in 2014, Richardson RFPD introduced die versions of these parts: the TGA2583 and TGA2585. According to TriQuint, additional key features of the 2.7–3.7 GHz GaN PAs include: http://www.microwavejournal.com/articles/23475-gan-power-amplifiers-tga2583-sm-tga2585-sm?utm_source=Microwave+Advisor_Newsletter_20141216&utm_medium=OMAIL

milstar: ЗАО «НПП «Планета-Аргали http://www.argall.ru/info.html http://www.novgorod.net/~argall/files/SEMENOVA.pdf

milstar: В течение последних 15 лет предприятие постоянно ведет работы (НИОКР) по Государственному оборонному заказу в области указанной тематики. Выпускаемые изделия имеют утвержденные технический условия и включены в “Перечень электрорадиоизделий, разрешенных к применению при разработке (модернизации), производстве и эксплуатации аппаратуры, приборов, устройств и оборудования военного назначения”. Потребителями выпускаемой продукции являются более 150 предприятий России и ближнего зарубежья, в том числе ОАО "НПО "ЛЭМЗ", ОАО "НИИИП", ФГУП "РНИИРС", ФГУП "ЦКБА", НИИ РЭТ МГУ им. Н.Э. Баумана, ЗАО НПП "Салют-25", ЗАО НПЦ "Алмаз-Фазотрон", ФГУП ЦНИИ "Гранит", ФГУП ЦНИИ "Градиент", ОАО НИИП им. Тихомирова В.В., ОАО УПКБ "Деталь", ФГУП НИПИ "Кварц", ФГУП "ЦКБА", ОАО "Радиофизика", ОАО НПП "РАДАР ММС", ФГУП НПП "Радиосвязь", ФГУП НПП "Салют", ФГУП ПО "Октябрь", ННИИР и другие. http://www.argall.ru/info.html

milstar: http://hi-tech.media/62015.html statja o GaN Ampel Ilja AFAR Pulsar str 7

milstar: Ядерные системы электроэнергии считают основными перспективными источниками энергии в космосе при планировании масштабных межпланетных экспедиций. Энерговооруженность Международной космической станции - 110 киловатт - обеспечивается работой солнечных батарей площадью 17 на 70 м. Для реализации межпланетных пилотируемых миссий, например к Марсу, потребуется гораздо более серьезная энерговооруженность - одними солнечными батареями вопрос будет не решить

milstar: Холдинг “Росэлектроника” Госкорпорации Ростех приступил к выпуску нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов для создания сетей связи 5G и нового поколения систем радиолокации. Опытные образцы СВЧ-приборов прошли испытания в составе аппаратуры квадрокоптеров, радиостанций и аппаратуры локации аэропортов и в настоящее время поставляются более 20 предприятиям для тестовой эксплуатации. Транзисторы ПП9137А обладают высоким значением удельной выходной мощности, широкой полосой согласования, высоким значением пробивных напряжений “сток-исток”. Выходная мощность приборов – от 5 до 50 Вт, коэффициент усиления по мощности – от 9 до 13 дБ, КПД стока – не менее 45% на тестовой частоте 4 ГГц и 2,9 ГГц. http://integral-russia.ru/2017/12/26/16578/

milstar: In this topology the low noise amplifier (LNA) outputs are split to many analog beamformers where N number of elements can produce M number of analog subarray beams. Each analog beamformer is programmed for a different antenna pattern. By repeating the Figure 6 topology across an array, digitally beamformed patterns can be created at widely disparate angles. This topology is one type of hybrid architecture that can provide the benefits of every element digital system, but with a reduced waveform generator and receiver count. The trade-off in this case is the analog beamformer complexity. Traditional analog beamformers would have required a single function GaAs phase shifter and single function GaAs attenuator for each antenna element. More advanced approaches integrate the phase shifter and attenuator into a single GaAs front-end IC, that includes the power amplifier (PA), LNA, and switch. Analog Devices integrated analog beamformer chips achieve significant integration in SiGe BiCMOS technology, that incorporate four channels into a single IC with a rhttps://www.analog.com/en/technical-articles/advanced-technologies-pave-the-way-for-new-phased-array-radar-architectures.htmleduced footprint, and less power dissipation. https://www.analog.com/en/technical-articles/advanced-technologies-pave-the-way-for-new-phased-array-radar-architectures.html

milstar: For example, by 2014, GaN-based X-band amplifiers capable of 8 kW pulsed output power were demonstrated for radar systems applications as replacements for traveling wave tube (TWT) devices and TWT amplifiers https://www.analog.com/en/technical-articles/gauging-the-state-of-gan-power-amplification.html# Currently deployed radar systems for weather prediction and target acquisition/identification rely on TWT-based power amplifiers operating at C-band and X-band frequencies. The amplifiers run at high supply voltages (10 kV to 100 kV) and temperatures and are susceptible to damage from excessive shock and vibration. The reliability in the field for these tube-based amplifiers is typically 1200 h to 1500 h, which leads to high costs for maintenance and for spare parts. As an alternative to these high power TWT-based amplifiers, Analog Devices developed an 8 kW, solid-state, X-band power amplifier based on GaN technology. The design uses an innovative, layered combiner approach to sum the contributed RF/microwave output power of 256 MMICs, each developing approximately 35 W output power The 8 kW amplifier topology is modular, comprised of four 2 kW amplifier assemblies with their output power combined using wavguide structures (Figure 1). The amplifier can be mounted in a standard 19" rack enclosure. Table 1. Typical 8 kW PA Performance Rated Output Power 8 kW Frequency range 8 GHz to 11 GHz Rise/fall time (max) 200 ns Pulse width 0.05 μs to 100 μs Duty cycle 20% Input/output VSWR 1.50:1 Out of band spurious noise (max –70.0 dBc Second-order harmonics (max) –40.0 dBc RF input connector SMA RF output connector Waveguide These GaN-based solid-state power amplifiers address the industry’s need for amplifiers with wide instantaneous bandwidths and high output power levels. Some systems attempt to meet these requirements using channelized or multiple amplifiers, each covering a portion of the required spectrum and feeding a multiplexer. This leads to increased cost and complexity and results in coverage gaps at the frequency crossover points of the multiplexer. A more effective alternative solution is continuous coverage of wide frequency ranges at elevated power levels, as has been accomplished with two different GaN-based amplifiers covering VHF through L-band frequencies, as well as 2 GHz to 18 GHz

milstar: A high-output power and broadband GaN high electron mobility transistor (HEMT) has been developed for X-band applications. The device consists of 2-dice of 14.4-milimeter gate periphery together with input and output 2-stage impedance transformers. The device exhibited saturated output power of 310 W with power gain of 10.0 dB over the wide frequency range of 8.5–10.0 GHz, operating at 65 V drain voltage under pulsed condition. In addition, the highest saturated output power reached 333 W with power gain of 10.2 dB at 9.0 GHz. This is the highest output power GaN HEMT ever reported for X-band. ----------------------------------------------------------- https://global-sei.com/technology/tr/bn81/pdf/81-08.pdf

milstar: The Qorvo TGM2635–CP is a packaged X-band, high power MMIC amplifier fabricated on Qorvo's production 0.25um GaN on SiC process. The TGM2635–CP operates from 8 – 11 GHz and provides 100 W of saturated output power with 22.5 dB of large signal gain and greater than 35% power–added efficiency. The TGM2635-CP is packaged in a 10-lead 19.05 x 19.05 mm bolt-down package with a pure Cu base for superior thermal management. Both RF ports (RF input internally DC blocked) are matched to 50 ohms allowing for simple system integration. The TGM26358-CP is ideally suited for both military and commercial x-band radar systems and data links. https://www.rfmw.com/products/detail/TGM2635CP-triquint/582984/

milstar: Description : 100 Watt X-band MMIC Amplifier from 7.9 to 11 GHz https://www.everythingrf.com/products/microwave-rf-amplifiers/qorvo/567-483-tgm2635-cp

milstar: https://niiet.ru/wp-content/uploads/%D0%9F%D0%9F9137%D0%90.pdf Мощный СВЧ нитрид галлиевый транзисторПП9137А https://niiet.ru/wp-content/uploads/%D0%9F%D0%9F9137%D0%90.pdf http://www.vestnik.vsu.ru/pdf/physmath/2017/03/2017-03-02.pdf

milstar: http://www.elcomdesign.ru/netcat_files/File/20(10).pdf GaN-транзисторов осу-ществляет ряд отечественных произво-дителей. Наибольших успехов в этом направлении добилось АО «НИИЭТ» (Воронеж).

milstar: В Новосибирске запущено первое в России промышленное производство наногетероструктур на основе арсенида галлия (GaAs). Работы ведет компания «Экран-оптические системы» (РАТМ холдинг) в индустриальном парке «Экран», при этом в основу положены разработки Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН. Арсенид галлия (GaAs) — полупроводниковое соединение двух элементов: галлия (Ga) и мышьяка (As). Его преимущества — очень высокая подвижность электронов, широкий диапазон рабочих температур и высокая тепловая стабильность. Таким образом, пластины GaAs хорошо подходят для сверхвысоких радиочастот и приложений с быстрой электронной коммутацией. Эти пластины — важный элемент построения отечественной электронно-компонентной базы (ЭКБ) для многих сфер промышленности, от авиации до телекоммуникаций. Они необходимы для развития сетей 5G, оптоэлектроники, различных усилителей и преобразователей. В настоящее время Россия закупает пластины GaAs в Китае, Южной Корее и на Тайване. «Экран-оптические системы» делают пластины на французской установке Riber, ее производительность — до 10 тыс. пластин в год. Компания инвестировала в проект около 350 млн рублей, срок окупаемости может составить три года. «Наладив выпуск пластин GaAs, мы завершили первый этап реализации масштабного проекта создания единственного в России промышленного производства полупроводниковых гетероструктур соединений A3B5 и приборов на их основе, рассчитанного до 2023 года. ЭКБ на базе технологий арсенида галлия обеспечивает мощность в один-два ватта, а с использованием нитрида галлия этот показатель увеличивается в разы — до 20–25 ватт. Поэтому на втором этапе мы планируем изготавливать пластины GaN, для чего потребуется 750–900 миллионов рублей, а на третьем — ЭКБ на основе GaN и GaAs для силовой электроники. Необходимый объем вложений — примерно миллиард рублей», — сообщил генеральный директор «Экран-оптических систем» Андрей Гугучкин. По плану, на первом этапе объем производства составит 350–400 млн рублей в год, на втором — до 1,2–1,5 млрд, на третьем — до 3 млрд. https://expert.ru/expert/2019/41/nachinka-dlya-mikroelektroniki/

milstar: MELVILLE, N.Y. – Comtech PST Corp. in Melville, N.Y., is introducing the model BPMC928109-1000 gallium nitride (GaN) amplifier for X-band radar applications in military tracking, air traffic control, maritime vessel traffic control, and police vehicle speed detection. The AB linear design operates over the 9.2-to-10.0 GHz frequency range, and features options for control of phase and amplitude to allow for integration into high-power systems using conventional binary or phased array combining approaches for power levels to 10 kilowatts pecifications include peak output power of 1000 Watts; power gain of 60dB nominal; power gain variation of ±2 dB (9.2-10 Ghz); pulse width of 0.25 to 100 microseconds max; duty cycle of 10 percent max; pulse droop of less than 0.5dB; pulse rise and fall time of less than 60 nanoseconds typical; input VSWR of less than 1.5:1; and output load VSWR of less than 2:1. https://www.militaryaerospace.com/sensors/article/16722031/gallium-nitride-gan-amplifier-for-xband-radar-applications-introduced-by-comtech-pst

milstar: https://www.satelliteevolutiongroup.com/articles/GaN-SSPAs.pdf

milstar: Исток (НПП “Исток” им. А.И.Шокина), входит в Росэлектронику, Фрязино, Московская область http://www.istokmw.ru/ Основное направление деятельности - новые разработки и серийное производство современных и перспективных изделий СВЧ-электроники для всех видов связи и радиолокации. В настоящее время НПП "Исток" поддерживает около 30% всей номенклатуры изделий СВЧ-электроники, выпускаемой в России, что определяет его головную роль в отрасли. Предприятие обладает замкнутыми технологическими циклами разработки и производства СВЧ-транзисторов, монолитных интегральных схем, модулей СВЧ любой функциональной сложности, электровакуумных СВЧ-приборов и комплексированных СВЧ-устройств на их основе, радиоэлектронной аппаратуры и ее составных частей. В частности, низковольтные ЛБВ миллиметрового диапазона (40-80 Вт) и широкой полосой рабочих частот, в том числе разработка техпроцесса выпуска мощных ЛБВ для диапазона 66-95 ГГц. Разработка усилителя для этого диапазона. Процессы: 200 нм GaAs ############

milstar: Development of X-Band 300 W GaN HEMTWe have commercialized an X-band 200 W GaN HEMT for marine radar.(1),(2) This product has already been used in the final stage amplifier of a transmitter, and the market requires high-output GaN HEMT products to improve the output power level. To address this require-ment, we developed X-band 300 W GaN HEMT with much higher output power than existing products.First, we used the package for X-band 300 W GaN HEMT with dimensions of 24.0 × 17.4 mm, which is the same as those of existing X-band 200 W GaN HEMT https://global-sei.com/technology/tr/bn91/pdf/E91-04.pdf Figure 1 shows the frequency response of the X-band 300 W GaN HEMT with an input power of 46 dBm (40 W). The device exhibited an output power of 55.3 dBm (340 W) and power added efficiency of 38% across a 9.3–9.5 GHz frequency range, which are the industry’s highest levels Photo 4 shows the prototyped solid-state amplifier. It is very compact, measuring 200 (W) × 124 (H) × 20 (D) mm.

milstar: Finally, using the developed GaN HEMT products, we prototyped a solid-state amplifier to achieve an output power of 700 W with a compact size of 200 (W) × 124 (H) × 20 (D) mm

milstar: For X-band radar applications, traveling wave tubes (TWT) such as magnetrons and klystrons were conventionally used because of the required power level as high as 1 kilowatt. However, it is pointed out that TWT amplifiers have high maintenance costs due to their short lifespan. Moreover, TWT amplifiers produce large signal noise and occupy large bandwidth, they interfere with other wireless communication systems running in an adjacent band. Consequently, there is a strong desire for solid-state power amplifiers (SSPA) that are superior in long-term reliability and signal noise to replace conventional TWT amplifiers.GaN HEMT has attracted much attention as a candidate for SSPA devices because of its excellent capabilities such as high power, high efficiency and high gain with high voltage operation based on the excellent material properties of GaN. In addition, the GaN HEMT is capable of covering wide bandwidth due to its high input and output impedance. https://global-sei.com/technology/tr/bn81/pdf/81-08.pdf

milstar: http://www.advantechwireless.com/wp-content/uploads/WP-A-new-generation-of-Gallium-Nitride.pdf

milstar: http://www.advantechwireless.com/wp-content/uploads/WP-Linearity-of-GaN-Based-Solid-State-Power-Amplifiers-2-140853.pdf

milstar: https://www.aerodefensetech.com/component/content/article/adt/features/articles/21881?start=1

milstar: SSPA versus TWTA: Is There Room for Both? https://www.satellitetoday.com/innovation/2014/10/31/sspa-versus-twta-is-there-room-for-both/

milstar: RADAR Transmitter Overview Tube and Solid StateLawrence CohenRadar DivisionNaval Research LaboratoryWashington, DC 20375 https://www.its.bldrdoc.gov/media/31069/CohenRadarTxOverviewISART2011.pdf

milstar: Transmitter Attributes•Attributes of ideal transmitter–Generate stable, noise-free signal (useful for clutter rejection)–Generate required waveforms to identify target–Generate enough energy to detect target–Provide required bandwidth for transmitted/received signal–High efficiency and reliability–Easily maintained–Low cost of acquisition and operation•Difficult in getting all of this at once!

milstar: https://www.armms.org/media/uploads/06_armms_apr13_rpengelly-pt1.pdf

milstar: http://www.yole.fr/iso_upload/News/2020/PR_RF_GAN_MarketGrowth_YOLE_SYSTEM_PLUS_CONSULTING_May2020.pdf

milstar: he Continuing Role of TWTsAlthough developments in GaN and LDMOS technologies have boosted the power output of solid state amplifiers, TWTs are still the benchmark in performance and efficiency for many applications. For example, for multi-octave high power generation, TMS TWTs are smaller, lighter, and more efficient than equivalent SSPA assemblies https://www.teledynedefenseelectronics.com/mec/Products/Documents/TWT%20Product%20Selection%20Guide.pdf EW and RadarShadow Gridded Helix TWTs for Broadband EW and Radar Applications from L through Ku Bands at Peak Power Levels to 12 kW and Average Power Levels to >700 W.

milstar: https://niiet.ru/product-category/tranzmod/gan/impulse-mode-power-microwave-gan/tng/ https://niiet.ru/product-category/tranzmod/gan/impulse-mode-power-microwave-gan/6p-impulse-mode-power-microwave-gan/ https://niiet.ru/product-category/tranzmod/gan/continuous-mode-power-microwave-gan/pp/ https://niiet.ru/product-category/tranzmod/gan/continuous-mode-power-microwave-gan/6p/ Российские GaN

milstar: К 2016 г. на НПП «Исток» было освоено серийное производство СВЧ-модулей на арсениде галлия, технологии изготовления передних и боковых АФАР переданы на Государственный Рязанский приборный завод. Как показывает мировая практика, дальнейшее развитие АФАР связано с освоением технологии создания приемо-передающих модулей (ППМ) на основе нитрида галлия. К сожалению, как в 2019 г. в интервью журналу «Национальная оборона» отмечал Юрий Белый, на государственном уровне программы по освоению нитрид-галлиевой технологии для ППМ АФАР, которая бы увязывала всю линию, начиная от сырья и дальше по всем технологическим цепочкам, до сих пор нет. В результате по этому направлению Россию сейчас опережают не только США, но и КНР. https://oborona.ru/product/kedrov-ilya/radiolokacionnyj-kompleks-belka-dlya-istrebitelya-su-57-tekhnologicheskij-shedevr-sozdannyj-niip-im-v-v-tihomirova-42234.shtml

milstar: Radar (L, S, C, X, Ku - Band) Today’s advanced radar systems need to be more powerful and have greater functionality to detect a variety of growing global threats. Qorvo® has the largest portfolio of high- performance MMICs and discrete components designed for these applications. We can deliver the products and signal chain expertise you need to maintain the leading edge no matter what frequency band file:///tmp/mozilla_root0/qorvo-high-performance-gan-gaas-solutions-for-defense-aerospace-brochure.pdf

milstar: MELVILLE, N.Y. – Comtech PST Corp. in Melville, N.Y., is introducing the model BMCAP99109-1500 gallium nitride (GaN) solid state power amplifier module for X-band radar applications. The X-band power amplifier operates at frequencies of 9 to 10 GHz, 9.0-10 GHz, and offers typical peak output power of 1500 Watts. The AB linear design features pulse width and duty factor protection as well as thermal and load voltage standing wave ratio (VSWR) fault monitoring. The gallium nitride amplifier has an optional digital interface for control and status monitoring, and offers fast blanking and low phase noise. The amplifier offers power gain of 62 decibels nominal; power gain variation of ±2 decibels; pulse width of 0.25 to 100 microseconds; duty cycle of less than 6 percent; pulse droop of less than 0.015 decibels per microsecond; pulse rise & fall time of less than 50 nanoseconds; input VSWR of less than 2:1 output load VSWR of less than 2:1. Related: Gallium nitride RF and microwave amplifier for rugged X-band radar applications introduced by Comtech PST The amplifier has an RF input sample of -15 decibels relative to carrier (dBc); RF Pulse of on-off isolation of more than 110 dBc; DC voltage input of 28 volts DC; DC supply current of 12.5 amps RF to DC; and efficiency of 25 percent. The RF and microwave amplifier operates in temperatures from -40 to 65 degrees Celsius at the baseplate; operates in humidity of 0 to 95 percent non-condensing; offers resistance to the effects of operating shock and vibration per MIL-STD-810F; and operates at altitudes to 30,000 feet. The amplifier measures 9.6 by 6.8 by 2 inches, and weighs 5.5 pounds. For more information contact Comtech PST online at https://comtechpst.com. https://www.militaryaerospace.com/rf-analog/article/14295913/rf-and-microwave-power-amplifier-xband-radar

milstar: https://istokmw.ru/uploads/files/static/101/temnov_a.pdf Istok 2020

milstar: https://www.electronics.ru/files/article_pdf/8/article_8702_61.pdf

полная версия страницы